Bonjour,
je me tourne vers vous pour quelques petites questions sur le MOSFET N s'il vous plait:
1) Quand on veut utiliser un MOS N en mode interrupteur, dans le cas de l'interrupteur fermé, est-ce que le MOS est en mode linéaire ou saturé?
2) Pourquoi mettre une diode entre le drain et la source?
3) Où connecter le substrat (le B) pour un NMOS? Pour un PMOS?
4) Quand favoriser un BJT sur un MOS?
Moi je pense, mais peut-être que je me trompe:
1) Les 2 fonctionnent, mais il faut favoriser le mode linéaire car le courant est plus grand (donc plus proche d'un fil) cf (Id(Vgs))
2) Je pense que c'est du aux capacités internes, afin qu'elles puissent se décharger dans le bon sens
3) NMOS => potentiel le plus haut, PMOS => potentiel le plus bas. Mais ça me parait bien simple...
4) Ampli de courant => BJT, ampli de tension => MOS
A part:
Pour le pont en H dernier montage: http://remy-p.pagesperso-orange.fr/aae/aaeph1.htm
a) A quoi sert le BJT cde1?
b) Les 10 kohms et 100 ohms, servent à quoi?
Merci bien.
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