MOSFET pilotage sans R de limitation? + lecture datasheet

[hapto]

Hello,

Question 1

J'observe sur les schémas qu'on ajoute parfois une R de limitation en sortie du µC qui pilote un MOSFET et parfois pas.
Lorsque la sortie du µC, qui pilote en tension le Mosfet, est activée, un bref courant existe lorsque la capa commence à se charger donc il me semble nécessaire d'ajouter une R pour limiter le courant que peut supporter la sortie du µC.
Quand peut-on se passer de cette R de limitation? Comment le déterminer?


Question 2

Sur les datasheet de Mosfet (exemple BS170), à quoi correspond le courant de référence défini comme ci-dessous par rapport la tension seuil:
U(GS)(th) Courant de référence max. = 1mA ?
Cela signifie-t-il que l'intensité I(gate) ne dépassera jamais 1mA? ou qu'il faut faire en sorte que ça ne dépasse pas cette valeur? ou que ...?


Question 3

Les Mosfets sont répertoriés selon leur type de fonction FET qui peut etre par exemple standard ou porte de niveau logique.
Qu'est-ce qui distingue ces derniers des autres?
Par exemple le BS170 est de type standard. Pourtant je peux bien l'utiliser en commutation en sortie d'un µC (picaxe) qui sera bien de niveau logique, non?
-----

[DAUDET78]

Quand peut-on se passer de cette R de limitation? Comment le déterminer?

On ne peut pas s'en passer. Faut limiter le courant à la valeur max admissible et mieux à la valeur max spécifié garantie ( voir la datasheet mais c'est de l'ordre de 25mA et 4mA pour un PIC)

Sur les datasheet de Mosfet (exemple BS170),

C'est toujours bon de mettre un lien sur la doc dont tu causes
http://pdf.datasheetcatalog.com/data...r/DS011379.PDF

à quoi correspond le courant de référence défini comme ci-dessous par rapport la tension seuil:
U(GS)(th) Courant de référence max. = 1mA ?
Cela signifie-t-il que l'intensité I(gate) ne dépassera jamais 1mA?

C'est les conditions pour que le MOS soit Off et c'est la valeur min qu'il faut regarder .
Pour Vgs inférieur au min (0,8V) , le fabricant garantie que le courant drain est inférieur à 1mA

Les Mosfets sont répertoriés selon leur type de fonction FET qui peut etre par exemple standard ou porte de niveau logique.
Qu'est-ce qui distingue ces derniers des autres?

Que la valeur max du Rds(on) est garantie pour une tension Vgs de 5V ( les autres c'est pour un Vgs de 10V )

Par exemple le BS170 est de type standard. Pourtant je peux bien l'utiliser en commutation en sortie d'un µC (picaxe) qui sera bien de niveau logique, non?

Tu fais ce que tu veux comme bidouille, mais ce fonctionnement n'est pas garantie .

[bobflux]

Quand tu choisis un MOSFET pour de la commutation, il ne faut pas regarder le VGSth (seuil) mais la spécification de RdsON maximum garantie pour le Vgs que tu auras. Si tu commandes en 5V, il faut prendre un MOSFET qui a une RdsON spécifiée pour 5V ou 4.5V.

[Antoane]

Bonjour,

On en a discuté il y a peu : http://forums.futura-sciences.com/el...de-grille.html, même si le fil est plus orienté vers une commande "vigoureuse" de grille, avec des courants de pointe de l'ordre de l'ampère.

[A voir en vidéo sur Futura]

[hapto]

Ok merci j'y vois déja plus clair.
A présent j'aimerais attaquer la lecture des datasheets sous un autre angle...
Et comment choisir un Mosfet pour de la commutation? Déterminer quand il est saturé ou non?

D'après mes recherches, un NFET est saturé quand:
V(DS) > V(GS)-V(GS)th

Prenons l'exemple d'un IRL1404 avec porte de niveau logique dans le schéma suivant:

1.4 < V(GS)th < 2.7

on veut donc (aux approximations près):
V(DS) > V(GS)-V(GS)th
V(DS) > 5-1.4
V(DS) > 3.6V

Dans cet exemple, on a : 7A < I(D) < 13A
je ne parviens pas à voir comment on peut savoir si le FET est saturé sous 5V de commande...
Le résultat V(DS) obtenu ci-dessus ne me parait meme pas cohérent avec R(DS)on = 4.7mOhm
Je ne sais manifestement pas comment exploiter cette dernière valeur (si ce n'est pour calculer la puissance dissipée).

Par ailleurs, R(DS)on est donnée pour V(GS)=5V et I(D)=40A.
Que signifie cette valeur de I(D)? Faut-il penser que la valeur de R(DS)on est différente pour une autre valeur I(D)?

Ou faut-il comprendre que les FET avec porte de niveau logique sont forcément saturé sous 5V de commande (pour Vds suffisamment grand) et que la valeur I(D) indiquée avec R(DS)on correspond au courant max qui peut circuler sous ces conditions?

D'avance merci

[DAUDET78]

Et comment choisir un Mosfet pour de la commutation? Déterminer quand il est saturé ou non?

J'attire ton attention sur le fait que, pour un MOS, les appellations sont inverses d'un bipolaire
Un MOS est saturé quand il est en régime linéaire. Aussi je préfère parler de On/Off pour éviter toutes mauvaises interprétations

je ne parviens pas à voir comment on peut savoir si le FET est saturé sous 5V de commande...

Un MOS est ON (ou en régime ohmique)
Quand Vgs> que le Vgs(on) spécifié pour un Rds(on) et un courant drain plus petit que Id(on)

Par ailleurs, R(DS)on est donnée pour V(GS)=5V et I(D)=40A.
Que signifie cette valeur de I(D)? Faut-il penser que la valeur de R(DS)on est différente pour une autre valeur I(D)?

Ca veut dire que la valeur de la résistance n'est pas garantie si tu dépasses 40A
Attention, la valeur de la résistance augmente avec la température