Source de courant de widlard

[fichter]

Bonjour, je regardais sur cette video:
https://www.youtube.com/watch?v=koBQyeKqKe0
et le prof remarque que le courant Ic2 du miroir de courant vaut 1,28mA alors que Ic1=1mA, et c'est dû a l'effet de Early car comme il y a la résistance R=14,3Kohms dans la branche de Q1 qui fait que Vce1=0,7V et donc Vcb1 proche de 0, alors qu'il n'y en a pas dans la branche de Q2 ce qui fait que Vce2=15V et Vcb2=14,3V, on a Ic2 supérieur à Ic1
ddddddaz.jpg

Or ce qui m'étonne c'est que vers la fin de la video il règle le pbme en rajoutant 2 résistances de 300ohms, ce qui donne une source de Widlard
ssssddfgf.jpg
Or 300 ohms parcouru par un courant de 1mA comme on voit à la fin de la video ça créé juste une ddp de 0,3V, et donc Vce de Q2 passe de Vce=15V-0,7V=14,3V avant l'ajout de résistance à Vce=15V-0,7V-0,3V=14V avec la résistance R2....... Donc Vce2 reste quasi identique et très supérieur à Vce1, et pourtant son simulateur indique que Ic2 est maintenant quasi égale à Ic1
Comment c'est possible ?
-----

[fichter]

personne ?

[invitee05a3fcc]

Bonjour, je regardais sur cette video:

Moi, je ne regarde pas les vidéo, ça me fatigue

et le prof remarque que le courant Ic2 du miroir de courant vaut 1,28mA alors que Ic1=1mA,

Le miroir de courant, c'est une utopie en composants discrets. Ca ne marche que si c'est fait par un circuit intégré.

et pourtant son simulateur indique que Ic2 est maintenant quasi égale à Ic1

Pour moi, on revient au bon vieux schéma du générateur de courant (qui marche en composants discrets) des familles.
Les 300 ohm font une contre-réaction sur les émetteurs et les différences de Vbe des deux transistors sont effacées par la tension aux bornes des 300 .
NB : Avec 1000 ohm, ce serait encore mieux

[fichter]

autrement dit ce serait la contre réaction de la résistance d'émetteur qui rapprocherait les courants.... j'ai un doute parce qu'autant la CR s'oppose aux variations du courant en sortie dû aux variations de ß du transistor par la t° par ex, autant là ça suffira pas à effacer l'effet Early proportionel à Vcb2 de Q2.
Je sais pas comment il fait...c'est magique. Pourtant il dit que c'est le principe de la Source de courant de Widlard.

[A voir en vidéo sur Futura]

[invitee05a3fcc]

Ca fait plus de 50 ans que je fais de l'électronique et je n'ai jamais entendu parler de Mr Widlard

autrement dit ce serait la contre réaction de la résistance d'émetteur qui rapprocherait les courants....

Ben si .

j'ai un doute parce qu'autant la CR s'oppose aux variations du courant en sortie dû aux variations de ß du transistor par la t° par ex, autant là ça suffira pas à effacer l'effet Early proportionel à Vcb2 de Q2.

Ben si .
La contre réaction d'émetteur impose un certain courant d'émetteur :
Vbe1+ Re*Ie1= Vbe2+ Re*Ie2
- Plus la valeur de Re est grande, plus l'influence du Vbe (différence de transistor, température, vieillissement) est faible
- Comme Q2 a une tension Vce2 plus grande que Vce1, en toute rigueur, Ic2 est plus grand que Ic1 . Donc , Ie2 est plus grand que Ie1
Sans les résistance d'émetteur, le phénomène est visible. Avec les 300 (et mieux les 1000) , la chute de tension aux bornes de la résistance d'émetteur de Q2 tend à être plus grande ...... et compense, en partie, l'augmentation de Ic2

NB : J'attire ton attention sur le fait qu'en simulation les modèles mathématiques de Q1 et Q2 sont rigoureusement identiques. C'est loin de la réalité quand on fait une simulation au fer à souder ! D'où mon terme utopie ...

Je sais pas comment il fait...c'est magique.

Non, c'est mathématique !

[invite5637435c]

Bonsoir,

tu trouveras ici des explications complètes (en milieu du doc):
https://coefs.uncc.edu/dlsharer/files/2012/04/G2.pdf
@+

[fichter]

ok merci, là j'ai pas le temps, mais je vais regarder ça de près, et je vous dirais demain ce que j'ai compris.

[fichter]

oui tout ce qu'il fallait savoir est sur le pdf pour les miroirs de courant, les sources de Widlar, puis de Wilson que j'ai pas encore regardé.
L'explication que je chervahis elle se résume dans le calcul entre la p4 et 5.
On a 2 diodes avec donc un courant Ic exponentiel de la tension Vbe, et donc des tensions Vbe suivant le logarithme des courants, pour respct Ic1=Iref et Ic2=Iout.
et ils disent sachant lnA-lnB=ln(A/B) on a que la différence entre Vbe1 et Vbe2 suit le logarithme de Iref sur Iout.
Or avec l'ajout de R2 on a aussi Vbe1=Vbe2+Iout.R2 donc au final on a Iout.R2 égale le ln(Iref/Iout) divisé par R2.

Je trouve pas ça hyper intuitif, d'autant qu'on a la valeur de Iout cad Ic2 plus du tout en fct de Ic1 mais de ln(Iref/Iout) divisé par R2....comment on sait alors que ça va tendre vers Iref?
Par contre ils arrivent à trouver le rapprochement entre les 2 courants sans parler explicitement de la tension Vcb2.
Pourtant leur explication doit être la bonne, faudra que je réfléchisse.

[fichter]

Déjà je m'excuse de ne pas créer un nouveau topic mais là j'ai un peu honte de la niaiserie que je viens de mettre juste au-dessus, donc quitte à enterrer le topic autant le fermer en rétablissant la vérité.

Daudet avait parfaitement raison en parlant de Contre Réaction avec l'utilisation d'une résistance d'émetteur pour Q2, voir Q1 aussi.

En fait dans l'ordre pour faire une source de courant stable on peut:
- faire un pont de Base (de résistances) pour stabiliser Vb
- stabiliser Vb avec la tension Vz d'une diode zener, ce qui est mieux
- stabiliser Vbe de Q2 avec la tension Vbe1 d'un transistor Q1 identique monté en diode formant ainsi un miroir élémentaire (ce qui est encore mieux)

Or comme il y a 2 types d'erreur qui surgissent avec un miroir élémentaire:
1- l'erreur de précision entre Ipol et Ic1: є=Ipol-Ic1=2/β due aux fuites vers les bases et qu'on peut annuler avec la Source de Wilson (que j'ai pas encore commencé à regarder)
2 - l'erreur entre Ic2 et Ic1 du à l'effet Early s'appliquant sur le transistor Q2 puisqu'il n'y a pas de résistance R sur son collecteur , et qui, elle, se règle bien par une simple Contre Réaction avec une résistance d'émetteur en Q2, ou sur les 2 émetteurs.

Alors que ce qui m'ennuyait, c'est que dans ma petite tête le rôle de la résistance R2 était de générer une tension se répercutant en B afin de diminuer Vcb2 et donc diminuer l'effet Early ...... :crazy:
alors que le but de R2 n'était pas de baisser l'effet d'Early en baissant indirectement Vbc2 mais simplement de baisser Vbe2 se répercutant sur Ic2 puisque pour un transistor: Ic=gm.Vbe

* j'ai parfois les neurones qui se touchent ... je réfléchirais la prochaine fois avant de poster.