bonsoir
je bloque sur une question ou je dois en ne tenant pas compte du condensateur C8,calculer l intensite du courant dans les diodes électroluminescentes en fonction de l'état de Vs2(0v , 5V). je dois aussi rechercher la tension de seuil des diodes des opto-coupleurs pour faire le calcul demandé.
Merci d avance pour votre aide.
Bonjour cristophe36000 et bienvenue sur FUTURAC'est quoi Vs2 ? la tension appliquée à gauche de R48 ????Envoyé par cristophe36000
Donc le courant base du 2N2222 est de (5-0,6)/10K=0,44mA
Or , le gain en saturation du 2N2222 est de 10 . Si le courant collecteur du 2N2222 est plus grand que 4,4mA (ce qui sera le cas !), le 2N2222 ne peut pas se saturer
Donc, il est impossible de faire cet exercice . (enfin, moi, je sais pas faire ! demande à ton prof le corrigé pour voir avec quelle pirouette il se plante)
Sans la datasheet des optocoupleurs ....je dois aussi rechercher la tension de seuil des diodes des opto-coupleurs pour faire le calcul demandé.
Par défaut, tu prends Vf= 1,25V
Bonjour,
Supposons le transistor saturé , c'est à dire collecteur fermé (Vc = 0V )
Le courant qui passerait serait alors I = V/ R = ( 12 - 3x1,25) / 340 = 24 mA . Le courant dans le circuit collecteur ne pourra jamais dépasser cette valeur.
Maintenant, si j'applique +5 V à gauche de R48, le courant base est de 0,44 mA .
A ce courant là, le gain en courant est de l'ordre de 100 en mode linéaire. Donc en mode linéaire, avec un Vce "normal", le courant collecteur devrait être de 0,44 x100 = 44mA.
Or on a vu que le courant collecteur ne pouvait pas dépasser 24 mA. Donc le transistor va réduire sa tension collecteur jusqu'à ce que son gain en courant soit 24 /0,44 = 54. On peut trouver sur les courbes ce point de fonctionnement, qui correspond à une tension collecteur d'une fraction de volt.
Bien sur, ce n'est pas la saturation définie par le fabricant ( gain de 10 et VCe = xx), mais c'est quand même un mode saturé car le transistor a réduit son Vce de façon à faire diminuer fortement son beta.
Dernière modification par gwgidaz ; 22/11/2017 à 09h45.
Ce n'est pas du tout ma position !
Pourquoi ne pas faire un design sérieux ? en remplaçant R48 par une 1,5K ce qui met le transistor en saturation garantie avec 2,9 mA
Sur ce point je suis bien d'accord, c'est une saturation mal faite! D'autant plus que le beta du transistor peut varier dans de grandes proportions.
Pourquoi ne pas faire un design sérieux ? en remplaçant R48 par une 1,5K ce qui met le transistor en saturation garantie avec 2,9 mA
Bonjour,
Pour un transistor donné, lorsqu'on trace le ratio Ic/Ib en fonction de Vce, on observe que la courbe est quasi-constante pour des Vce supérieurs à environ Vbe, tandis qu'elle décroit rapidement lorsque Vce se rapproche de 0. Pour un transistor de signal lambda, on va ainsi avoir un ratio Ic/Ib de l'ordre de 100 à 500 pour Vce > 1 V tandis que Ic/Ib tombera à ~10 à 50 pour des tension Vce de l'ordre de la centaine de mV.
C'est cette courbe dont l'allure se retrouve dans tous les cours, dans nombre de datasheet et au traceur de caractéristiques : http://pdf.datasheetcatalog.com/data...ild/BC547C.pdf (fig. 1). Par exemple, pour Ic = 10 mA, le Vce sera peut dépendant de Ib, pour Ib allant de 50 µA à 400 µA. Autre exemple, pour Ic = 200mA, Vce est peu dépendant de Vce, pour Ib allant de 200 à 400 µA (le Hfe spécifié @ Vce~10V du composant empêchant de descendre en deçà de Ib=200 µA).
Avec ce circuit pour lequel le ratio [courant de base imposé] sur [courant de collecteur espéré] est (très) inférieur à celui pour lequel le Vce_sat du transistor est spécifié, on se place dans la zone où le ratio Ic/Ib commence à diminuer très franchement avec Vce (formellement : |d(Ic/Ib)/d(Vce)| est grand), qui a lieu pour Vce de l'ordre de 1 V avec un transistor de signal courant. Dans la pratique, la tension Vce sera donc de l'ordre de l'ordre du volt, valeur affectant relativement peu le courant de charge (de l'ordre de 1/6).
Donc :
- on est pas là où le fabriquant a défini la saturation, avec un Vce minimal ;
- mais on travaille avec un courant de base bien plus faible (divisé par ~10 à 20) que si on cherchait à se placer @Vce minimal ;
Cela permet de diminuer le courant de commande, au prix d'une incertitude accrue sur le courant de charge - on note cependant qu'il existe des architectures bien plus performantes si ce dernier paramètre est déterminant (MOSFET, montage émetteur suiveur, etc).
On ne va, évidement, pas se placer à la limite (i.e. utiliser les valeurs de gain spécifiées @ Vce ~10 V), mais travailler entre le ratio Ic/Ib spécifié à saturation et celui donné @Vce = 10 V.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
