Bonjour à toutes et à tous, je suis un élève de PCSI qui a commencé l'élec depuis peu.
J'aimerai comparer expérimentalement ces deux transistors(JFET/MOS) pour l'étude d'un pixel simple d'un capteur photographique.
Je ne suis pas encore trop calé sur les transistors mais j'ai compris le principe de fonctionnement des bipolaires (que je n'étudie pas ici) ainsi que celui des MOS.
Les transistors JFET peuvent-ils remplacer les transistors MOS (à appauvrissement canal N de préférence ou tout autre MOS) dans un même circuit s'ils sont implantés correctement ? (sachant que ce sont tous deux des transistors à effet de champ)
Mon but étant de comparer les performances du pixel avec l'un ou l'autre de ces transistors, j'aimerai pouvoir simplement remplacer l'un par l'autre dans mes montages.
Quels sont les caractéristiques des deux transistors à uniformiser pour avoir une comparaison cohérente? Cette comparaison quantitative expérimentalement grâce à l'uniformisation des caractéristiques est-elle possible ou dois-je me contenter d'une comparaison expérimentale qualitative ?
Voici un exemple de pixel (3 transistors) : http://meroli.web.cern.ch/meroli/ima...Caps_cmos2.jpg
Merci pour toutes vos réponse
Cordialement, Amisi97
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