zone de déplétion d'un transistor JFET

[invite21d4cd0d]

Bonjour, j'étudie la structure interne d'un transistor JFET à canal N.
Lorsqu'on applique une différence de potentiel Vgs (négative) entre grille et source, je vois bien que les jonctions PN sont en polarisation inverses.
Donc si Vgs diminue (passe par exemple de -1V à-3V) la zone de déplétion entre P et N s'agrandi formant un pincement du canal et laissant moins de courant passer.
Pour moi se phénomène est symétrique mais je vois dans mon cours que la zone de déplétion s’agrandi d'avantage du coté du drain que de la source, mais pourquoi???
Je vois que nous avons Vgd= Vgs + Vds et cela implique donc que Vds est plus grand que Vgs mais pourquoi?
Merci de votre aide!
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[invite21d4cd0d]

Et dans le MOSFET, Comme isolant de grille je vois toujours qu'il est constitué de SiO2. c'est le moins cher j'imagine mais le courant de fuite n'est il pas trop grand? quel genre d'autre isolant peut-on utiliser?

[invitee05a3fcc]

je vois toujours qu'il est constitué de SiO2.

C'est donc de la silice ... qui est un excellent isolant électrique et qui se fabrique très simplement en oxydant le silicium .

[Antoane]

Bonjour,

Vgd= Vgs + Vds

Presque : Vgd=Vgs+Vsd, c'est la relation de Chasles pour les vecteurs.
Au passage, sur ton schéma, Vgs n'est pas très bien fléchée : le + de la source de tension est à la source, donc ça devrait être Vsg=-Vgs.

Selon moi :
Le pincement du canal plus important au niveau du drain que de la source provient du fait que la circulation de courant dans le barreau de silicium entraine un gradient de tension en son sein (arrivé 23h, je cause bien) : la source est à 0V, mais le drain est par exemple à 2V, et le milieu du barreau est à 0,8V (c'est pas linéaire).
D'un autre côté, toute la zone dopée P est au même potentiel Vgs, par exemple -3V.
Par suite, la tension entre un point de la gate et le point situé en face dans le barreau dopé N est fonction du point considéré : -3V au niveau de la source, mais -5V au niveau du drain et -3,8V au milieu. Le canal est donc davantage pincé au niveau du drain que de la source.

[A voir en vidéo sur Futura]

[invite21d4cd0d]

Ah oui, j'y avais presque pensé mais je n'arrivais pas a mettre des mots dessus
Merci bien!

[bobflux]

Et dans le MOSFET, Comme isolant de grille je vois toujours qu'il est constitué de SiO2. c'est le moins cher j'imagine

Le transistor est fabriqué par photolithographie sur un substrat en silicium, donc pour créer du SiO2 c'est beaucoup plus facile que n'importe quel autre isolant, puisque le Si est déjà là et qu'il "suffit" de le traiter aux endroits où on veut de l'isolant pour en faire du SiO2. De plus le SiO2 est un excellent isolant et est compatible avec le silicium (par exemple, il va pas se décoller !) donc pour les fabricants le choix est vite fait...

[Antoane]

Salut bob,

Le transistor est fabriqué par photolithographie sur un substrat en silicium, donc pour créer du SiO2 c'est beaucoup plus facile que n'importe quel autre isolant, puisque le Si est déjà là et qu'il "suffit" de le traiter aux endroits où on veut de l'isolant pour en faire du SiO2. De plus le SiO2 est un excellent isolant et est compatible avec le silicium (par exemple, il va pas se décoller !) donc pour les fabricants le choix est vite fait...

Et pour les composants au germanium, à l'AsGa..., on fait comment ?
merci.