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Séparation de Rg pour la mise ON ou OFF d'un MOSFET.



  1. #1
    Floklo

    Séparation de Rg pour la mise ON ou OFF d'un MOSFET.


    ------

    Bonjour,

    Je me renseigne sur les drivers de MOSFET, et un des constructeur préconise de séparer les sorties de mise ON et OFF (cf schema).

    C'est apparemment pour mieux controler le plateau de Miller.

    Pouvez vous m'éclairer un peu plus sur l'utilité de ce montage.

    Cordialement.

    Ref Driver: https://www.silabs.com/documents/pub...ets/Si827x.pdf
    (C'est le Si 8271).

    -----
    Images attachées Images attachées

  2. #2
    Antoane
    Responsable technique

    Re : Séparation de Rg pour la mise ON ou OFF d'un MOSFET.

    Bonjour,

    Utiliser des résistances de grille différentes pour la mise en conduction et le blocage du transistor permet de contrôler indépendamment les vitesses de transitions à l'amorçage et au blocage, ce qui peut se révéler bénéfique au niveau des pertes et de la CEM (contrôle du di/dt).

    Cela améliore également la tenue aux transitoires en évitant les mises en conduction non-désirées du transistor (faible Rgoff), tout en permettant de contrôler la vitesse de mise en conduction ("forte" Rgon) :
    Avec une faible résistance Rgoff, la grille est "fermement" reliée à la source du transistor ; cela empêche les perturbations (forts dVd/dt), couplés à la grille via la capacité Cdg, de trop fortement influencer (i.e. faire croitre) le Vds du transistor : cette croissance pourrait rendre le composant passant.
    Ce n'est pas prépondérant dans le cas des IGBT et des mosfets Silicium ou SiC car il est alors possible de forcer Vgs à une tension négative (e.g -15V) pour accroitre la tension pouvant être couplée du drain vers la grille sans risque (i.e. accroitre la marge de bruit du montage). C'est en revanche particulièrement important dans le cas des HEMT GaN, qui :
    - tolèrent de faibles tensions de grille (généralement comprises entre -5 et +6 à 7V seulement), ce qui limite la marge de bruit atteignable en fixant Vgs<0 ;
    - ont des caractéristiques de conduction inverse directement reliées à la commande de grille : la tension de seuil de la diode équivalente (équivalente à la diode de Body/structure d'un MOSFET) est alors augmentée de la valeur de Vgs appliquée en inverse.
    Conclusion : il n'est généralement pas souhaitable d'appliquer un Vgs<0 pour bloquer un HEMT GaN.
    Note d'ailleurs que c'est le symbole d'un GaN qui est représenté sur le schéma de ta PJ.
    Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.

  3. #3
    Floklo

    Re : Séparation de Rg pour la mise ON ou OFF d'un MOSFET.

    Oui en effet je n'ai pas fait attention au symbole du GaN FET.

    Merci Antoane pour ta réponse !

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