Bonjour Futura Forum
Nous sommes en Terminale SI, et nous avons choisit pour projet de PPE un sécheur de linge à ultrason. Le principe est à peu près le même que pour un diffuseur d'huiles essentielles, c'est à dire avec un piezo vibrant à une certaine fréquence ce qui permet de "pulvériser" des gouttelettes d'eau.
Après recherches, nous sommes parvenus à la fréquence de 1.7 MHz, et afin de contrôler notre piezo, nous utilisons un pont en H réalisé avec des MOSFETs (P-Channel : https://www.mouser.com/ds/2/196/Infi...-en-522840.pdf et N-Channel : https://www.mouser.com/ds/2/196/Infi...en-1226990.pdf, voir image jointe n°1).
Pour faire des tests, nous utilisons un générateur de signal carré pour piloter le pont et un oscilloscope pour mesurer le signal de sortie du pont. Avec des fréquences inférieures à 1 KHz, le pont en H semble marcher correctement, mais au delà de cette fréquence, le pont ne semble pas avoir le temps de se "décharger" (voir images jointe n°2). Nous avons donc ajouté une résistance entre le drain des MOSFETs P-Channel et le 0v, cependant pour obtenir un signal "correct" à seulement 50 KHz, il faut une résistance de 100 Ohms avec une grande dissipation thermique, et réduire encore cette résistance augmenterait drastiquement la consommation, qui était à la base l'un des avantages de notre projet.
Le problème serait donc à priori l'effet capacitif des transistors, mais nous n'avons pas vraiment compris comment résoudre ce problème.
Après plusieurs semaines de recherches, nous nous tournons vers une âme charitable qui pourrait nous aider.
Nous vous remercions d'avance de votre aide !
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