Problemes FET

[invitea250c65c]

Bonsoir,

Je viens de me mettre a l'étude des FETs et j'ai un peu de mal.
Voici le shcéma en piece jointe, c'est pas bien méchant.
En fait je comprends bien le principe, mais je ne vois pas comment connaitre la valeur de Vgs (donc de Id), car on connait la valeur de UR2, mais apres je ne vois pas comment faire pour calculer la valeur de la tension aux bornes de Rs pour ensuite trouver Vgs.

J'immagine que c'est tout bete, mais je ne vois pas comment faire, sans connaitre Id (donc sans connaitre Vgs).

Merci d'avance

PS:J'ai fait des essais, quand je ne branche rien sur la grille, du courrant circule qd mm dans le drain, de qq mA ... est ce normal? Ca aurait été qq µA ou nA je ne me serai pas trop posé de questions, mais la ca me parait bizzare.
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[curieuxdenature]

Bonjour Electrofred

d'emblée, si c'est un Jfet il faut supprimer R1 ça facilite les calculs car la grille est toujours négative par rapport à la source. On a ainsi une polarisation automatique.
Le courant drain-source se calcule ainsi :
Ids = Idss * ( 1 - (Ugs / Vp))^2
Idss est le courant de saturation du JFet (à Ugs=0V).
Ugs est la tension gachette-source.
Vp est la tension de pincement Gachette-source.

Exemple de calcul :
Idss = 10mA ; Vp = -5V ; Ugs = -2.257V
Ids = Idss * ( 1 - (Ugs / Vp))^2
Ids = 10 * (1-(-2.257/-5))^2 = 3.0096mA
Choix de Rs = 2.257V / 3.0096mA = 750 ohms

Vérification :
Us = (Vp * sqr(Ids/Idss)) - Vp
Us = (-5 * sqr(3.0096/10)) - -5 = +2.257V
Ug = 0V

avec sqr=racine carré.

A toute fin utile tu trouveras là un programme qui le calcule selon une base de données de JFets connus:
>Cliquer sur le fichier JFet.zip<

[invitea250c65c]

Bonjour et merci,

Le montage que j'ai mis en piece jointe je l'ai trouvé sur un site mais je pense que c'est plus simple de supprimer R1 et R2 et d'appliquer une tension grille-source négative, soit directement (pile, ..., dans ce cas la pas besoin de Rs) ou bien une tension grille source positive (ou alternative pour les amplis) et le FET sera polarisé par l'intermédiaire de Rs qui maintiendra la source a un potentiel positif par rapport a la masse et Vgs sera négative.
En fait je ne connais pas la différence entre les FETs et les JFETs. Je veux bien que tu me l'explique.
Penses tu que mon montage sans R1 et R2 fonctionnerait?

Merci d'avance

[curieuxdenature]

en fait les 2 montages sont valables mais sans R1 c'est plus courant.
L'impédance d'entrée d'un JFet est très élevée, le courant de gate est si faible que R1 de 10 Mégohms est courant. R2 ne peut servir qu'à augmenter la valeur de la tension aux bornes de Rs, ça peut servir...

Sinon, non ce n'est pas plus simple de faire comme tu dis, au contraire avec Rs on obtient une polarisation automatique, comme pour les lampes. Ce qui n'est pas constant c'est bien la tension de pincement d'un Fet à l'autre, il y a beaucoup de dispersion, ça complique la reproductibilité des montages, donc l'échange d'infos.

A part ça, tous les Jfets sont des F.E.T, des transistors à effet de champ, leur puissance est faible, ça tourne autour du Watt comme les transistors communs. La plupart des JFets sont des NFet, canal N parce que les P ont des caractéristiques en fréquence lamentables pour la même construction.

Ensuite il y a les MOSFet, la difference avec le JFet c'est qu'ils fonctionnent comme les transistors de même type, les N ont le positif sur la gate, les P le négatif. Le courant commandé atteint facilement 10 ampères.

Il y a aussi les BiFets comme le vieux BF960 qui est un MOSFet à 2 gachettes. Il sert dans les amplis F.I., la gate N°2 sert souvent de C.A.G. en lui appliquant une tension de 0 à environ +5/6 Volts.

[A voir en vidéo sur Futura]

[invitea250c65c]

Merci,

Ca y est j'ai bien compris pour les Jfets: les FETs sont des transistors a effet de champs. Dans cette famille on trouve des Jfets, des Mosfets, des Bifets.
Moi en effet ce sont des Jfets.
J'ai essayé un montage sans R1 et R2 et en effet ca marche pas mal.
Pour calculer le courrant grille (supposé théoriquement a 0), j'ai placé une résistance de 10Mohms en série avec la grille. J'ai alors trouvé 0.9mV aux bornes de cette résistances, ce qui correpond a un courrant de 90pA, ca va ca fait pas beaucoup . Ca doit etre bien pratique pour eviter d'amortir des circuitr oscillants et d'autres choses comme ca.
par contre dans mes essais, en déconnectant la grille, un courrant drain circulait quand même (qq mA, ce qui n'est pas négligeable dans ce cas la). Je ne sais pas si c'est normal mais ca me parait curieux, car avec une transconductance de 4mS, ca correspond a une tension grille source de -1V.
Est ce normal? je vais refaire d'autres essais pour voir.

Encore merci.

[invitea250c65c]

Bonsoir,

J'ai réessayé et ca donne tjr la même chose, j'ai environ 4-6mA (Ids) pour Rd=Rs=1Kohm et sans relier la grille a rien. La transconductance est d'environ 6mS. C'est bizzare normalement sans Vgs on a Id=0 non?

Et puis sinon au niveau du calcul ce qu je ne comprend pas c'est coment on connait Ugs, car on connait Ug (le signal appliqué a l'entrée), mais pas Ugs (car entre la source et la masse il y a une résistance qui provoque dc une chute de tension), et sans Ugs on ne peut connaitre Id, ...

Merci d'avance

[curieuxdenature]

Bonjour Electrofred

c'est normal, si tu laisse la gate en l'air, elle recupère les courants parasites qui se trouvent un peu partout aux alentour du montage.
Rien que tes vétements qui frottent provoquent une DDP, et comme le courant necessaire au JFet est très faible, c'est suffisant pour voir des effets erratiques.
Il est donc necessaire de fixer la tension de la gate à une valeur moins variable. R2 est donc obligatoire.
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Connaitre Ugs par rapport à Ids est un vrai casse-tête, il faut y aller par approches successives, c'est du boulot pour un ordinateur ça.
Tu as téléchargé le programme ?
Avec un 2N3819 il y a plus de 10 000 itérations pour parvenir au résultat !
C'est un outil bien pratique...

[invitea250c65c]

Bonjour et merci,

J'ai télécharger le programme mais je n'arrive pas a l'installer sur l'ordi, quand je l'ouvre tout se ferme.

Bien compris pour R2, en effet j'ai calculé qu'il falait 100pA a la grille pour avoir -1Vgs, alors il suffit en effet d'un rien de courrant Ig pour faire débiter du courrant Id.

Sinon voila c'est ca mon gros pb c'est qu'une fois que j'ai Vgs j'ai Id (avec la transconductance, y'a juste une multiplication a faire), mais sinon ca m'a l'air de ne pas etre possible.

N'y a t il aucune autre solution?
Dans ce cas la c'est impossible?

Merci d'avance

[curieuxdenature]

La transconductance varie beaucoup avec Id, ce qu'il te faut c'est une courbe de caractéristiques du JFet en question, mais elle ne sera valable que pour ce transistor.

A part le traceur de courbes de caracteristiques je ne vois pas comment s'en sortir.

Bon, j'ai téléchargé le programme, après le dézippage j'obtiens 3 fichiers, et je l'ai installé avec setup.exe, sans aucun problème.
Voilà un résultat:

[invitea250c65c]

Bonjour et merci,

J'ai réussi a installer le logiciel et ca marche.
Mais je me demandais comment faisaient les gens avant, quand ils ne disposaient pas de ce genre de logiciels?
Je pense particulierement a la radio ou le FET est régulierement employé.
J'ai trouvé ceci sur internet:
http://perso.orange.fr/f6crp/elec/index.htm (rubrique FET)
Mais apparamment je ne vois toujours pas comment il est possible, même pour un ordinateur, de résoudre ca, en fait c'est une équation a 2 inconnues:
Id=-gm*Ugs, (avec gm la transconductance)
Sachant que l'on ne connait pas Id, ni Ugs (on connait Ug (la valeur de la tension alternative d'entrée), mais pas Us (car on ne connait pas Id qui depend de Ugs ...).
C'est comme la formule que tu m'as donné, on ne peut pas connaitre Id car Ugs intervient ds la fomule.
Avec ces équations, je peux tracer des courbes, mais en fait le pb c'est que je ne peux pas imposer une valeur Ugs a mon FET, je lui impose une valeur de Ug seulement, et j'immagine que de cette valeur dependra Ugs et donc dependra Id.

Est ce que ca tient la route?

Merci d'avance.

[invite5637435c]

Bonjour et merci,

J'ai réussi a installer le logiciel et ca marche.
Mais je me demandais comment faisaient les gens avant, quand ils ne disposaient pas de ce genre de logiciels?
Je pense particulierement a la radio ou le FET est régulierement employé.
J'ai trouvé ceci sur internet:
http://perso.orange.fr/f6crp/elec/index.htm (rubrique FET)
Mais apparamment je ne vois toujours pas comment il est possible, même pour un ordinateur, de résoudre ca, en fait c'est une équation a 2 inconnues:
Id=-gm*Ugs, (avec gm la transconductance)
Sachant que l'on ne connait pas Id, ni Ugs (on connait Ug (la valeur de la tension alternative d'entrée), mais pas Us (car on ne connait pas Id qui depend de Ugs ...).
C'est comme la formule que tu m'as donné, on ne peut pas connaitre Id car Ugs intervient ds la fomule.
Avec ces équations, je peux tracer des courbes, mais en fait le pb c'est que je ne peux pas imposer une valeur Ugs a mon FET, je lui impose une valeur de Ug seulement, et j'immagine que de cette valeur dependra Ugs et donc dependra Id.

Est ce que ca tient la route?

Merci d'avance.

Salut Electrofred,

en fait ce n'est pas si compliqué que ça en a l'air, il faut juste écrire et poser les bonnes équations par des méthodes aussi simples que la loides mailles et la loi des noeuds.
Il y a aussi des modèles électriques équivalents comme pour les transistors bipolaires qui permettent de modéliser un FET selon que tu soit en faibles signaux ou en hautes fréquences.
De là ce n'est plus que du calcul par des méthodes classiques qui passent par le modèle de Thévenin ou de Norton, ou par les théorèmes de Kenelly et Millman ainsi que Kirchoff.
Ceci fait partie de l'électrocinétique domaine de l'étude du comportement des circuits.
Une fois ces théories acquises, tu peux facilement aborder tout types de montages.
Une simple calculette suffit quand on connait ces méthodes d'analyses.

[curieuxdenature]

Bonjour Electrofred

en fait t'as tout compris, mais c'est encore plus compexe que ça...
Ids varie aussi avec la tension Uds appliquée entre le drain et la source !

Avec un ordinateur ou une calculette programmable, on calcule Ids en cherchant la tension Us aux bornes de Rs qui égalisera celle Ugs.
On fait des boucles de calculs en sachant que Vp, la tension de pincement oblige le FET à Ids = 0 et aussi que l'intensité de saturation de drain, Idss est obtenue avec Ugs = 0 V. La bonne valeur se trouve forcément entre les deux...

Quand Us et Ugs sont pratiquement égaux, on sort de la boucle, les valeurs sont mémorisées par cette sortie.

[invitea250c65c]

Bonjour et merci,

Hulk 28, pourrais tu me donner un exemple s'il te plait, car je vais essayer mais je ne suis pas sur de réussir. Je vais essayer de modéliser le circuit comme tu me l'as dit puis d'appliquer les lois, mais je ne connais pour l'instant que Kirkoff et Norton.
Sinon en fait le pb c'est que Id varie avec bcp de parametres.
Je vais vous faire un schéma faire des calculs vous poster ca avec les calculs et faire des essais sur plaque.

Des que c'est pret je vous poste ca.

[invitea250c65c]

Bonjour,

Voila j'ai commencé mais je suis bloqué au niveau du continu: j'ai fait l'analyse en alternatif de l'entrée du montage (en fait j'ai juste considéré une resistance grille-source égale a + infini et dc trouvé Ugs (alternatif)=Uentrée et Zentrée=R1).
Maéis au niveau du continu, je ne vois pas cmt faire, je sais juste que Ug continu=0, donc que Ug varira de +Eracine2 a -Eracine2 ce fera un ampli sur des demi-alternances.
Y-a-t-il une erreur dans le schéma?
Je sais qu'il existe un autre schéma ou l'on rajoute une R entre l'alime (le +) et la grille, mais ca rend la grille d'autant plus positive par rapport a la masse, alors que l'on veut une tension grille source négative.

Voila, merci d'avance pour vos réponses, je vais revoir ca et je vous dirai si je trouve autre chose.

[invitea250c65c]

Non en effet il n'y a pas d'erreur dans le schéma parce que la source est reliée a la mase (pour l'alternatif) par un condo et dc son potentiel varie de part et d'autre de la valeur négative Ugs).
Mais je ne vois tjr pas cmt faire pour le continu; j'ai essayé de poser l'égalité:
-gm*Ug=Idss * ( 1 - (Ugs / Vp))^2 (=Id)
Et d'en extraire Ugs mais ca n'a rien donné (c'est assez complexe et je suis tomber sur 1= qqch, enfin les Ugs s'étaient annulés).
Je ne sais pas si c'est comme ca qu'il fallait s'y prendre, qu'en pensez vous?
Curieudenature, tu me dis que Id varie aussi avec Uds, je dois en tenir compte a quel niveau ds mes calculs?

Merci d'avance.

[curieuxdenature]

Bonsoir Electrofred


avec qui est un paramètre propre à chaque jFET, positif, qui produit une augmentation faible du courant de Drain qui varie en fonction de la tension Drain-Source.

Pour le 2N3819 Lambda est égal à 0.00225 ça ne fait varier l'intensité que de quelques µA par Volt mais c'est effectif.

Vu la faible variation, tu peux la négliger dans un premier temps et ne retenir que l'autre équation.

Pour connaitre la tension Vs aux bornes de la R de source Rs, c'est une bête application de la loi d'Ohm, Vs = Ids * Rs

Tu dois y aller par approches successives.
Tu connais Rs, Vp, Idss, il faut que Vgs soit comprise entre 0 Volt et Vp la tension de pincement.
D'autre part, Vgs ne doit pas dépasser Vs, en fait, ces 2 tensions divergent l'une vers l'autre.
A un moment donné des calculs, Vgs sera égal à Vs.
Là, t'as gagné, tu arrêtes.

Malheureusement, je ne connais pas la fonction de transfert qui permet de calculer ça en une seule passe.
Si quelqu'un la connait, je suis preneur.

[invitea250c65c]

Bonsoir et merci,

Ah oui d'accord c'est bien compris pour les approximations sucessives. J'immagine qu'apres on peut verifier tout ca avec la transconductance du JFET: si on trouve Id=-gm*Ugs, c'est que c'est bon. J'immagine qu'on ne doit pas trouver pil poil le même résultat avec la transconductance, parce que celle ci n'est pas un parametre tres fixe des FETs.

Je ne sais pas si c'est une bonne idée, mais pour connaitre Vgs directement, il faudrait poser une égalité et essayer d'extraire Ugs pour obtenir Ugs= .... .
Par exemple, on pose:




Et a partir de la, ca doit etre possible d'extraire Ugs et on n'a plus Id qui rentre en compte dans l'égalité (je n'ai pas tenu compte ici du parametre Uds dont tu m'a parlé tt a l'heure).

Enfin j'ai essayé de résoudre ca, mais y'a des carrés qui viennent s'ajouter un peu partout et je n'ai pas eu le temps de finir.
Je vais continuer, pour voir ce que ca donne.

Encore merci, je vais pouvoir commencer les exemples pratiques.

[curieuxdenature]

En programmation, c'est difficile de résoudre sous forme d'équations, c'est pour ça que je pratique ainsi, mais si tu veux la méthode:
on met
sous la forme


sachant que a = Rs * Idss
et que le resultat, x est égal à Us / Vp, on multiplie x par Vp et on a les 2 racines, on ne retient que celle qui est la plus proche de 0.

J'ai vérifié avec 5 ou 6 FET et ça colle à moins de 5% près, étant donné qu'on ne tient pas compte du facteur Lambda.
Bon courage.

[invitea250c65c]

Bonjour et merci,

En effet ca doit etre bien plus rapide fait a l'ordi, mais je prefere attendre de dominer mieux la chose pour m'y mettre (comme ca ca m'entraine).
Donc en fait, ca marche parce que l'on rentre Us=Ugs (on considere Ug=0, dc Ig=0), pour avoir une bonne polarisation.
Donc dans mon schéma il faut que je tienne compte de la tension maxi ("la plus positive") d'entrée, soit e et fixer Us a cette valeur (plutot un peu au dessus, car on a supposé Ig=0, mais avec des R entre la grille et la masse de gde valeur, on peut avoir qq mV parasites). Est ce bien ca?

J'ai fait qq essais sur plaque, mais j'ai encore un peu de mal a bien déterminer Id par le calcul, car je ne dispose que d'un seul type de jFET: le BF245B, et il est inscrit que Idss varie entre 6 et 15 mA et que Vp varie entre -0.5 et -8V (la l'écart est quand même pas mal).
En fait par cette formule la c'est pas tres precis dans la mesure ou Idss et Vp ne sont pas precis non plus. Mais moi j'y suis allé un peu au pifometre pour mes premiers essais, j'ai mesuré Ugs=0.78V et Us=0.8V, c a d 20mV "parasites" sur la grille (R de 1Mohm entre la grille et la masse). j'ai mesuré aussi toutes les tensions et courrants en alternatif et continu, et je vais essayer de retrouver ca par le calcul.
Il faut quand même que je revoie bien tout ca, mais ca commence a rentrer, même s'il faut que je m'exerce encore un peu pour mieux maitriser ces bebetes .

Merci pour tout, je te tiens au courrant de mes futurs essais (et/ou pb mais j'espere pas).

[curieuxdenature]

Salut Electrofred

Pour le BF245B, Vp est un peu moins large que ça, ça varie entre -1.6 et -3.8 V
et Idss entre 6 et 15 mA
Le programme est juste une aide pour dégrossir le choix, ou pour aider à résoudre un exercice de cours où on a un gros doute, ca évite de se planter grossièrement.

En prenant un minimum de précautions, méfies toi car la gachette des FET est sensible aux décharges electrostatiques, il te suffit de choisir une resistance de source qui n'aille pas au dessous de 330 ohms pour être dans la plage de fonctionnement correcte.

Pour la mise au point tu peux prévoir un ajustable en série avec Rs. Quand tout marche, tu mesures l'ensemble et tu le remplaces par une R unique.

[invitea250c65c]

Bonjour et merci,

J'aurais encore une question mais cette fois ci plsu générale: lorsque que l'on fait ce genre de montage, l'impédance de la charge pour laquelle le rendement (P dissipée dans la charge) est maxi correpond a Rd (ou Rc dans le cas de transistors bipolaires). Donc, si je prends Rcharge=Rd (ou Rc), j'aurais une puissance maximale dissipée dans la charge. J'aurais donc la moitié de la tension aux bornes de Rd (ou Rc), et l'autre aux bornes de la charge et du drain source Rs (ou collecteur, emetteur et Re) (car ces 2 ensemblmes sont en //). Pour le courrant, il passe completement dans Rd (ou Rc) en plus du courrant continu de polarisation, et se divise ensuite entre la charge et drain source Rs (ou collecteur emetteur Re). Donc drain cource Rs se comporte comme une résistance en // a la charge (de valeur Uds/Id, ou Uce/Ic). Pour ne pas perdre de puissance dans le transistor, je dois me debrouiller pour que cette R soit la plus grande possible. Seulement, je ne peux pas avoir plus de courrant qui circule dans la charge que de courrant qui circule dans cette résistance moédlisée. Je dois donc avoir, pour un rendmeent maxi Rd=Rcharge=Rdrain/source (ou bien Rc=Rcharge=Rcollecteur-emetteur). Ainsi, j'aurais au final la moitié de la puissance dissipée dans Rd (ou Rc) (U/2*I), et la moitié de ce qui reste dans la charge (l'autre dans le transistor) (U/2*I/2 (car l'autre moitiée du courrant est absorbée par la résistance en // sur la charge).
Ce qui me fait au final un rendement maxi de 1/2 de 1/2 soit 25% dans la charge.
Est ce bien ca?
Sans compter qu'en plus on a un courrant continu de polarisation pour le transistor, qui doit lui etre égal a au moins 2Umax (pour faire varier la tension alternative a des valeurs tt le tps positives dans le cas du bipolaire).

Pour augmenter le rendement, on peut utiliser une inductance de résistance=0 (théoriquement), mais j'immagine que pour avoir un rendement max en alternatif, l'impédance de cette inductance doit etre égale a l'impédance de la charge. Est ce bien ca?
Mais je ne vois pas en quoi cette solution est avantageuse, car elle ne produit aucune chute de tension continue aux bornes de celle ci (R=0), d'accord, mais en revanche l'alternatif lui peut produire yune chute de tension, ce qui nous donne bien U/2 aux bornes de L et U/2 aux bornes de la charge, puis I/2 dans le transistor et I/2 dans la charge --> on a tjr 25% max de puissance dans la charge.
Je suis d'accord que l'on dispose ainsi de plus de tension drain (ou collecteur), mais xca n'améliore pas le rendement en alternatif du montage.
Sinon avec le transfo a la place de Rd (ou Rc), la je suis d'accord que le rendement peut atteindre 50%.

Est ce que tout ca est juste.
En fait je visualise et comprends bien la chose, mais c'est au niveau de l'inductance, du pt de vue du rendement (P dissipée dans la charge est la même mais plus de tension dispo (continue) au transistor) que je ne suis pas sur, car j'ai lu que "avec une inductance en série dans le circuit collecteur (ou drain), on améliorait le rendment d'un tel montage (ce n'était pas précisé quelle valeur elle devait avoir, moi que pense que ZL=Zcharge, mais la aussi ce n'est qu'une supposition).

[curieuxdenature]

Bonjour Electrofred

Utiliser une inductance est interressant pour le rendement parce qu'elle ne consomme pas de puissance à ses bornes, tu l'as compris.

L'autre avantage c'est que le rendement est bien de 50% et non 25%.
Avec une inductance, on peut lui donner une impédance bien plus élevée que la charge de sorte à la rendre transparente en quelque sorte. Cela n'empêche pas le courant continu de la traverser mais la charge n'est plus partagée comme dans le cas d'une resistance en // avec la charge.

Ex: si Zl = 100 K, et Rc = 1K, la charge réelle est de 1 K.
Le couplage entre les 2 se fait par un condo.
Si tu voulais remplacer Zl par une résistance, tu devrais obligatoirement lui donner environ la même valeur que Rc, et là, le rendement tomberait à 25% maxi, 50% dans T et 50% répartie dans chaque R.

[invitea250c65c]

Avec une inductance, on peut lui donner une impédance bien plus élevée que la charge de sorte à la rendre transparente en quelque sorte. Cela n'empêche pas le courant continu de la traverser mais la charge n'est plus partagée comme dans le cas d'une resistance en // avec la charge.

Ex: si Zl = 100 K, et Rc = 1K, la charge réelle est de 1 K.
Le couplage entre les 2 se fait par un condo.
Si tu voulais remplacer Zl par une résistance, tu devrais obligatoirement lui donner environ la même valeur que Rc, et là, le rendement tomberait à 25% maxi, 50% dans T et 50% répartie dans chaque R.

Bonsoir et merci,

Mais quand je parle de résistance en // avec la charge, je veux parler du transistor: en fait pour moi le tout se comporte comme une source (qui est la pile) qui débite (grace au transistor qui fait varier sa résistance collecteur-emetteur et donc fait varier le courrant consommé a la source continue) dans une résistance (Rcollecteur). Cette résistance est en serie avec le transistor (jonction emetteur collecteur) qui est elle même en // sur la charge. Donc si l'on place une inductance a la place de la résistance collecteur et que son impédance est grande, elle empechera le courrant alternatif de passer dans la charge et dans le transistor.
Mais apparamment, il faut considerer le transistor comme une source de puissance, qui envoie d'une part sa puissance dans R(ou L) collecteur, et d'autre part dans la charge.
Est ce bien ca?
Dans ce cas, pourquoi dit on que l'impédance optimale de sortie est égale a Rc?

Merci d'avance.

[curieuxdenature]

Bonsoir et merci,

Mais quand je parle de résistance en // avec la charge, je veux parler du transistor: en fait pour moi le tout se comporte comme une source (qui est la pile) qui débite (grace au transistor qui fait varier sa résistance collecteur-emetteur et donc fait varier le courrant consommé a la source continue) dans une résistance (Rcollecteur). Cette résistance est en serie avec le transistor (jonction emetteur collecteur) qui est elle même en // sur la charge. Donc si l'on place une inductance a la place de la résistance collecteur et que son impédance est grande, elle empechera le courrant alternatif de passer dans la charge et dans le transistor.
Mais apparamment, il faut considerer le transistor comme une source de puissance, qui envoie d'une part sa puissance dans R(ou L) collecteur, et d'autre part dans la charge.
Est ce bien ca?
Dans ce cas, pourquoi dit on que l'impédance optimale de sortie est égale a Rc?

Merci d'avance.

Salut Electrofred

si tu remplaces Rc par une inductance adéquat (par exemple 10 ou 100 mH) l'impédance de sortie d'un montage en emetteur commun sera égale à 1/h22, soit en théorie = h11/h21.

En pratique ça donne environ 100 / Ic
Avec un Ic de 4 mA tu comptes sur 20 K pour Zc si Rc est remplacée par une inductance, je le répéte.

[monnoliv]

Discussion intéressante.
Si cela peut vous aider dans votre discussion:
http://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_JFET
A+

[curieuxdenature]

Bonjour et merci Monnoliv pour le lien

pour revenir à l'impédance de sortie d'un montage emetteur commun, dont Electrofred parle, on peut faire une simulation en remplaçant la resistance de collecteur par une self de 1 H pour voir.

Dans le 1er cas le gain est de 34,964 dB (56) et dans le 2eme, le gain en tension monte à 41,129 dB (114).

C'est plus du double, pour une bande passante sensiblement la même. Ce qui montre bien que l'impédance de sortie du transistor seul est bien plus élevée que la resistance de polarisation placée dans le collecteur, Rc.

Dans le 1er cas, dans le bilan des charges on doit mettre Rc en // avec la Charge utile, alors que dans le 2eme, Zc devient négligeable. Le rendement passe de 25 à 50% (presque).

Dans le 1er cas, la resistance de charge est optimum si elle est égale à Rc. Dans le 2eme, on peut baisser de moitié la R de charge en gardant un gain légérement supérieur au cas 1. Ya pas photo.

[invitea250c65c]

Bnjr et merci,

Ca y est j'ai compris j'essayais de modeliser le transistor en fait et j'avais un pb.
En fait la jonction emetteur collecteur ne se comporte pas comme une résistance de valeur R=Uce/Ic, car tout le monde sait que dans un transistor bipolaire, qd Uce augmente ou diminue, ca ne change (presque) rien a Ic.
Donc le transistor n'est pas assimilable a une résistance mais a une source a courrant constant, et ce peu importe la tension a ses bornes (tant que le transistor fonctionne en regime linéaire).
Mais, le courrant Ic n'est pas créé par le transistor, il lui arrive de la source.
Le transistor "réclame" ce courrant, mais cela autrement que par le moyen d'une résistance qui varie au cours du tps avec les variations de Ib.
C'est en fait ca que je ne comprends pas bien et qui m'a posé tant de pb, c'est que la jonction emeteur collecteur ne se comporte pas comme une résistance.
Mais par quel moyen le transistor réclame un courrant variable a la source de tension? Je me doute que c'est qqch qui s'apparante a mon idée de résistance qui varie au cours du tps, mais je ne vois pas trop quoi.

Merci d'avance.

[curieuxdenature]

Bonjour Electrofred

La jonction se comporte bien comme une résistance, mais l'impédance c'est la variation de la tension par rapport à la variation d'intensité.

on parle du paramètre h22 pour désigner la pente (on dit aussi 's') du transistor en mA/Volt, c'est son inverse qui s'apparente à une résistance.

La pente ne dépend pas du transistor, mais d'un paramètre physique en q/kT.

En théorie s = 38,5 Ic pour les Tr, il dépend de ces fameux 26 mV qu'on connait bien et qui sont liés au doublement de l'intensité admis dans la base pour chaque 26 mV d'augmentation de tension. (38,5 = 1/26mV)

Ce paramètre dépend donc uniquement de:
la technologie employée (Si, Ge ou AsGa),
l'intensité de collecteur,
la Température.

Pour ce qui est de la resistance de sortie du Tr, il ne faut pas la confondre avec l'inverse de la pente qui est la resistance de la jonction série du Tr. On se sert de cette dernière aussi comme résistance à comptabiliser dans les calculs. Elle est de l'ordre de quelques dizaines ohms seulement.

Par contre, cette fameuse impédance de sortie est une conséquence de la variation de la pente quand la tension de collecteur change.
Elle correspond à environ 110 V / mA, ce qui fait 110 000 ohms, ça n'est pas la même echelle...