Bonjour,
Je bute sur un exercice tout bête sur les diodes. Voici l'énoncé :
"Une diode au silicium présente un courant inverse de 5uA à 25°C (Iinv25) et 100 ua à 100°C (Iinv100). En déduire les valeurs du courant de saturation et du courant de fuite à 25 °C."
Pour le résoudre, j'ai procédé de la façon suivante. Le courant de fuite (IFS) de change pas avec l'augmentation de la température. J'ai donc posé le système d'équation suivant :
Iinv25 = Isat25 + IFS
Iinv100 = Isat100 + IFS
On a donc deux équations et 3 inconnues. Or on connait la relation entre Isat25 et Isat100 : Isat100 = Isat25*27*1.075 (la température augmente de 75°C)(formule tirée de mon bouquin d'électronique dont est également tiré l'exercice)
On peut donc résoudre le système d'équations et je trouve Isat25 = 0.53 uA. Cela ne correspond pas du tout à la réponse du livre qui est de 10 nA, mais je ne vois pas comme ils arrivent à ce résultat..
Si vous avez des pistes, je suis preneur.
Cordialement,
Loïc
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