Transistor a effet de champ

[Neo]

Bonjour,
Mon objectif étant qu'avec ce dipôle je puisse modifier la durée de la période -15V sans changer la durée de la période +15V

C'est alors dans cette optique que je me suis renseigné sur les transistors et les mosfets grâce au document dont je vous ai mis le lien mais je ne suis pas sûr de bien le comprendre et donc ne sais pas s'il pourra m'aider dans la réalisation de mon objectif.

Afin de savoir quelles résistances ajouter en série du MOSFET pour changer la période basse du créneau.
J'ai essayé d'étudier un MOSFET IRF530 mais mes résultats ne m'ont pas l'air convaincant...
Je vous ai mis ce que j'ai fait en PJ
Serait-il possible de m'expliquer pourquoi j'obtiens ces curieux résultats (une pente négative pour Vds(i) ...)

Pourriez-vous aussi me parler du comportement résistif du MOSFET et m'indiquer comment je pourrais faire l'étude de celui-ci en fct du signal à la gate ?

En vous remerciant d'avance,
Cordialement
https://emse.fr/~dutertre/documents/...s_MOS_2021.pdf
Circuit.jpeg
Graphe Vds(i).png
Tentative d'étude.jpg
-----

[antek]

Comment est inséré le nmos dans le schéma ?
C'est un simulateur qui te donne ce résultat Vds=f(Id) ?

[bibifikotin]

Bonjour, Moi je ne voit pas un "effet de champ" mais un "ampli" alimenté par une tension positive et une négative (15v) ce qui est assez commun.
C'est à l'entrée (gate) qu'il faut appliquer les différents durées de demi période choisie.
Du moins je le vois de cette façon
Bonne journée

[Pascal071]

bonjour

Néo veut utiliser un Fet à la place du potentiomètre R2.
ce n'est pas une bonne idée, plutôt décharger C1 par un générateur de courant commandé par tension.

les valeurs des résistances sont bien trop faibles.

[A voir en vidéo sur Futura]

[Neo]

Bonjour,
merci pour vos réponses, je me rend compte que je n'est pas était assez précis.
Je vous rajoute donc un circuit plus complet, mon but et de faire un détecteur de pluie variable.
La partie de gauche sert donc de temporisation (si la sortie est en +15V et il y a des gouttes sur la cellule alors le moteur
tourne pour nettoyer la cellule pendant un cours instant qui correspond a la durée du créneau haut et poursuit le nettoyage de la cellule jusqu'au bout
par un un système constitué de relais et de micro switch non représente ici qui permettent un nettoyage complet sans que l'essuie glace ne reste coincé au milieu de la cellule).
Je voudrais donc pour le rendre variable qu'en fonction d'un signal arrivant à la borne supérieure du bloc 1 (qui serait un genre de mosfet ou jfet) la période basse du créneau varie.
Afin de regarder l'état de la cellule plus souvent si il pleut plus.
Cette tension peut soit directement être prise aux bornes de la cellule mais ce n'est pas très précis soit à l'aide d'un pont de Wheatstone
dont la tension serait une image beaucoup plus claire du nombre de goutte sur la cellule.
Mon problème est que je ne connais pas très bien les transistors à effet de champ et comment étudier la caractéristique qui m'intéresse afin d'avoir un calcul précis.
En vous remerciant, cordialement.
Etude_IRF530.jpg
Circuit_complet.jpg
Pont de Wheatstone.jpg

[Pascal071]

L'idée de varier la vitesse par résistance de l'eau n'est pas fonctionnel avec le capteur décrit.

Le capteur fonctionne en tout ou rien:
exemple pluie fine:
capteur mouillé -> résistance faible -> impulsion essuie glace
l'essuie glace passe: capteur sec ou presque -> arrêt essuie glace en fin de course
ceci est un fonctionnement normal, si le capteur reste mouillé, l'essuie glace cadence sans arrêt.

Les essuie glace automatiques de nos automobiles modernes ont un fonctionnement plus subtil: https://www.guillaumedarding.fr/imag...r_de_pluie.jpg
La vitesse est fonction de la force de la pluie.

à noter qu'un capteur à pistes en "râteau" comme dessiné est très vite sujet à corrosion, et donc seuils instables dans le temps.
pas besoin d'oscillateur, mais seulement une interface pour déclencher le moteur (via un relais) lorsque la cellule est mouillée (résistance faible).

[Neo]

Merci pour votre réponse,
Néanmoins g mesuré en faisant varier la quantité d'eau sur la cellule une résistance allant de 22kohm a 62kohm.
Cette échelle de mesure me semblais donc assez large pour avoir une idée claire de l'état de la cellule.
Je me demandais donc si vous pourriez m'expliquer pourquoi cela ne marcherai pas y compris si je remplace l'une des résistance d'un
Pont de Wheatstone par la cellule pour utiliser la tension V1 présente sur mon document : Pont de Wheatstone.jpg
à la gate du mosfet.
Merci, Cordialement

[Pascal071]

bonsoir

les valeurs relevées sont inexactes, car 62k c'est si le capteur est encore humide, alors que le pare brise est déjà sec.
une fois le capteur complètement sec, sa valeur va être infinie.
sortir une tension avec ces valeurs va être peu fiable.

pourquoi le FET ne va pas fonctionner en remplacement de R2:

- un mos est fait pour commuter, pas pour fonctionner en mode linéaire.

- le circuit étant oscillant, le FET n'aura pas un potentiel fixe sur G ou S, donc impossible de lui assigner un potentiel G-S stable.

- le schéma en post #1 fonctionne en + et - 15V: est ce disponible sur l'équipement en question ?

proposition de schéma:

- lorsque la sortie de U1 est à 12V:
le relais est actif
C1 se charge par R9-D2
le capteur n'est pas alimenté car Q3 est bloqué

- lorsque la sortie de U1 passe à 0V:
le relais est inactif
Q3 est saturé et alimente le capteur
le capteur alimente en tension le générateur de courant Q2-R8, courant fonction de la résistance du capteur (ajustable par R1)
ce courant décharge C1
puis nouveau cycle

[Neo]

Bonjour,
en effet 62k est une valeur pour une cellule encore très legerement humide mais ce n'est pas un probleme dans le pont de wheatstone dont g joint un fichier ou je comptais remplacer R1 par la cellule,
mais effectivement le potentiel en S ne sera pas fixe donc cette maniere est sans doute mauvaise.
Néanmoins j'aimerais toujours comprendre comment faire l'etude d'un transistor a effet de champ et particulierement sa zone ohmique et savoir pourquoi mon etude n'a pas marché,
d'ailleurs le graphe que g donné est un simple représentation des mesures mais il n'est pas issue d'une simulation.
Cordialement

[antek]

. . . comment faire l'etude d'un transistor a effet de champ et particulierement sa zone ohmique et savoir pourquoi mon etude n'a pas marché,

Le document que tu as présenté #1 me semble suffisant.
Par ailleurs je n'ai pas vu de schéma avec le MOSFET.

[Pascal071]

bonjour

exemple avec un Nmos petite puissance, 2N7000,
on voit qu'il commence à conduire à partir de 2,5V (cette valeur va varier avec la température).
pour s'en servir à (dé)charger le condensateur, il faudra travailler dans la partie basse de la courbe, assez variable.

[Pascal071]

l'IRF 530 est conçu pour travailler avec de forts courants Drain (20A max!)
tu remarques bien que la variation d'impédance DS est forte autour du Vgs de seuil Vgs(th), ici env. 3V
comme le montre ta feuille "tentative d'étude" entre 2,8V et 3,1V
les Nmos ne sont pas conçus pour travailler en mode linéaire, mais en commutation.

pour travailler avec de faibles courants, comme pour décharger le condensateur,
il faut utiliser un générateur faible courant, comme Q2 au post #8, commandé lorsque la sortie de l'AOP est à 0V.