Salut a tous!!
j'ai un petit probleme de semiconducteur.
Je ne comprends pas comment l'energie de fermi d'un semiconducteur peut se situer dans le gap, alors que cette energie est definie comme l'energie de l'electron le plus energetique a T=0K et que par definition, il n'y a pas d'electron dans le gap....
J'ai trouve une reponse (http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu.../fermi.html#c2) qui me dit que l'energie de fermi se calcule sans tenir compte des bandes interdites, mais les distributions d'electrons, elles, en tiennent compte. Ce qui a premiere vue, me repondait.
Mais....
Si l'energie de Fermi est a mi-chemin entre la bande de valence (BV) et celle de conduction (CB) (cas du semiconducteur), lorsque l'on tient compte des bandes interdites pour distribuer les electrons, ou partent ceux qui theoriquement etaient dans le gap???? Ils devraient arriver dans la CB, ce qui permettrait la conduction et me ferait perdre mon cote semiconducteur....![]()
Ou est l'erreur?
(je suis sur qu'il y a une explication simple, mais vraiment je vois pas.....)
Merci a tous pour votre aide.
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). Mais cette définition n'est PAS la plus générale qui est finalement celle que je viens de te donner. A partir de ce moment là tu calcules simplement la probabilité que les niveaux d'énergie dans tes bandes soient occupés à l'aide de la distribution de Fermi-Dirac mais il n'y a donc aucun niveau d'énergie dans le gap. Quand à tes électrons du semi-conducteur, ils y en pile poil le même nombre que d'états dans la bande de valence pour un semi-conducteur intrinsèque (donc tes électrons que tu voyais théoriquement dans le gap, ben y en a pas...). Pour un extrinsèque, il y en a en plus ou en moins mais bon là c'est des détails.
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