Bonsoir,
Je bloque sur l'interprétation physique des spectres obtenus lors d'un TP de photoluminescence ("Caractérisation optique d'hétérostructures de semiconducteurs").
On a un échantillon (refroidi à 80K) que l'on excite avec un laser à 532 nm, et au bout on a un spectromètre qui (après des longs réglages) nous indique 3 pics correspondant à 3 puits quantiques (cf. pièce jointe).
Seulement, j'ai du mal à relier ces pics à la structure de l'échantillon, structure nous étant donnée :Comment relier ces informations aux pics que l'on a (cf. graphe ci-dessous) ? J'ai trouvé deux "formules magiques" :Structure de l'échantillon installé dans le cryostat
Il comporte en particulier 3 puits quantiques:
5 nm de GaAs dans Al_0.32 Ga_(1-0.32) As
8 nm de GaAs dans Al_0.32 Ga_(1-0.32) As
8 nm de In_0.043 Ga_(1-0.043) As dans GaAs(source, page 12)
et
Qui semblent correspondre à deux de mes pics (après l'ajustement de la température (donné au même endroit dans le pdf)).
Seulement, je ne comprends pas vraiment d'où sortent ces coefficients (formule empirique ?) et, pourquoi est-ce que la largeur du puits (5nm ou 8nm, cf. ci-dessus) n'est pas pris en compte. Si cette formule marche réellement dans notre cas, comment l'adapter pour trouver la longueur d'onde du pic correspondant au 3ème puits ?
Il me reste également à comprendre les petits pics secondaires (juste avant chaque pic). Il pourrait peut-être s'agit de photoluminescence de type II ("recombinaison exciton-phonon"), mais je ne comprends pas encore les phénomènes en jeu...
Auriez-vous des pistes ? Si vous avez besoin de plus d'informations sur l'expérience, n'hésitez pas. Merci d'avance
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