Dopage du sillicium
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Dopage du sillicium



  1. #1
    invitec14ef5d7

    Dopage du sillicium


    ------

    Bonjour,

    Je viens de refaire quelques exercices sur les dopages et j'en ai un qui me dérange un peu. En gros, on dope un sillicium avec du cuivre et on regarde comment évolue le niveau de Fermi avec ca...

    On observe que le niveau de Fermi est abaissé (c'est à dire rapproché de la bande de valence). N'est-ce pas un peu contradictoire? Ce qui me perturbe est que le cuivre est un conducteur et donc mélanger un semi-conducteur avec un conducteur devrait rendre le sillicium un peu plus conducteur, non? (Et donc avoir un niveau de Fermi plus proche de la bande de conduction au contraire =). Où est-ce que je me trompe?

    Merci beaucoup pour vos réponses

    -----

  2. #2
    invite6dffde4c

    Re : Dopage du sillicium

    Bonjour.
    Votre raisonnement n'est pas bon. Un atome isolé de cuivre n'est pas conducteur. Donc, l'effet du dopage ne dépend pas de ça. Il dépend de la configuration électronique du cuivre et de comment il "s'intègre" dans le réseau cristallin du Si.
    Le cuivre crée trois niveaux isolés à 0,52, 0,37 et 0,24 eV au dessus de la bande de valence du Si. C'est dont bien un (mauvais) accepteur
    Il est donc normal que le niveau de Fermi diminue.
    Au revoir.

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