Bonjour à tous
je désire calculer le point de repos d'un transistor NMOS.
les données :
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-
j'ai calculé la valeur demais j'arrive pas à touver
j'ai pas calculé
est ce que
ci joint le schéma du montage:
merci d'avance
si on prend la relation
Bonjour.
Regardez votre première équation: vous avez id, k, et Vth.
Qu'est qui vous empêche de calculer Vgs ?
Au revoir.
merci pour votre réponse
oui vous avez raison car le point de repos c'est l'intersection entre id(vGS) et la droite de charge
M LPFR
est ce qu'on peut négliger IG?
Re.Envoyé par achrafkaran
Oui !!!
C'est un transistor MOS, le courant de grille (en continu) est vraiment négligeable.
A+
Re
Mais la tension
Re.
Oui.
Mais la tension dépend du type de transistor N ou P et s'il est à depletion ou à enhancement.
Et dans un Jfet aussi. Il y a des Jfet N et P.
Regardez wikipedia.
A+
Re
merci pour le lien
je veux dire que puisque dans le cas du MOSFET la grille est isolé du canal donc on peut lui appliqué que ça soit une tension positive ou négative. dans le cas de l'exercice il s'agit d'un NMOS et j'ai trouvé que VGS=3.7 V!! elle est positive!!
Bonjour.
Pour créer un canal N il faut de la tension positive sur le gate.
Vous devriez lire la page de wikipedia.
Au revoir.
merci M LPFR , j'ai bien compris pourquoi Vgs est positive
s'il vous plaît, Pouvez vous me corrigé mes réponses suivantes:
toujours concernant l’exercice au début:
calcul de R':
R'=(VGS/Ip)=(3.7/10 µ)=370 Kohm
calcul de R:
on a : VGS=(R'/(R'+R))*V1==>R=(R'V1/VGS)-R'=(370K*24/3.7)-370K=2.03 Mohm
calcul de la puissance total fourni par l'alimentation et absorbé par le circuit:
P=Vdd(Ip+Id)=24(150µ+10µ)=3.84 mw
calcul de la transductance:
gm=did/dvGS=2K(VGS-VTH)=136.4 µ S
maintenant l’étude dynamique:
calcul du gain: à partir du schéma équivalent on a : V2=-RD*gm*Vgs et V1=Vgs d'où: Av=V2/V1=-RD*gm (j'ai négligé la conductance de sortie)
AN: Av)dB=20log|Av|=175.36 dB
calcul de l’impédance d'entré et de sortie:
Ze=R*R'/(R+R') et Zs=RD
pour la dernière question, je connais pas la réponse: c'est: calcul de l'amplitude maximale de la tension de sortie +la puissance maximale dissipé dans RD??
merci d'avance
Re.
Le pont de polarisation est faux. Le courant n'est pas 10 µA et la tension n'est pas 3,7 V. Changez le piles ou l'opérateur de la calculette.
Désolé, mais je n'ai pas envie de refaire le calcul.
Je vous conseille de le refaire vous-même en repartant de zéro, sans regarder vos calculs précédents. On en a des surprises.
Pour le calcul de la dynamique, regardez de combien peut évoluer la tension en sortie à partir du point de travail. La tension maximale est, évidement, 12 V et la tension minimale est quand le transistor est saturé. Pour avoir la tension alternative maximale en sortie, on choisit le point de travail juste entre les deux.
Si ce n'est pas le cas, c'est l'excursion la plus faible qui limite le maximum d'amplitude
Pour la puissance dissipée par Rd, écrivez la tension aux bornes (continu plus alternatif) élevez au carre et divisez par Rd. Puis calculez la valeur moyenne de cette expression.
A+
merci M LPFR pour votre réponse
Dans l'énoncé on a:
-
la première question était :calcul de RD et VGS pour avoir au point de repot
DOnc on remplace directement dans [TEX]i_{d}=k(v_{GS}-V_{TH})^{2} ( avec
Pour Id c'est donnée, car il me demande de calculer R et R' pour avoir
[Re.
Oui. Et alors ?
Avant et après les balises de TeX il fait ajouter des espaces. TeX ne tient pas compte des espaces dans les formules (tout ce qui est entre les balises). Donc, si vous ajoutez du texte, c'est illisible: tout est collé. Il faut ajouter des espaces "à la main" avec un backslash (\) suivi d'un espace (\ ).
A+
