Bonjour,
Je veux calculer un paramétre ''optical capture cross section''(sigma en m2) relatif aux impuretés présentes dans les semiconducteurs qui sont optiquement actifs ( ex diode cellule solaire ....).
Sigma est calculé selon le model de lucovsky (1993) selon l'equation suivante:
Sigma ( m2)= [(16*pi*hbarre*e^2) / (3*n*c)]*[ ( Ei^(1/2)*(x-Ei)^(3/2) ) /(x^3)]
hbarre= constant de Plank réduite ( h/2pi) ( J.s ou ev.s?)
Eeff/E0= un rapport de champ électrique (incident sur celui de l’impureté) (normalement c'est sans unité)
e=charge elementaire ( en coulomb c)
c=vitesse de la lumiere (m/s)
m*=masse effective de l'electron (en Kg)
Ei= Energie d’ionisation de impureté dans le semiconduteur (généralement en eV?)
n=indice de refractivité du material ( sans unité?)
x=c'est la variable de l’équation (h*nu) (en eV ou J ??)
Le problème c'est que je n'arrive pas a obtenir l’unité de la surface m2 en vérifiant les dimensions de chaque paramètre ( système M L S T). SVP si vous pouvez m'aider peut être j'ai manquer quelque chose. ci joint l'équation).
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