Bonjour mes amis,
pour les composants électroniques on dépose une couche d'isolation SiO2 sur le Silicium, on peut le faire soit par l'oxydation de Si sur le substrat Si soit en déposant une couche de SiO2 sur le support silicium.
J'aimerai savoir s'il y'a une différence entre les deux par rapport aux propriétés de la couche, j'aimerai aussi avoir plus d'information par rapport aux dépôt de SiO2 (procédé,paramétres,conditions ,...)
je vous remercie bien d'avance pour vos orientation par rapport à ce sujet.
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