TPE Loi de Moore - Processeurs
Bonjour,
Faisant une TPE sur la loi de Moore, j'aurai besoin d'informations concernant l'effet tunnel, et en particulier comment calculer la barrière d'énergie que les électrons peuvent traverser dans ce cas là, où si elle est constante, et dans ce cas là, quelle est sa valeur ?
Je vous remercie d'avance
PS : c'est relativement urgent
Edit : Pas trop compliquées les explications s'il vous plaît, je ne suis qu'en Première S
Bonjour.
Vous avez tout ce qu’il vous faut dans Wikipedia :
https://fr.wikipedia.org/wiki/Effet_tunnel
https://en.wikipedia.org/wiki/Quantum_tunnelling
Vous constaterez que c’est un peu plus compliqué que calculer la vitesse de chute d’un objet. On ne peut pas vous donner « la formule à appliquer ».
Au revoir.
Je vous remercie, mais j'avais déjà vu la page de wikipédia qui ne m'a pas beaucoup aidé n'étant pas très à l'aise avec les maths
Je crains que tu ne fasses fausse route :
- les calculs d'effet tunnel sont hors de portée (et hors de programme !!) pour un 1ère S
- le rapport entre un TPE sur la loi de Moore et l'effet tunnel ne m'apparaît pas immédiatement. Comment en es tu venu là ?
Merci de ta réponse.
Je m'en doutais. Merci de l'information en tout cas.
J'en suis venu à les rapprocher car m'intéressant de très prêt à la physique quantique, je connaissais l'effet tunnel et ce qu'il impliquait. Lorsque j'ai étudié la taille des transistors, je me suis immédiatement rendu compte qu'a cette échelle là, il y avait un risque de passage des électrons d'un transistor à un autre, ou en tout cas d'une fuite, dû à la taille de séparation de chacun d'entre eux, si on continuait de réduire leur taille pour en graver encore plus, tout en gardant la même surface du die. Le rapport avec l'effet tunnel m'a alors paru évident.
Si c'est un peu brouillon, je tenterai de te le réexpliquer dans un message plus long
Bonjour,
Bravo pour vos interrogations et votre démarche, c'est toujours bien de se poser des questions et d'essayer d'y répondre. Cependant, il faut aller jusqu'au bout et vous demander si d'autres effets peuvent perturber encore plus le fonctionnement des transistors de plus en plus petits que l'effet tunnel.
@+
Not only is it not right, it's not even wrong!
Bonsoir,
Merci de me mettre sur cette piste. Je sais que le principe d'incertitude de Heisenberg entre également en compte, je n'en vois aucun autre ....
Si vous avez d'autres indices à me donner, je suis preneur
Bonjour.
Une autre limitation est la diffusion des métaux entre les pistes qui font les interconnexions, due aux champs électriques énormes entre les connexions. Les tensions ne sont pas grandes, mais comme les distances sont petites les champs sont très grands.
Cette diffusion peut produire des courts-circuits.
Au revoir.
Bonjour,
Merci pour votre réponse complète !
Juste pour vérifier, vous parlez bien de l'électromigration ?
Je vous remercie d'avance
Il n'y a pas une histoire de rayonnement EM lorsque les longueurs d'ondes sont proche des dimensions de gravure ?Envoyé par LPFR
Re.
Oui. C’est bien ça.
Je ne vois pas de quoi parlez-vous.
A+
Je vous remercie à tous pour vos messages !
J'ai suffisamment de pistes pour développer mes recherches.
Encore merci et bonne soirée !
