Bonsoir,
Si on a un semi-conducteur, de type n de longeur infinie ,qui est éclairé d'une manière uniforme et stationnaire (sur toute sa surface), on prends l'orgine de l'axe des x à l'extrémité gauche du semi conducteur.
Je comprends par stationnaire que la derivee
de p (concentration des trous) par rapport au temps est nulle car on est en régime permanent. Donc d'après l'équation de continuité :
-(1/e) (dJ/dx)+ gp-rp =0
1) gp et rp constituent les taux de generations thermiques et de recombinaisons "thermiques" des trous ou bien ce sont les taux de génerations et de recombinaisons "due à l'eclairage" ?
2) bien qu'on a un eclairage "uniforme" on a considere dans la suite de l'exercice que dp/dx est non nulle.
Cependant, dans un autre petit probleme où on avait juste dit qu'on a considéré un semiconducteur de type n éclairé d'une façon uniforme mais de longeur finie, on a ecrit à l'état stationnaire qu'on a dp/dt = =gthermique +glumiere -R =0 sans écrire l'expression de la derivee du courant Jp par rapport au temps qui contient dE/dx et dp/dx ! Pourquoi? faut-il considérer que dp/dx=0 à cause de l'eclairage uniforme ?
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