Bonjour,
Nous réalisons un TPE 1ere sur les diodes au silicium à jonction PN.
La rédaction est presque terminée mais il reste des interrogations :
- Nous avons notre tableau de mesure (U et I) et la courbe de la relation I=f(U) mais on ne sait pas comment calculer la résistance statique de la diode . Pour la résistance dynamique on fait : dU/dI mais pour la résistance statique, U/I ne fonctionnerait pas. Est ce qu'une mesure avec un ohmetre irait elle? Sinon comment faire?
- Nous avons choisi de représenter les différents types de modélisations (+ ou - simplifiées), préciser les utilisations de chaque modélisation et expliquer pourquoi elles conviennent à ces utilisations. Cependant pour la modélisation 3 (celle ou on tient compte du seuil et de la résistance dynamique, la coube est une affine : comme ca : _/), on ne trouve pas dans quels cas elle est utilisée et pourquoi. En fait dans quel cas a t on besoin de tenir compte de la résistance dynamique?
- Pour le phénomène d'avalanche en ce qui concerne l'explication microscopique (porteur majoritaires, zone depleition....) on a des explications contradictoires quant à l'origine du courant inverse, d'ou vient il exactement?
Merci de répondre, ce serait vraiment sympa.
Arnaud
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