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[TPE] Diodes



  1. #1
    arno69

    Question [TPE] Diodes


    ------

    Bonjour,

    Nous réalisons un TPE 1ere sur les diodes au silicium à jonction PN.
    La rédaction est presque terminée mais il reste des interrogations :
    - Nous avons notre tableau de mesure (U et I) et la courbe de la relation I=f(U) mais on ne sait pas comment calculer la résistance statique de la diode . Pour la résistance dynamique on fait : dU/dI mais pour la résistance statique, U/I ne fonctionnerait pas. Est ce qu'une mesure avec un ohmetre irait elle? Sinon comment faire?
    - Nous avons choisi de représenter les différents types de modélisations (+ ou - simplifiées), préciser les utilisations de chaque modélisation et expliquer pourquoi elles conviennent à ces utilisations. Cependant pour la modélisation 3 (celle ou on tient compte du seuil et de la résistance dynamique, la coube est une affine : comme ca : _/), on ne trouve pas dans quels cas elle est utilisée et pourquoi. En fait dans quel cas a t on besoin de tenir compte de la résistance dynamique?
    - Pour le phénomène d'avalanche en ce qui concerne l'explication microscopique (porteur majoritaires, zone depleition....) on a des explications contradictoires quant à l'origine du courant inverse, d'ou vient il exactement?

    Merci de répondre, ce serait vraiment sympa.

    Arnaud

    -----

  2. #2
    Tonton Nano

    Re : [TPE] Diodes

    Bonjour

    La modélisation 3 est utilisée en régime "petits signaux". C'est assez utile lorsqu'on étudie un montage avec des condensateurs un peu partout et des transistors et ...


    L'avalanche provient d'un surplus d'énergie donnée à un électron. Il saute dans la bande de conduction et donne l'exces à un autre électron (ionisation par impact). Ca crée une autre paire électron-trou. Avec le champ électrique, l'énergie de la paire augmente et ça continue ... comme dans une avalanche.

  3. #3
    arno69

    Re : [TPE] Diodes

    Bonjour

    Merci de ta réponse.
    Cependant est ce que tu pourrais m'expliquer justement pourquoi
    La modélisation 3 est utilisée en régime "petits signaux".
    A moins que cela soit parce que :
    Comme on travaille en petits signaux, la tension du circuit est faible donc on ne paut pas se permettre de ne pas prendre en compte une résistance dynamique qui ferait chuter de manière non négligeable la tension et l'intensité du circuit
    Par contre je ne vois vraiment pas pourquoi
    C'est assez utile lorsqu'on étudie un montage avec des condensateurs un peu partout et des transistors et ...
    Si vous avez des réponses,

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