Bonjour,
J'aimerais savoir si les produits chimiques utilisés pour la gravure des semiconducteurs ont été établis de façon totalement empirique ou peuvent être déduit de certaines propriétés chimiques.
Exemple : Dans la plupart des publications, l'InSb est gravé par des mélanges d'acide lactique, nitrique et hydro-fluorique. Est ce que ça veut dire que seul ces produits chimiques "attaqué" le matériau ?
Merci.
Bonjour,
Je ne sais pas ce qu'est l'InSb mais je peux te dire que le HF est le seul acide capable d'attaquer le Sillicium.
Je sais pas si ça répond à ta question, mais c'est peut être un point de départ.
Bonjour,
Vous êtes sure qu'on ne peut pas le faire avec de l'acide nitrique et l'acide acétique par exemple ?
(Je me refaire à cette source page 6 : ici)
Bonjour,
Ce qui est sûr c'est que l'acide acétique et l'acide nitrique seul ne peuvent pas attaquer l'oxyde de silice (et non le silicium, comme j'ai marqué dans mon premier post).
Dans ton document, le HF est utilisé en mélange avec l'acide nitrique. Dans les pages 7-8 et 9, le processus est détaillé mais par exemple je vois que l'acide acétique est là comme milieu réactionnel pour que l'acide nitrique soit moins dissocié.
Merci,
Mais c'est une réaction qui a une explication "théorique", c'est à dire du niveau des propriétés des molécules ou plusieurs acides ont été testés pour atterrir sur cette conclusion ?
Généralement la formulation de ce type de mélange vient de l'expérimentation. Au départ on va avoir une molécule qui sert à graver et puis à coté on va ajouter d'autre molécules qui vont servir à tamponner la solution par exemple, ou dissoudre d'autre élément ou crée des complexes pour éviter des précipitations et ainsi de suite.
