bonsoir je souhaitais savoir lorsque l'on introduit dans un cristal sans un impureté un atome impur tel que le Arsenic.sachant que l'atome d'arsenic possèdent un électron faiblement lié au noyau.Après agitation thermique l’électron vas être éjecté mais après qu'il soit éjecté est ce qu'il y aura formation d'un trou a l endroit ou il y avait l’électron? si oui vas t-il ensuite prendre un électron d'un atome voisin?
Merci d'avance
Tu n'es pas clair. Pour qu'on puisse te répondre, il faudrait connaître la nature du cristal. Tu ne dis pas de quoi il est fait ton cristal ! Est-ce un cristal de sel NaCl ? Un cristal d'un composé d'arsenic ?
Dopage P et dopage N appartient au monde des semi-conducteurs.
Le dopage N est une impureté ajoutée qui est donneuse d'électrons comme le phosphore
Le dopage P est une impureté accepteuse d'électrons comme le bore.
L'impureté va s'insérer dans le réseau et elle va avoir soit un élctrons en plus soit un électron en moins ce qui va modifier les carctéristiques (notamment conductrices) de la couche.
Le futur m'interesse car j'ai l'intention d'y passer mes prochaines années
justement ce que je souhaitais savoir par exemple pour un cristal de silicium , si on introduit de l'arsenic (qui a un électron supplémentaire), après agitation thermique son électron va passer dans la zone de conduction mais va-il laisser un trou? c'est a dire un manque en électron qui doit être comblé et qui va donc engendré le vol d'un électron dans un atome de silicium?
