Bonjour,
J'ai une question sur la tension a appliqué sur la Gate d'un transistor MOS.
Explication de se que j'ai fait jusque maintenant:
J'utilise les transistors MOS type IRFP250 sur l'e Gate je place une résistance de 1K et de cette résistance j'en place 1 de 5.6K a la masse pour couper l'ors que mon signal appliqué sur le Gate passe a l'état bas.
Mais voila cela fonctionne quand j'utilise soit un transistor mais si je place un porte AND je n'arrive pas a alimenté le transistor. Ou plutôt j'ai une faible sortie.
Si j'ai mon montage qui est alimenté en 12V et que j'attaque le Gate avec 10 V pas de problème.
Maintenant quand j'alimente mon montage avec 30V et que j'alimente toujours le Gate avec 10V j'ai pratiquement plus de puissance en sortie.
Avez vous des explications?
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