Questions théoriques transistors

[invitea250c65c]

Bonjour à tous,

J'avais quelques questions théoriques a vous poser au sujet des transistors bipolaires.

Je vous propose le montage classique qui est en piece jointe (ampli BF en classe A ...).

En fait j'ai une "facon de voir les choses" mais je ne sais pas si ca correspond a la réalité.

C'est au sujet de l'impédance de sortie, que je note Zs.
Rs est considerée pour simplifier comme une résistance pure, les trois condos ont une impédance nulle a la fréquence qui nous interesse.
Le transistor est en régime lineaire.

-Au niveau des tensions et courrants continus :

Le transistor envoie un courrant collecteur Ic (on suppose pour simplifier que Ic=Ie, on néglige Ib) dans Re et Rc.
Ic est constant, en faisant varier les valeurs de Re et Rc, on fait varier Uce (tension collecteur emetteur).

La jonction collecteur emetteur se comporte comme une source de courrant constant en serie avec une résistance (c'est la ou je ne suis pas sur) de valeur (qui explique la chute de tension Uce).

-Maintenant au niveau de l'alternatif :

La composante continue se superpose une composante alternative.
On considere que Ic~=Ie~ (~=alternatif).
Pareil que pour le courrant continu, sauf que cette fois on envoie ce courrant dans Rc et dans la charge Rs.

Si je reprends ce que j'ai dit tout a l'heure au niveau de Rt, on a une source de courrant (le transistor) en serie avec Rt (la pseudo résistance de la jonction) et Rs elle même en parallele avec Rc (la BF est amenée a la masse par C2) (voir la seconde piece jointe).

Pour avoir une puissance maximale dissipée dans Rs (voir partie de gauche), j'ai exprimé la puissance dissipée dans Rs en fonction de Rs et des parametre constants (I, Rs, Rc, Rt). Je trouve que cette puissance ne depend pas de Rt (c'est normal, puisque le courrant est toujours le même peu importe Rt (en régime linéaire bien sur)), je derive et je trouve que la puissance est maximale pour Rs=Rc.
Ayant Rs=Rc, on a le cas de figure de droite, et il faut avoir pour que la puissance dissipée dans Rs et Rc soit maximale.

Au final, on doit donc avoir, pour une puissance maximale dissipée dans Rs :
Rc=Rs et .

Il est alors facile de vérifier que le rendement max est de 25%.


Est ce correct?

Les résultats sont en accord avec ce que je trouve sur internet et dans les livres, mais je n'ai jamais entendu parler de la résistance Rt de la jonction collecteur emetteur, c'est pour ca que j'ai essayé de l'introduire ici, parce que c'est comme ca que je vois les choses.
Bien sur cela n'est valable que dans le cas ou le transistor fonctionne en régime linéaire.

Est ce correct de considerer la jonction emetteur collecteur comme une source de courrant en série avec une résistance Rt, résistance que l'on peut faire varier en faisant varier Rc et Re, et donc qui a le même fonctionnement en continu qu'en alternatif (car on ne sait exprimer le rapport qu'avec du continu)?

Merci d'avance.
-----

[gcortex]

Bsr,
Ic = Io + I~ donc çà serait plutôt en parallèle

moi, je déterminerais Vc_min et Vc_max

Vc_min = ExR2/(R1+R2) - 0,6 V

Vc_max ?

si mes souvenirs sont exacts P = RIo² + 0,5RI~²

[gcortex]

Vbe=0,6V et pour un fonctionnement correct Vce_min=0,6V
donc Vc_min = ExR2/(R1+R2)

[invitea250c65c]

Bonjour et merci,

Bsr,
Ic = Io + I~ donc çà serait plutôt en parallèle

moi, je déterminerais Vc_min et Vc_max

Vc_min = ExR2/(R1+R2) - 0,6 V

Vc_max ?

si mes souvenirs sont exacts P = RIo² + 0,5RI~²

Qu'est ce qui serait en parallele? les sources de courrant?
Tu veux dire qu'il y aurait deux "sources de courrant" dans le transistor? Une pour le continu et une pour l'alternatif?
Mais le fait que Ic=Io+I~ ca vient de la polarisation : Ib=Ibo+Ib~, donc avant d'attaquer le transistor on a deja une tension composée de deux composantes (une continue et une alternative) et donc le transistor voit ca comme une seule tension (superposition des deux) et ne fait qu'amplifier tout ca non? Et le gain du transistor est le même pour le continu que pour l'alternatif (je ne considere pas ici les trop hautes fréquences ...). Le gain du montage est plus grand au niveau de l'alternatif parce qu'on envoie la BF a la masse par C2.

Désolé je n'ai peut etre pas tres bien compris ce que tu as voulu dire.

Est ce correct de parler de Rt ?

Merci d'avance.

[A voir en vidéo sur Futura]

[curieuxdenature]

Bonjour Electrofred

comment ça va depuis le temps ?
Si tu veux analyser la meilleure façon d'optimiser cet ampli, tu es à peu près OK.
Rs est à considérer en // sur Rc, l'impédance équivalente du transistor sera égale à Rs si la tension sur le collecteur est la moitié de la tension d'alim.

Il faut bien sûr choisir Re assez faible pour qu'elle ne chute qu'1 ou 2 dixièmes de la tension d'alim parce que si le Tr est saturé, tu n'auras pas beaucoup de possibilité d'amplifier quoi que ce soit.

Ex: 12 volts d'alim =>
Rc ~ Rs = 1000 ohms (c'est un choix définit selon le but fixé, dans un préampli ça peut être 10 K)
Re ~ 100 à 200 ohms.
Ue ~ 1 à 2 Volts
Uc ~ 6 Volts.

Une fois que tu as choisi Re, tu peux calculer R1 et R2 sachant que Uc / 1000 = 6 mA, yapukafoc.

[invitea250c65c]

Bonjour et merci,

Ca va depuis le temps j'essaye de me remettre a tout ca parce que pendant la période scolaire je n'ai pas pu y retoucher.

Rs est à considérer en // sur Rc, l'impédance équivalente du transistor sera égale à Rs si la tension sur le collecteur est la moitié de la tension d'alim.

J'en déduis qu'il est correct d'utiliser cette fameuse "impédance du transistor", je n'étais pas sur.
Mais ne veux tu pas dire "l'impédance du transistor est égale a Rc" (a la place de Rs, Rc c'est pas la charge c'est "c" pour collecteur, désolé je n'avais pas pensé qu'on pouvait faire la confusion, Rs c'est pour sortie))? Et cette impédance est la même en continu qu'en alternatif non (c'est donc une résistance)?

D'apres les calculs sur les maximums de puissance que je fais, on trouve Rs=Rc et impédance du transistor=Rs/2. Dans ce cas la, on a 50% de la puissance dissipée dans le transistor, 25% dans Rc et 25% dans la charge Rs (toutes ces puissances uniquement au niveau de l'alternatif bien sur, apres il y a du continu dans Rc et le transistor).
C'est bien ca?

Il faut bien sûr choisir Re assez faible pour qu'elle ne chute qu'1 ou 2 dixièmes de la tension d'alim parce que si le Tr est saturé, tu n'auras pas beaucoup de possibilité d'amplifier quoi que ce soit.

En fait cela dépend du courrant non? Si on veut envoyer du 1mA efficace (sinusoidal) dans la charge, ayant la configuration dont je parle (puissances : 50% dans T, 25% dans Rs et dans Rc), je dois prendre Ic continu tel que celui ci ajouté a mon signal sinusoidal ne s'annule pas, voulant 1mA sinus dans la charge, on doit prévoir 2mA sinus collecteur (1 dans la charge et l'autre dans Rc), soit 2.8mA crete, il me faut donc 3mA minimum en continu.
Enfin j'ai vu qu'il fallait se méfier qd on prenait de tels courrant trop juste, il ne faut pas négliger le fait que le courrant base provoque une chute de tension par rapport a ce qu'on a si on considere que ce courrant est nul. Avec des égalités sur des courrants (Ir1=Ir2+Ib), je trouve l'expression exacte de la tension aux bornes de R2 : . Apres on en déduit facilement Ic. C'est plus compliqué mais je suis sur de ne pas etre trop surpris.

[curieuxdenature]

Bonjour et merci,

Ca va depuis le temps j'essaye de me remettre a tout ca parce que pendant la période scolaire je n'ai pas pu y retoucher.

Mais ne veux tu pas dire "l'impédance du transistor est égale a Rc" (a la place de Rs, Rc c'est pas la charge c'est "c" pour collecteur, désolé je n'avais pas pensé qu'on pouvait faire la confusion, Rs c'est pour sortie))? Et cette impédance est la même en continu qu'en alternatif non (c'est donc une résistance)?

Tout à fait, en continu on se base sur Rc (Resistance de Collecteur, pour Rs on devrait la nommer Zs) et quand c'est une resistance ohmique (donc pas une self ou un circuit LC) on suppute que la variation de sortie se trouve dans une zone linéaire, donc Zc = Rc.

D'apres les calculs sur les maximums de puissance que je fais, on trouve Rs=Rc et impédance du transistor=Rs/2. Dans ce cas la, on a 50% de la puissance dissipée dans le transistor, 25% dans Rc et 25% dans la charge Rs (toutes ces puissances uniquement au niveau de l'alternatif bien sur, apres il y a du continu dans Rc et le transistor).
C'est bien ca?

C'est ça.

En fait cela dépend du courrant non? Si on veut envoyer du 1mA efficace (sinusoidal) dans la charge, ayant la configuration dont je parle (puissances : 50% dans T, 25% dans Rs et dans Rc), je dois prendre Ic continu tel que celui ci ajouté a mon signal sinusoidal ne s'annule pas, voulant 1mA sinus dans la charge, on doit prévoir 2mA sinus collecteur (1 dans la charge et l'autre dans Rc), soit 2.8mA crete, il me faut donc 3mA minimum en continu.
Enfin j'ai vu qu'il fallait se méfier qd on prenait de tels courrant trop juste, il ne faut pas négliger le fait que le courrant base provoque une chute de tension par rapport a ce qu'on a si on considere que ce courrant est nul.

C'est correct, de toutes manières, dans un ampli comme celui là, classe A, il vaut mieux ne pas trop tabler sur une trop grande amplitude du signal alternatif autour de la valeur de repos, sinon tu entres dans des zones non linéaires et tu as de la distorsion.

Avec des égalités sur des courrants (Ir1=Ir2+Ib), je trouve l'expression exacte de la tension aux bornes de R2 : . Apres on en déduit facilement Ic. C'est plus compliqué mais je suis sur de ne pas etre trop surpris.

(je ne vérifie pas)Il y a plusieurs moyens pour arriver à la bonne solution et ce qui complique les prévisions, c'est la tension exacte Ube. Elle varie d'un transistor à l'autre et si tu veux de la rigueur c'est là que ça pêche à chaque fois.

Je procède autrement, je pars des conditions finales : Ic, tension d'alim, Ue = 2 V, Ube = 0.685 V. Et j'impose Irb2 = 5 * Ib, le reste coule de source.
Et comme je suis fénéant j'ai fais le programme.
Ici j'ai imposé Re = 200 ohms
Ual = 16 V
Rc = Ru = 1000 ohms
Béta = 50
Irb2 = 5 * Ib
Ube = 0.685 V

résultats :
Rb1 = 11095 ohms
Rb2 = 2685 ohms
consommation totale 11 mA
J'obtiens même le gain en alternatif : 192.3
c'est pas beau ça ?

[invitea250c65c]

Bnjr et merci,

Oui voila tout le pb c'est Ube j'ai l'impression, toujours entre 0.6 et 0.8V pour un transistor classique en général, mais bon, pas évident de la connaitre exactement. La mesure (avec un transistor donné et un courrant collecteur donné) est je pense la meilleure solution (rien ne sert d'avoir déterminé une formule précise si les données ne le sont pas).

Ah bah ca me fait plaisir de bien avoir compris tous ces concepts.

J'ai vu ton montage en effet c'est sympa comme résultat. Faire ce genre de montage c'est un peu comme, je trouve, resoudre un systeme avec pls équations et plusieurs inconnues, on impose des contraintes, on en tire de obligations et des choix a faire. Enfin je trouve ca sympa.

J'ai encore deux questions :

-Au sujet de l'impédance d'entrée du montage, j'ai vu que l'on parlait de la résistance directe de la diode, notée r'e et qui est d'environ 25mV/Ic .
Je comprends bien l'idée, mais je ne vois pas d'ou sortent ces 25mV et ce qu'ils représentent physiquement

-Une autre question qui me trotte dans la tete depuis un bout de temps : c'est au sujet de la polarisation :
On polarise la base du transistor, car la jonction base-emetteur se comporte comme une diode (le courrant ne passe que dans un sens), et ainsi on rend le courrant base strictement positif en ajoutant une composante continue. Ca, pas de pb.
Mais c'est au sujet de la reception en AM : on polarise la diode de détection en faisant circuler dans le montage un courrant continu, ce qui produit aux bornes de la diode une tension continue de 0.7V environ (pour les diodes au sillicium), et celle ci bloque alors la tension HF négative et ne laisse passer que la partie positive.
Donc la on fait la même chose mais on n'obtient pas le même resultat.
Comment cela se fait il que la diode bloque le courrant négatif alors qu'elle est polarisée?

Voila je crois que c'est tout, j'aurai surement d'autres questions mais celles ci sont les principales.

Merci d'avance.

[curieuxdenature]

Bonsoir Electrofred

Le 26 mV c'est assez simple en théorie.
Cela correspond à la constante de Boltzmann à la température de travail de la jonction.
La constante physique en question vaut 1,3806505 10^-23 Joule par kelvin.
A 27°C soit 300 K on obtient bien Vo = 25,85 mV (pour passer des Joules aux eV, on divise par la valeur de la charge electrique 1,60217653 10^-19)

Si t'es curieux tu sauras aussi d'où viennent les -2,2 mV de variation de tension par degré qu'on obtient ainsi:
Delta V = Vo - (Vo * (T+1) / T)

Pour l'autre question, en fait la diode ne bloque pas le courant, quand elle est polarisée tu as une variation linéaire autour de la valeur du courant de polarisation, c'est une façon pratique d'améliorer considérablement le rendement de la diode. Quelque soit le montage, en détection d'enveloppe il faut faire suivre le montage d'un filtre RC passe-bas rudimentaire qui élimine la composante HF résiduelle. Certain postes de radio utilisent une jonction Base-Emetteur de transistor en guise de diode de redressement.

A ce propos, il existe un montage de recepteur radio qu'on appelle "RECEPTEUR REFLEX" qui fait l'économie d'un transistor en l'utilisant d'abord comme ampli HF, et ensuite en préampli BF en réinjectant le produit de la détection vers la Base.
La diode sert à la fois comme polarisation du transistor et comme détection d'enveloppe, elle est placée directement dans le sens passant entre le collecteur et la base. En jouant bien, on arrive à doser la réaction pour éviter l'oscillation et le gain est phénoménal.
Aujourd'hui c'est passé de mode, les transistors s'achétent au kilo.

http://sebastien.ponsot.neuf.fr/rx_go.html

[invitea250c65c]

Bnsr et merci,

Ah oui d'accord c'est avec la fameuse constante de boltzmann, je ne vais pas m'y mettre maintenant parce que je viens de commencer à lire un livre de physique (Physique, de Eugene Hecht) et j'ai vu qu'on allait en parler. Donc j'attends un peu le temps d'arriver au bon chapitre et je laisse "en suspend" ces 25mV pour le moment.

Pour l'autre question, en fait la diode ne bloque pas le courant, quand elle est polarisée tu as une variation linéaire autour de la valeur du courant de polarisation

Tu dis ici que la diode ne bloque pas le courrant, mais quel est alors son interet? Si elle ne bloque pas les alternances négatives elle ne redresse pas.


Sinon pour reprendre tout a fait autre chose, je me suis également remis aux jFETs. J'ai retrouvé une vieille discution a ce sujet : http://forums.futura-sciences.com/thread87865.html (voir uniquement les posts du début, apres on parle de ce dont nous parlions ici).
Je me souviens que dans le montage que j'ai mis en piece jointe, je n'arrivais pas a calculer Id (courrant drain=courrant source), car il variait avec Ugs (tension grille-source) qui elle même variait avec Id ... bref, une équation a deux inconnues, infinité de solution.
Seulement, je m'y suis remis et je me suis dit qu'en fait on pouvait tres bien calculer Id (tout ce qui suit concerne les tensions et courrant continu(e)s) :
On a (Idss=courrant drain maxi (Ugs=0), Vp=tension de pincement)
mais (tension grille par rapport a la masse=0)
Donc , et la, on a qu'une seule inconnue en fonction de paramètres fixes : c'est Id (ou Rs si on fixe Id).

Par exemple, on a Idss=10mA, Vp=-3V et on veut Ugs=-2V.
Comment ajuster Rs pour que l'on ait Ugs=-2V?
On a =1.1mA (je passe les calculs)
Comment ajuster Rs pour avoir Id=1.1mA (ce qui équivaut a Ugs=-2V avec ce JFET) ?
On a , on dévelloppe et on trouve une équation du second degré en Rs : , avec nos valeurs, on trouve ou .
Vérifions quelle valeur correspond, en apliquant , on s'apercoit qu'il s'agit de (avec l'autre, on trouve Ugs=-4V).

Est ce correct ?

En fait ce qui me gene dans ce que j'ai lu la dessus c'est qu'on a fixe Ugs et Id (qui sont liés par une relation) ensemble (ici Ugs=-2V et Id=1.1mA). On a alors Rs grace a la relation Ugs=-RsId, mais le pb c'est qu'on ne peut pas savoir juste en ayant Rs que l'on aura Ugs=tant et Id=tant : si on a Ugs=tant alors on aura Id=tant (car ils sont liés par une relation), mais rien ne nous dit qu'au depart Ugs=tant. Si je mets ca sous forme plus mathématique (parce que avec les "=tant" c'est pas top ), ca donne y=ax. Pour reprendre l'exemple, on veut (si , on a focément y=-2) et on a y=ax, donc a=y/x ici a=-1818, mais qu'est ce qui nous dit que (ce qui voudra dire que a y=-2 et donc a=-1818)?

C'est pour ca que je pense qu'on est obligé de passer par l'équation du second degré, qui revient en fait a résoudre le systeme :
(1)
(2)

Il faut ensuite verifier les solutions que l'on trouve pour Rs par la combinaison de (1) et (2) pour que Rs vérifie bien (2) .

Qu'en penses tu?
Je me souviens (et j'ai relu) qu'on en avait bcp parlé dans l'ancien post mais je n'avais jms pensé a ca (et puis je ne savais pas résoudre les équations du second degré il y a un an).

[curieuxdenature]

Salut Electrofred

Pour la diode je me suis mal exprimé, quand elle est polarisée par un courant faible, le courant résultant est modulé autour de cette valeur en suivant la forme de l'enveloppe de la porteuse modulée. (à condition de faire suivre le montage d'un filtre RC correctement calculé, un couple 1000 ohms - 10 nF élimine la HF et ne laisse en évidence que la partie BF). Bien sûr que la diode bloque le courant dans le sens non passant, le seul couple RC n'est pas suffisant pour avoir ce résultat.

Du fait qu'il faut une tension assez importante par rapport à ce qu'elle est sensée redresser, on améliore le rendement en la plaçant dans une zone de fonctionnement correcte. En clair, si tu appliques un signal de 10 mV il sera correctement démodulé là où une absence de polarisation le rendrait insignifiant.
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[curieuxdenature]

Bonjour Electrofred, me revoilou pour la suite de tes questions, je vais essayer de les faire une à une.

Sinon pour reprendre tout a fait autre chose, je me suis également remis aux jFETs.
J'ai retrouvé une vieille discution a ce sujet :
http://forums.futura-sciences.com/thread87865.html
(voir uniquement les posts du début, apres on parle de ce dont nous parlions ici).
Je me souviens que dans le montage que j'ai mis en piece jointe, je n'arrivais pas a calculer Id(courant drain=courant source), car il variait avec Ugs (tension grille-source) qui elle même variait avec Id ... bref, une équation a deux inconnues, infinité de solution.

Seulement, je m'y suis remis et je me suis dit qu'en fait on pouvait tres bien calculer Id (tout ce qui suit concerne les tensions et courant continus) :
On a

(Idss=courant drain maxi (Ugs=0), Vp=tension de pincement)
mais
(tension grille par rapport a la masse=0)
Donc

et la, on a qu'une seule inconnue en fonction de paramètres fixes : c'est Id (ou Rs si on fixe Id).

Par exemple, on a Idss=10mA, Vp=-3V et on veut Ugs=-2V.
Comment ajuster Rs pour que l'on ait Ugs=-2V?

C'est la partie la plus simple à calculer, la première équation donne la solution.
Puisque tu connais Id et que tu connais Ugs, tu as la réponse.
Rs = Ugs / Id
Avec tes données, Id = 1,111 mA d'où Rs = 1,8 K

[curieuxdenature]

On a
=1.1mA (je passe les calculs)

Comment ajuster Rs pour avoir Id=1.1mA (ce qui équivaut a Ugs=-2V avec ce JFET) ?
On a

on dévelloppe et on trouve une équation du second degré en Rs :

avec nos valeurs, on trouve
ou
Vérifions quelle valeur correspond, en apliquant

on s'apercoit qu'il s'agit de
(avec l'autre, on trouve Ugs=-4V).

Est ce correct ?

C'est bon, je suis un peu rouillé pour ces acrobaties, mais je retrouve bien 1,8 K et 3,6 K

(7,4073333 + ou - 2,469212) / 2,74343
ça roule.

[curieuxdenature]

En fait ce qui me gene dans ce que j'ai lu la dessus c'est qu'on a fixe Ugs et Id
(qui sont liés par une relation) ensemble (ici Ugs=-2V et Id=1.1mA).
On a alors Rs grace a la relation Ugs=-RsId,
mais le pb c'est qu'on ne peut pas savoir juste en ayant Rs que l'on aura Ugs=tant et Id=tant :
si on a Ugs=tant alors on aura Id=tant (car ils sont liés par une relation),
mais rien ne nous dit qu'au depart Ugs=tant.
Si je mets ca sous forme plus mathématique (parce que avec les "=tant" c'est pas top ), ca donne y=ax.
Pour reprendre l'exemple, on veut


(si , on a focément y=-2) et on a y=ax,
donc a=y/x ici a=-1818,
mais qu'est ce qui nous dit que
(ce qui voudra dire que a y=-2 et donc a=-1818)?


C'est pour ca que je pense qu'on est obligé de passer par l'équation du second degré,
qui revient en fait a résoudre le systeme :
(1)

(2)

Il faut ensuite verifier les solutions que l'on trouve pour Rs par la combinaison de (1) et (2)
pour que Rs vérifie bien (2) .

Qu'en penses tu?
Je me souviens (et j'ai relu) qu'on en avait bcp parlé dans l'ancien post mais je n'avais jms pensé a ca
(et puis je ne savais pas résoudre les équations du second degré il y a un an).

Je pense qu'on peut avoir Id et Ugs rien qu'avec Rs imposé. Je n'ai pas l'équation, si un lecteur de nos échanges l'a, ça m'interresserais bien de l'avoir.
Mais je vais chercher en attendant.

Sinon, on pourrait extraire la donnée d'un tableau de mesures établies pour circonscrire la zone Ugs.
ça éviterait déjà de se planter dans l'extrapolation.



mais bon, perso ça ne me satisferait pas trop.

[invitea250c65c]

Bonjour,

Je te remercie j'ai bien compris pour la diode.
En effet on peut trouver Id juste avec Rs (et Vp et Idss bien sur).
On a et Ugs=-RsId, donc , on dévelloppe et on trouve que ca équivaut a :
--> équation du second degré en Id.J'ai essayé de resoudre ca dans le cas générale, je trouve que le discriminant est tjr positif, dc il y a tjr deux solutions (enfin une seule qui nous interesse) et ca donne des formules assez compliquées. Avec un petit programme de resolution des equations de degré 2 ca va tout seul (merci la calculette ).

[curieuxdenature]

Ah, j'ai pas cet avantage, je me farcis les calculs avec une TI34, une antiquité d'avant la 3eme guerre mondiale.

Sinon pour le calcul de Rs je n'ai pas trouvé mieux que ça:

[invitea250c65c]

Je ne l'ai pas fait dans le cas général, enfin j'ai commencé mais je me suis apercu qu'on trouvait toujours deux solutions réelles, il faut donc en éliminer une (par exemple, si Idss=8mA et qu'on trouve Id=2mA ou Id=10mA, on garde la premiere solution (car 10mA>Idss) ) et au final quand on a un programme sur sa calculatrice ca va plus vite de rentrer a=, b=, c= (ax²+bx+c=0) et d'avoir directement les résultats, mais c'est vrai que si tu dois le faire sans, autant determiner une formule générale. Je vais essayer de retrouver tes resultats.

Sinon j'avais encore une question, je reviens un peu en arriere c'est au sujet des bipolaires.
En fait c'est pour réaliser un ampli HF, au lieu de mettre plusieurs étages en cascade j'aimerai réaliser un Darlington.
J'ai joint un schéma avec mes calculs. On considere que pour les deux transistors, courant emetteur=courant collecteur.
Je sais que ca se comporte comme un unique transistor dont le gain est le produit des gains de chaque transistor, mais c'est au niveau de l'impédance d'entrée. Si c'était vraiment un transistor de gain , l'impédance d'entrée serait de , mais si j'essaye de retrouver ca par le calcul, je trouve en fait qu'elle vaut ,qui peut aussi s'écrire , on a donc un facteur 2 qui intervient (en même temps c'est normal car on a deux fois ces 25mV) et ca ne se comporte pas exactement comme un unique transistor de gain .

Est ce bien ca ou y a t il une erreur ?

Merci d'avance.

[curieuxdenature]

Salut Electrofred

Dans un darlington fabriqué maison, il ne faut pas oublier que T1 n'est pas un emetteur commun.
T2 est vu comme une résistance, c'est donc un collecteur commun d'impédance d'entrée Z1 = 26 * Béta1 / Ic1 + Béta1 * Z2
ça donne une impédance d'entrée plus élevée que la mise en série des 2 jonctions.

Ex:
T2 a un béta2 de 50, un Ic2 de 50 mA (Ib2 = 1 mA = Ic1), Z2 = 26 ohms.
T1 a béta1 de 20, un Ic1 de 1 mA, Z1 = 520 ohms.
Z total = 520 + (20 * 26) = 2 * 520 ohms au lieu de 546.

Ta formule est donc bonne Zt = 2 * Béta1 * Béta2 * 26 mV / Ic2 = 1040 ohms.