Bonjour, je dois réaliser un amplificateur opérationnel suivi d'un écrêteur à diode sur isis.
J'ai réussi a faire sans problème l'étage amplificateur mais je suis complètement bloqué en ce qui concerne l'étage écrêteur.
Cahier des charges:
étage amplificateur:
-Amplification (en valeur absolue): 1000 (+ou- 10%)
-Impédance d'entrée: 10k<=Ze<=15k
-Alimentation: +15V; -15V
étage écrêteur:
-Vs2 crête à crête (pour VS1=10V crête sinusoïdale)
-Impédance de sortie 2: ZS2maxi<=11k
-Alimentation: +15V; -15V
-Dans la zone d'écrétage, la variation DeltaVS2 de la tension de sortie devra être la plus faible possible.
Pour ce travail les composants proposés sont l'AOP741, les diodes 1N4148, et les résistance série E24.
J'ai réussi a faire l'étage amplificateur garce a un montage grand gain et je pense que pour l'écrêteur il faut placé deux diodes en parallèle qui sont elles même en série avec une résistance mais je ne suis vraiment pas sur.
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