Bonjour,
Je me pose quelques questions quant à la fabrication du transistor.
Tout d'abord quelles sont l'utilité du polysilicium et de la silice ( SIO2, Oxyde de siliciume) dans un transistor. Isolant, conducteur, protecteur...?
Je n'ai pas réussi à me procurer le layout ni la constitution d'un TBH SIGE... Si quelqu'un pouvait m'aider.
Merci d'avance
Bonsoir.
Vaste sujet qu'est la fabrication d'un transistor. En premier lieu, parles-tu d'un transitor bipolaire, mosfet ou JFET.
Leur conception est radicalement différentes. En plus avec le temps, les méthodes de production change. (Pour les plus anciens, je parle du transistor bipolaire MESA par rapport aux transistors bipolaires planars).
Pour répondre à ta seconde question, élèctriquement, il n'y a différence faible entre le poly et la silice. (hors le bilan thermique nécessaire pour passer d'un état à l'autre)
Voici les différentes étapes de cristallographie du silicium :
Etat cristallin (structure parfaite)-> polycristallin (de gros morceaux de cristalle agglomérés-> Amorphe (structure atomique désorganisée)
Le poly est semi-conducteur (c'est du silicium)
Pour un TEC (transistor à effet de champs), il est utilisé pour les grilles de transistors. Il est déposé par un process LPCVD (low pressure chemical vapor deposition). Il est souvant dopé pour améliorer sa résistivité.
Pour ta troisième question, je ne connait le TBH SiGe. J'ai bien compris qu'il y a un process Silicium-Germanium, mais c'est très loin d'être une nouvelle technologie.
Cordialement Sillans
