transistor en commutation

[inviteb3487307]

Bonjour tout le monde,

Une petite question concernant l'utilisation d'un transistor bipolaire NPN (BC547B) en commutation (bloqué / saturé).

Les principales caractéristiques de mon transistor sont les suivantes :

Vbe_sat = 0,7 V
Ic_max = 100 mA
h_FE = 180 (Gain en courant pour Ic = 100 mA et Vce = 5 V)
...

J'ai un courant collecteur de 67 mA et je voudrais savoir quelle résistance je dois mettre sur la base (Rb) pour pouvoir utiliser mon transistor en commutation...

Merci pour les infos.

A bientôt

PS : Schéma du montage en fichier attaché
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[Tropique]

Hello,

Pour le faire travailler en saturé "dur", avec un forcé de 10, Rb~=4.3/6.7= 641 ohms, à arrondir à 680.
Un transistor à gain élevé comme le BC547 peut se contenter d'un f de 20, donc 1K à 1.5K est adéquat également.
A+

[inviteb3487307]

Merci pour votre réponse.

Mais comment savoir quel β prendre en compte ?

Sur le datasheet j'ai :

Ic=10µA Vce=5V β=150
Ic=2mA Vce=5V β=290
Ic=100mA Vce=5V β=180

Les valeurs de résistance de base calculées sont très différentes suivant la valeur de β :

Rb = (5-0,7)/(Ic/β)

[Tropique]

Tu ne peux pas utiliser le beta linéaire pour faire des calculs en saturation: Ib ne controle plus Ic.
Il faut fixer une valeur arbitraire de Ic/Ib, et faire les calculs à partir de là.
Le rapport dépend du transistor: tu ne vas pas prendre 20 pour un transistor haute tension ayant un linéaire de 15.

Un guide est la condition de mesure des paramètres de saturation: à la page 6 de la datasheet, le Vce sat est défini pour un f de 20:
http://www.nxp.com/documents/data_sh..._BC547_SER.pdf
Page 7, les valeurs de 10 et de 20 sont utilisées.

Si aucune indication particulière n'est donnée, tu peux toujours prendre le min divisé par deux, cela doit garantir la saturation.

[A voir en vidéo sur Futura]