MOSFET en parallèle

[Antoane]

Bonjour,

> Cette étude porte sur les triacs .
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-01775481/document
Donc sans rapport avec les MOSFET qui fonctionnent selon des principes physiques différents (en particulier : composants uni- vs bi- polaires).

> Un autre site évoquant le di/dt pour les thyristors , où on parle d 'un phénomène connu " points chauds locaux ...qui pourrait détruire le composant " ...==> " electrical 4u.com/thyristor Protection " .
Les thyristors, donc rien à voir avec les MOSFET.
D'ailleurs, on trouve bien un di/dt max de spécifié dans les datasheet de thyristors et triacs.

Le phénomène des points chauds ("hot spot") dans les MOSFET utilisés dans leur domaine linéaire (i.e. Vgs~Vgs_th) est connu et documenté (e.g. https://www.infineon.com/dgdl/Automo...12b4188af12622), mais n'a, à ma connaissance, pas de lien avec le di/dt.
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[jacounet86]

Salut.

Le data sheet de mes MOSFET utilisés sur mon proto 1.
Ce sont des IXYS IXFK100N10 , des 100 V 100A...des HiPerFET.

Dans la première page , 5ème ligne dv/dt , on note un di/dt <ou=100A/µs , avec un R gate=2 Ohms Tj<ou=150°c.
Ce qui laisse supposer que pour un di/dt > à 100A/µs , on dépasse les 150°C ...température limite .
Idem pour la diode page2 , -di:dt= 100A/µs ...dans les conditions de la , Iforward=25 A , t forward 150à 200ns, Qrm=0.6µCV reverse=50V.
Mais on n'a pas de référence à la température de jonction.

Chez IXYs dans une liste de 32 hyperFET du IXFH12N90Q au IXFX90N20Q , tous ont un di/dt mentionné .
Mais tout leur MOSFET n'ont pas cette caractéristique mentionnée .
Oubli , inutilité .
La doc date de 2000 .
Progrès technique depuis ...?
254520_DS.pdf

A+
Jac .

[Antoane]

Bonjour,

comme déjà expliqué et clairement indiqué dans la datasheet (cf. l'intitulé de la colonne ou les infos sont prises) ces valeurs sont des conditions de tests et en rien des conditions limites.

Ce qui laisse supposer que pour un di/dt > à 100A/µs , on dépasse les 150°C ...

Absolument pas, cette déduction n'est pas fondée.
di/dt, Rg, Tj... sont divers paramètres de tests pouvant être choisis indépendamment (ou à peu près).
D'ailleurs pour di/dt<100A/µs en page 2, on parle d'une Tj à 25 °C... On ne peut rien déduire de celà, ce sont les conditions dans lesquelles ont se met pour tester une charactéristique.

[jacounet86]

Salut Antoane.

Cent cinquante degré me parait ( mais ce n'est que mon avis ) une condition limite de température à ne pas dépasser pour le silicium de cette époque , même en test ...
Maintenant on trouve des wafers silicium à température limite de 175 °C .

Ne pas avoir la même interprétation des choses dans ce cas , n'est pénalisable pour personne , enfin je pense , et c'est ce qui fait notre bon vieux peuple gaulois .

J'en ai déduit 470 Ohms , pour mes résistances de gate pour avoir un temps de montée de 1.3 µs ( et non pas 130 ns avec 47 Ohms ) ...mon obstination est protectrice , et non le fait d'une obstination d'âne rétif à toute remarques .
On va pas "s'empailler" pour si peu .

Amicalement .


Jacques .

[jacounet86]

Salut à tous.

Si quelqu'un est intéressé par le montage d'une soudeuse à décharge de condensateur , 31 k Joules ...pour souder des plaques d'aluminium ( 2 x 2 , à 2x 3 mmm ) par soudure résistive par points.
J'ai les schémas testés , de :
-l'alimentation 2.7 V/180A pic , à 2 thyristors , 1 MOC , un ampli OP ...pour charger les 10 000 Farads de la batterie de 20 super condensateurs 500F en //.
-le driver de MOSFET pour les 100 MOSFET en // , il tient 50 A pointe .
-la minuterie à tempo sérielle à 6 t "on" et 6 t "off" , programmable ( on peut programmer autant de durées t , qu'on souhaite ).
-le commutateur à 100 MOSFET IRF3711 , 11 000 Ampères théorique pic commutable , commute 3500 A max sous 2.7 V .

A noter ma soudeuse proto 2 , n'est pas encore opérationnelle ,... en finition .
C'est donc sans garantie .

Pour constructeur bricoleur , un peu électronicien , uniquement .

A+.


Jac .