Gain en courant d'un transistor (B)

invitec13ffb79 · 14/05/2011, 10h56

Bonjour,

Considérant le circuit ci-joint, j'ai lors d'un tp fais des mesures me permettant de tracer la courbe représentant le courant $\text{[math]}$ en fonction de la tension $\text{[math]}$ . Ce graphique permet de faire apparaître les différents régimes de fonctionnement du transistor.

Pour la zone active (partie linéaire de la courbe), on me dit qu'il est possible de vérifier la valeur du gain en courant $\text{[math]}$ fournie par le constructeur, sachant que $\text{[math]}$ . Et comme la pente de la droite correspond à $\text{[math]}$ et que l'on connaît la résistance, on retombe directement sur la valeur expérimentale de $\text{[math]}$ .

Je ne suis pas vraiment d'accord avec ce raisonnement, étant donné que pour moi, on n'a pas $\text{[math]}$ mais plutôt $\text{[math]}$ . Si j'ai raison, comment peut-on sortir la valeur de $\text{[math]}$ étant donné que $\text{[math]}$ varie pour chaque mesure ?

Merci d'avance.

**gcortex** · 14/05/2011, 11h07

tant que le Vce est supérieur à 1V le gain ne change pas beaucoup.
Par contre, il varie d'un transistor à un autre et avec la température

invitec13ffb79 · 14/05/2011, 11h16

Merci pour la réponse, mais dans ma série de mesure, Vce varie de 0,15V à 15V ! Peut-on quand même écrire que $\text{[math]}$ ?

**bobflux** · 14/05/2011, 11h16

Tu peux faire un montage de ce style :

http://sketchtag.com/KRBtNvsQ1C

Une source de courant impose $\text{[math]}$ , une source de tension impose $\text{[math]}$ (en fait $\text{[math]}$ mais ce n'est pas vraiment important).

L'AOP est en suiveur mais avec une résistance dans la sortie. Comme il maintient la base du transistor à 0V, tu mesures $\text{[math]}$ et $\text{[math]}$ directement, et les deux sont référencés à la masse.

Attention tous ces paramètres dépend fortement de la température. Pendant l'expérience, le transistor chauffe. Donc si tu traces la courbe dans un sens (mettons Ie croissant) puis dans l'autre sens (Ie décroissant) tu ne trouveras pas la même !... Les fabricants utilisent des mesures en impulsions (on applique les tensions/courante et on mesure en moins de 1 µs puis on attend que la T° revienne à la normale, et on mesure à un autre point).

A voir en vidéo sur Futura · Aujourd'hui

invite936c567e · 14/05/2011, 11h16

Bonjour

Envoyé par dj_titeuf

on n'a pas $\text{[math]}$ mais plutôt $\text{[math]}$

Quelle est donc cette formule qui fait apparaître à la fois les trois connexions du transistor (C=collecteur et E=émetteur dans V_CE, et B=base dans V_BB) ???

La formule exacte est :

$\text{[math]}$

Mais comme on a V_BE≈0,7V quand la jonction BE est polarisée, alors on peut négliger V_BE dès que V_BB et R_B prennent des valeurs assez importantes.

On a donc bien :

$\text{[math]}$

**bobflux** · 14/05/2011, 11h18

> Peut-on quand même écrire que $\text{[math]}$

oui

> $\text{[math]}$ ?[/QUOTE]

ça suppose que Vbe=0 ; bon, si Vbb=30V on peut négliger un Vbe à 0.6V...

**gcortex** · 14/05/2011, 11h21

Pour Vce < 650mV le gain n'a pas de sens.

mon multimètre à 10€ (2€ à une brocante) mesure les gains

invitec13ffb79 · 14/05/2011, 11h52

Ok, merci pour votre aide à tous !
Et désolé PA5CAL, faute de frappe...

invitec13ffb79 · 14/05/2011, 12h20

J'ai une autre question, du même acabit.

Une autre courbe me donne la variation de Ic en foncion de Vce.
Cette fois-ci, on me dit qu'on peut en extraire la valeur expérimentale de la résistance Rc.

Là, plus encore qu'avant, je ne saisis pas trop... Apparemment, la pente de la droite obtenue, serait l'inverse de la valeur de la résistance, au signe près.

Pourtant, je trouve qu'on a la relation:

Rc=(Vcc-Vce) / Ic

Et dans ce cas, on ne peut pas vraiment négliger Vcc me semble-t-il, qui dans mon expérience, est fixé à 15 V.

Quelle est votre explication ici ?

**bobflux** · 14/05/2011, 12h36

C'est une "résistance dynamique", autrement dit :

Rc = (delta Vce) / (delta Ic)

donc regarde la pente, oui.

invitec13ffb79 · 14/05/2011, 12h42

Mais pourtant, on a bien Rc=(Vcc-Vce) / Ic non ?

**bobflux** · 14/05/2011, 12h45

Tu parles de Rc (la résistance qui est dans le schéma sur le collecteur) ou de Rc (la résistance de collecteur du transistor qui modélise l'effet Early, et qui n'est pas sur le schéma) ?

invitec13ffb79 · 14/05/2011, 12h48

Celle qui est sur le schéma !

invite936c567e · 14/05/2011, 12h56

Envoyé par dj_titeuf

Une autre courbe me donne la variation de Ic en foncion de Vce.
Cette fois-ci, on me dit qu'on peut en extraire la valeur expérimentale de la résistance Rc.

À l'évidence, dans cette phrase Rc n'est pas la résistance du schéma. Ça n'aurait aucun sens.

Il s'agit ici de la résistance dynamique dans le collecteur du transistor. Pour deux relevés 1 et 2 proches sur la courbe :

$\text{[math]}$

invitec13ffb79 · 14/05/2011, 14h59

Ok... C'est l'unique paramètre qui peut-être retrouvé via cette courbe ?
Rc du schéma ne peut-être retrouvé par exemple ?

Enfin, dernière question. En considérant deux courants Ib différents (2 résistances Rb différentes donc), j'ai tracé là encore Ic fonction de Vce. J'obtiens de courbes aux allures similaires, mais décalées à partir d'un certain point. Que peut-on en conclure ? Peut-on y reconnaître les différents régimes de fonctionnement du transistor ?

invitec13ffb79 · 14/05/2011, 15h05

Envoyé par PA5CAL

À l'évidence, dans cette phrase Rc n'est pas la résistance du schéma. Ça n'aurait aucun sens.

Il s'agit ici de la résistance dynamique dans le collecteur du transistor. Pour deux relevés 1 et 2 proches sur la courbe :

$\text{[math]}$

Fait curieux alors, parce qu'en appliquant ceci, je retombe quasiment précisément sur la valeur de ma résistance Rc du schéma !! Va falloir m'expliquer du coup svp...

**gcortex** · 14/05/2011, 16h58

Ce que tu mesures, c'est le point d'intersection de la caractéristique du transistor avec la droite de charge.
Donc çà dépend si le géné ou le transistor est considéré comme source de courant...

invitec13ffb79 · 14/05/2011, 18h06

Si tel est le cas ?

**gcortex** · 15/05/2011, 18h39

< 700mV tu mesures la résistance du transistor (Ic augmente quand Vc augmente)
> 1V tu mesures la résistance externe (Ic diminue quand Vc augmente)

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