Transistor en commutation

[invite78936473]

Bonjour à tous ,

voila je me suis procuré un exercice qui me pose problème sur un seul point (enfin 3 répartis en un seul).

Je dois trouver Icesat , ma méthode :

VD6 = Vcesat + UR7 -> (VD6 - Vcesat)/ R7 = Ic avec UR7 = Ic * R7

Je trouve donc 0.7mA, qui ne reste pas moins faux mais la loi des mailles m'oblige à venir ici car il me semble que le courant Ic n'est pas le seul circulant dans la R7 !

Je vérifie quand même mon calcul : Ib = 1*10^-5
Or d'après Ib > Ic/B -> 1*10^-5 > 0.7*10^-3/100
Avec B = 100 , par peur de continuer dans mon ignorance je post dans l'espoir de savoir si c'est bon et si je peux continuer!

Merci , cordialement


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[invitee05a3fcc]

C'est combien Vali ?
Le schéma est complétement débile ......... Encore une élucubration de prof !
Ton raisonnement est bon, à condition que T2 soit saturé ..... ce qui n'est jamais le cas. Le gain en saturation d'un transistor n'est jamais de 100, mais plutôt entre 10 et 20 ! Avec R6= 1Mo, on ne sature jamais T2

PS : pour la comparaison, on utilise un comparateur .... pas un ampliOP

[invite78936473]

Vali = 10V

Je suis désolé mais ce n'est pas de moi ce schéma, j'ai comme toi pensé qu'il était inconcevable ce circuit mais bon tant qu'il y a de la vie , y'a de l'espoir !

Pour l'exercice T2 est saturé ce qui est impossible avec la décomposition du courant qui est I2c + I3b = I en sortie de R7 : Les ampoules seront donc JAMAIS complètement éteintes à 0V ( je pense )

[invitee05a3fcc]

Si on suppose que t2 est saturé ( c'est un super-transistor avec un gain en saturation de 200 .... on peut rêver!), tout le courant de R7 passe dans T2 et rien dans la base de T3. En effet, il faut 0,6V pour avoir un courant dans la base de T3 et il y a un Vcesat sur le collecteur de T2

[A voir en vidéo sur Futura]

[Tropique]

Il faut distinguer le gain forcé de saturation, et et le gain forcé pour lequel les paramètres de saturation sont mesurés: Vcesat, t_s, etc.
Ici, on peut déduire de la datasheet précédente que le Vbesat, etc, ont telle et telle valeur à tel gain forcé et tel courant, mais cela ne renseigne pas sur l'état de saturation ou pas du transistor (sauf que, indirectement, si on met un indice "sat" aux valeurs, cela implique que l'on est à la saturation).

La saturation est la perte de contrôle du courant de base sur le courant de collecteur, et elle se produit quand le gain forcé est plus petit que le gain linéaire.

Comme le gain linéaire exact est inconnu, et qu'en plus il est mesuré à un certain Vce fixé, typiquement entre 1 et 10V, il y a une certaine incertitude.

On considère en général que pour les gains forcés compris entre le gain linéaire et sa moitié, on est en régime de présaturation: il y a encore un faible contrôle du courant de base sur le courant de collecteur.
A environ la moitié, le Vcb va passer sous zéro, et on sera en saturation.
Il peut y avoir des écarts: des transistors haute tension, bien qu'obéissant au critère du Hfe/2 auront encore un Vce très élevé; mais ils seront bien en saturation, puisque le courant de base n'a plus de contrôle.

En résumé, on peut dire que le transistor sera saturé si le gain forcé <Hfe/2 pour le courant considéré, mais souvent on ne pourra pas dire avec précision à partir de la datasheet quels seront les paramètres dans ces conditions.
C'est vraisemblablement le cas ici.
Si on emploie les valeurs données pour la mesure des paramètres de saturation, on a en principe des points fixes garantis (encore qu'il y ait peu de chances que le courant effectif de travail corresponde), mais il vaut mieux généralement éviter ces valeurs, et employer des composants prévus pour travailler en régime saturé et qui ont des données plus détaillées dans ce domaine, ce qui permet d'optimiser le circuit: travailler à des gains forcés excessivement faibles a des inconvénients: temps de stockage élevé, remontée des tensions de saturation, perte d'énergie, etc.

[invite78936473]

je vous remercie de vos réponses je continue cet exo!

Bonne soirée

[Tropique]

je vous remercie de vos réponses je continue cet exo!

C'est ce qu'il y a de mieux à faire, même si les données numériques craignent un peu: après tout, si on te parle d'Icsat et de Vcesat, c'est que le transistor a les moyens de se saturer, et tant qu'il n' y a pas d'impossibilité directe, "cela fait partie des données du problème".
Ce qui n'empêche absolument pas de se poser des questions pour comprendre un peu mieux ce qui se passe à un niveau supérieur.