Bonsoir on cherche à dimensionner la résistance R du montage ci-joint .
Le transistor (bipolaire) utilisé est le 2n2222a.
Caractéristique du relai : résistance interne 113 ohm , on a calculé l'intensité qui le traverse I= 44 mA (car la tension d'alimentation est de 5V).
Merci
Bonsoir Ppe2012 et bienvenue sur Futura,
Première question : la commande sur R est faite en quelle tension; ensuite, comme c’est un devoir, on te demande de montrer où tu en es?
Bonsoir.
la relation pour le courant du collecteur/émetteur c'est: Ic = (5v-Vce)/113 mais comme Vce = approximativement 0v lorsque le transistor est saturé donc Ic = 44.10-3 A
Maintenant : Ib = Ic/hfe et Rb = (Vin-0,7)/(Ib) donc aussi Rb = (Vin-0,7)/(Ic/hfe)
pour le gain, je vous laisse le soin de chercher sur internet... et généralement une résistance d'1k suffit largement pour faire saturer le transistor dans la majorité d'applications...
Cordialement
Attention si c'est dans le cadre d'un devoir, Vce n'est peut être pas à négliger, de l'ordre de 0,3 à 0,4v en saturation
Merci pour votre aide , je vais plancher dessus et si jamais je rencontre d'autres problèmes je vous en informerais .
C'est quoi Vin ?
Bonsoir, j'ai réflechis à ce que vous m'avez dit, mais je ne sais pas ce que vous voulez dire par Vin ?
Bonsoir
Vin, c'est la tension d'entrée du montage, présentée sur la borne gauche de la résistance de base. Il est évident que la valeur de cette résistance ne sera pas la même selon qu'on pilotera le circuit avec une tension de 10V ou avec une tension de 3 V...
Lorsqu'on pilote un transistor bipolaire en commutation, on cherche généralement à le saturer, en appliquant un courant de base très supérieur au minimum nécessaire pour faire circuler le courant de collecteur requis. Le plus souvent, on fixe le courant de base environ au dixième du courant de collecteur (β=10) soit :
Pour les valeurs de VCEsat et de VBEsat, on peut se contenter de faire une approximation en prenant respectivement 0,2 V et 0,7 V.
Toutefois, il est préférable de consulter la datasheet du transistor pour y trouver des valeurs typiques plus exactes. On peut ainsi lire que pour ICsat=44 mA, β=10 et une température de 25°C, on a finalement VCEsat≈0,06 V (fig. 2) et VBEsat≈0,79 V (fig. 3)
Vin= V..input .....V entréeEnvoyé par Ppe.2012
Vout= V..output...V sortie
A+
