Utilisation des diodes de body des MOSFET

[Antoane]

Bonjour à tous,

la diode de body des MOSFET peut-elle servir de diode zener ou cette partie de la caractéristique est-elle interdite ?
Je ne trouve pas la donnée dans les datasheet...

La question est d'ordre très général, mais pour donner un exemple : dans un montage à transfo, connaissant l'inductance de fuite, est-il nécessaire de monter un snubber/une zener en parallèle du primaire ou puis-je compter sur la diode de body de mon transistor de découpage pour absorber les pics de tension ? Autre exemple : j'ai besoin d'une grosse zener d'au moins 60V, puis-je utiliser un NTD3055 (http://www.onsemi.com/pub_link/Colla...3055-150-D.PDF) @Vgs=0 ?

Merci d'avance.


PS : avec un s à diode, au temps pour moi. Et plus accessoirement : à Mosfet aussi.
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[invitee05a3fcc]

Ce n'est pas une diode Zener ...... tu es limité en tension drain par la valeur de BreakDown V(br)dss

[Antoane]

Ok, merci.
Et aller dans cette zone de la caractéristique est fortement déconseillé ?

[invitee05a3fcc]

Ben oui .... c'est la zone de BreakDown

Je ne sais pas ce que tu veux faire comme montage, mais vaut mieux éviter !
- Soit en prenant un MOS largement dimensionné en tension
- Soit en rendant conducteur le MOS (Zener entre drain et source)
- Soit avec un snubber pour absorber le pic de tension fugitif

[A voir en vidéo sur Futura]

[gcortex]

C'est comme çà qu'on pète les transistors avec des relais sans diode

[Tropique]

Ok, merci.
Et aller dans cette zone de la caractéristique est fortement déconseillé ?

Pratiquement tous les MOS modernes sont "avalanche rated", exemple: www.vishay.com/docs/91237/91237.pdf
Cela signifie qu'en principe, la jonction peut servir de diode avalanche ("zener") forte puissance, puisqu'elle est spécifiée comme telle.
Ceci dit, ce n'est pas quelque chose que je fais moi-même, et ce n'est pas quelque chose que je vois faire dans d'autres designs: cette caractéristique est bienvenue, certes, mais pas employée activement. Elle reste en réserve, au cas où. Je pense que c'est préférable, je n'aime pas trop le mélange des genres: un switch fait du switching, et un écrêteur écrête...
Peut-être que je (nous) passons à côté de quelque chose, comme nos parents et grands-parents, qui pour jouer à papa-maman ne connaissaient qu'une seule voie...

Le fait est que cette spec n'est pas juste de la pub en l'air: ça fonctionne réellement. Lors de la mise au point de convertisseurs, il m'est arrivé de mordre dans la zone de claquage, c'était visible à l'oscillo et ça n'a pas eu de résultat funeste, mais pour un fonctionnement permanent, je n'aimerais pas me baser là-dessus.
Encore une fois, c'est peut-être un préjugé qui me coute cher, mais j'aurais beaucoup de mal à me convaincre de faire autrement

[Antoane]

Merci pour vos explications !

[polo974]

IBM a utilisé cette fonctionnalité sur des imprimantes thermiques pour piloter des moteurs pas à pas unipolaires...

[gcortex]

En push-pull, les diodes internes fonctionnent surtout dans le sens direct.
http://www.ti.com/lit/an/snva006b/snva006b.pdf

[polo974]

Mais là, il s'agit "d'oublier" la diode de roue libre et de compter sur l'avalanche du mos quand la tension aux bornes monte pour cause de self dans le voisinage...