Bonjour,
J'ai une petite question concernant ce montage. J'avais lu dans une note d'application, que dans cette configuration, qu'il pourrait avoir un pic de courant dans le drain du transistor Q1 lors de la commutation. Certaines personnes mettent une capa entre le drain et la source de Q1 pour limiter le pic de courant. J'aimerais savoir si vous connaissez la méthode pour déterminer cette capa.
Merci
Le courant Id vaut Vin / Rload.
Soit ton Mosfet est capable de le supporter, soit il t’en faut un plus gros, on en trouve à 30A et plus et le fabricant donne souvent les courants admissibles pour des périodes courtes (à la commutation) qui sont encore plus élevés.
Ralentir la transition par ta capa va faire chauffer le transistor et donc me semble une très mauvaise idée.
男人不坏，女人不爱
Bonjour, ce qui est important quand on commute un Mosfet, entre autres, c'est de se soucier du S.O.A (SAFE OPERATING AREA), donnée trop souvent sous estimée et pourtant si essentielle en commutation.Lorsqu'on commute rapidement une charge on a un di/dt qui va produire inévitablement une surtension lors de l'ouverture du commutateur, cela aussi il faut en tenir compte en évaluant l'ensemble de la "chaine".
Ok merci de m'avoir répondu .SOA, c'est bien la zone qui permet de déterminer la durée maximale des pulses que le composants peut accepter sur ses bornes. Pour en revenir à ce que tu disais lorsqu'il y a une forte variation de courant, il y a une élévation brusque de la tension. De quelle manière , je peux dimensionner cette élévation brusque de tension, et comment je pourrais la compenser pour ne pas détériorer ma charge.
Ok merci de m'avoir répondu .SOA, si je ne me trompe pas , c'est bien la zone qui permet de déterminer la durée maximale des pulses qu'un composant peut accepter sur ses bornes. Pour en revenir à ce que tu disais lorsqu'il y a une forte variation de courant, il y a une élévation brusque de la tension. De quelle manière , je peux estimer cette élévation brusque de tension, et comment je pourrais la compenser pour ne pas détériorer ma charge. J'avais également appris qu'à la fermeture du MOSFET, qu'un pic de courant était provoquée et qu'un condo était mis en entre le drain et la grille (ou la source pour dans d'autres configurations) pour contrôler le dV/dt. Hypothèse : la charge a un courant nominal In et que le Îdmax admissible par le mosfet respecte la relation suivante :
Îdmax=4*In
Si le dV/dt est brusque, n'y a t il pas des chances que la charge prenne un pic de courant en pleine figure?
Merci à vous
désolé pour le doublon , j'ai dû faire une mauvaise manip.
Le SOA est le domaine d'utilisation sécurisé au niveau du silicium du transistor, il dépend du courant, de la tension et du temps.C'est pour ça que l'on peut par exemple griller un transistor sans qu'il devienne nécessairement chaud.La puissance transmissible sans casse est définie par ce graphique, déborder de ces limites entraine la destruction ou en tout cas une dégradation irréversible des caractéristiques, mais bien plus souvent la mort du transistor.Lorsqu'un transistor commute, le courant progresse selon la vitesse de commande et la tension diminue, donc le transistor se trouve à un moment donné, même brièvement, dans sa zone ohmique.
Lorsqu'un courant circule dans un conducteur, celui-ci a toujours une dimension inductive, en pratique on compte 10nH/cm (conducteur seul) comme ordre de grandeur.Ainsi 10cm fait 100nH, à cela on ajoute les composantes inductives liées au reste se trouvant dans le chemin de courant, on additionne le tout et on en déduit, connaissant la vitesse de progression du courant (di/dt) la surtension générée: v=Ldi/dt.Par exemple 1µH avec un courant de 10A et une vitesse de commutation de 1µs engendre une surtension de v= 1^-6*10/1^-6=10V.Si on commute en 100ns c'est 100V qui apparaitra aux bornes du switch, qui, s'il accepte seulement un VDS(max) de 60V sera détruit.Il faut donc prévoir un dispositif qui écrête cette surtension, comme une transil par exemple.
Dernière modification par HULK28 ; 03/09/2013 à 16h38.
Envoyé par HULK28
ah ok.Merci de tes explications.Le but est de ne pas être au limite de la SOA pour ne pas détériorer le mos.En gros si on considère que dans un conducteur, on compte 10nH/cm, on est capable de déterminer le di/dt. C'est très bon à savoir merci. En gros faut connaitre les dimensions de la piste.
J'ai une autre question, sur le schéma ,à quoi sert le condo C1? je me demande , si ce n'est pas pour ralentir la commutation.
Merci
Merci
