des résultats sur une connerie, on en trouve une tonne sur internet ..... ce n'est pas ma tasse de thé !Envoyé par Zenertransil
Je te demande un lien sur la datasheet d'un transistor (de ton choix) capable de se saturer avec 5A et je te montre que ce coefficient de sursaturation n'existe pas .
J'avais parlé de ça avec un prof quand j'étais à l'IUT, un enseignant chercheur, un abruti de plus probablement, qui parlait lui aussi de choses qui n'existent pas... Bon, je pense qu'il vaut mieux arrêter là, ça devient complètement absurde!
Non, ce n'est pas absurde ! Donne moi un lien sur la datasheet d'un transistor (de ton choix)
Pièce jointe 246319
Un extrait du schéma complet mais l'essentiel.
Je ne pilote que les pins 14,11,10 et 13.
J'ai plusieurs 74HC595 en série.
Mon programme compte jusqu'au maximum de pins de sortie pour les mettre à zéro et ensuite je compte jusqu'à la valeur souhaitée et j'active et désactive la gâche via OE justement.
Je n'ai aucunes résistances de pull up ou pull down, c'est peut être cela que tu veux évoquer ?
Tu mets une PullUP de 10K sur /OE
A la mise sous tension,pendant le reset, les TIP122 ne seront pas activés
Merci pour ton aide précieuse
Alors comme le ZenerTransil est transi et ne veux pas répondre je le fait à sa place .....
Soit le transistor BC556 (je l'utilise car j'ai le choix des armes et que j'ai ce fichier depuis 2011 .... il me sert trop souvent ! hélas).
- On voit le Hfe (gain en petit signaux) 125
- On voit le gain en saturation 20
Où voit on la sursaturation ? nulle part !
PS : Je fais la même démonstration avec n'importe quel transistor de commutation !
Petite mise au point: le beta Daudet est exactement cela et rien de plus.
Dans la PJ qui précède, la rubrique Hfe spécifie effectivement un gain, beta, h21, ce qu'on veut: c'est le rapport d'un courant à un autre, rien à signaler.
La seconde rubrique spécifie le Vcesat, dans des conditions de mesure définies, notamment le rapport Ic/Ib, qui s'appelle normalement gain forcé. Gain en saturation, pourquoi pas, mais alors à condition de savoir de quoi on parle. En tous cas la spec ne parle pas de ça: c'est juste accessoire.
Un transistor entre en saturation lorsque le contrôle linéaire est perdu, autrement dit dès que l'on impose un courant de base > (le courant de collecteur possible)/Hfe.
Dans les faits, il y a une certaine zone grise: le Hfe linéaire varie de façon appréciable, et la tension Vce pour la mesure du Hfe est différente du Vcesat, mais en réalité, dès que le gain forcé est un peu supérieur au gain linéaire, on est presque immédiatement en saturation avec des transistors normaux: c'est lié à la tension d'Early, qui est telle qu'avec un excédent de Ib de 10%, on sera toujours largement en saturation, quelles que soient les conditions de mesure du Hfe (linéaire).
On sera donc en saturation, mais sans savoir réellement quelle est la tension de saturation: on pourra juste dire que Vce<Vbe. C'est quelque chose dont il faut s’accommoder, parce que de toutes manières, il est pratiquement impossible de reproduire à l'identique les conditions de mesure de la tension de saturation donnée dans la datasheet: il faudrait beaucoup de chance pour que les courants correspondent exactement, et dès que l'on sort des conditions exactes spécifiées, les données ne sont plus valables si on veut être strict.
On pourrait croire qu'en forçant un gain encore plus faible que celui servant à la spec, on gagnerait en certitude: erronément, car passé une certaine valeur, il y a un rebroussement et Vce réaugmente.
En pratique, on considère que si le gain forcé est compris entre le gain linéaire minimum et la moitié de cette valeur, on est en présaturation: le Vce ne sera pas minimum, mais le temps de stockage n'atteindra pas des valeurs énormes. Sous 0.5Hfe, on entre en saturation profonde: le Vce ne varie plus que de façon infime en fonction de Ib, et le temps de stockage augmente considérablement.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Chacun peut interpréter les spécifications à sa guise et c'est son droit le plus strict. Moi, je ne les interprète pas, je les respecte. C'est tout .
Dans ce cas, pour pousser la logique jusqu'au bout, à chaque fois qu'on utilise ce transistor en linéaire, on doit toujours travailler à Ic=2mA et Vce=5V: c'est exactement la même démarche.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Quoi qu'il en soit, pour 3 ampères, un Mosfet serait plus adéquat pour cette application.
La datasheet du TIP122 donne un VCEsat de 2Vmax et 4Vmax à 4A. ça va faire:
1/ de la perte de tension en ligne
2/ de la puissance à dissiper inutilement par le TIP -> radiateur obligatoire
Tout existe, il suffit de le trouver...!
Là, c'est vraiment petit, petit, comme remarque!
Evidemment, le constructeur ne peut pas tester toute sa production avec tous les couples possibles de Vce versus Ic pour le paramètre hfe !
Donc il a choisi Vce=-5V et Ic=-2mA (ce qui lui permet de trier les transistors en classe A , B et C)
Par contre, il donne des courbes qui donnent l'évolution de ce paramètre (entre autres) en fonction de Ic
On prend une spécification complète http://pdf.datasheetcatalog.com/data...gy/mXrszys.pdf
Voir les courbes pages 4 et 5
Ce qui permet d'estimer le hfe pour d'autres configuration de polarisation . De toutes les façons, la valeur de ce paramètre n'a pas beaucoup d'importance à condition qu'il soit "grand". En effet, si on se base sur la valeur du hfe pour faire fonctionner un étage d'amplification, comme d'un échantillon à un autre, on peut avoir des différences dans le rapport de 1 à 2 (110 à 220 pour le groupe A par exemple), le gain de l'étage est un peu aléatoire !
Donc, on contrôle la valeur exacte du gain par un ratio de résistance dans le montage (à condition, comme déjà dit, que le Hfe soit plus grand que ce qu'on espère avoir comme gain avec la contreréaction)
NB : ce genre de compensation n'est pas faisable en commutation bloqué/saturé. D'où l'importance de respecter la spécification
La démarche est identique: ériger un paramètre servant de condition de mesure au rang de caractéristique, imposée de surcroit.
Le "gain en saturation" est une chimère, qui n'existe nulle part dans les datasheets. Le gain forcé est celui que le designer impose; après, le transistor dispose: si la valeur imposée est trop forte, on retombe en linéaire.
Les datasheets ne comportent que très peu de données "dures". Il est impossible de faire le design d'un circuit en s'y tenant rigoureusement, sauf coup de chance exceptionnel.
Il faut donc "broder", faire preuve de bon sens en supposant que le transistor obéit aux lois générales, et il n'y a pas de raison d'être plus sélectif pour un paramètre que pour un autre.
Si on veut absolument avoir un transistor ayant une tension Vce précisément définie dans certaines conditions, il faut en trouver un qui soit justement caractérisé pour ces conditions exactes, ce qui risque d'être difficile, ou il faut demander une sélection particulière au fondeur: c'est que font Agilent, Tektronix, les industries aérospatiales par exemple, mais ce n'est pas bon marché.
Dernière modification par Tropique ; 12/04/2014 à 10h44.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Comme on ne sera jamais d'accord sur le sujet, moult fois abordé chaque fois que je sort ma spécification.....
Tu as expliqué ta philosophie d'interprétation de la spécification , moi la mienne de respect de la spécification (pour info, j'ai passé 10 ans dans une boite de semiconducteur).
Le lecteur a toutes les billes pour se faire une idée, je vais en rester là .
Diable.. que faites vous des règles empiriques ! mes professeurs m'ont toujours appris la règle de Hfe/10 pour obtenir une bonne saturation, que j'ai toujours appliqué sans problème !
Tout existe, il suffit de le trouver...!
Et c'est ça, le coefficient de sursaturation... Ici, 10! Sur la datasheet postée par Daudet, il apparaît clairement même s'il n'a pas de case associée: 125/20, soit 6,25. Ce n'est qu'une notation, il y a différentes appellations pour parler des mêmes choses. Il ne faut juste pas être trop obtu...
Le gain en régime linéaire est fonction du courant de collecteur, de la température de jonction, etc. D'où les courbes présentées gracieusement par les constructeurs, plus fiables que les quelques valeurs données dans les tableaux pour déterminer (approximativement) le gain à un point de fonctionnement donné, en régime linéaire. Là, en appliquant le coefficient précité, on obtient une valeur du gain en saturation plus proche de la valeur réelle à ce point de fonctionnement en saturation. Je doute que, lorsque le gain linéaire varie dans de fortes proportions dans la SOA, le gain en saturation, lui, soit constant! C'est pour ça que je procède ainsi, afin de suivre au moins un minimum ses variations pour choisir un point de fonctionnement.
Le coefficient de sursaturation peut-être déterminé de façon empirique comme l'a dit Qristoff, j'avais entendu parler d'une valeur compris entre 3 et 10, avec une moyenne à 5-6, ou obtenu à partir de la datasheet en divisant le gain en régime linéaire par le gain en saturation.
Je ne prétends pas que cette méthode de calcul soit infaillible, mais j'ai tendance à penser qu'elle est plus fiable que de considérer que les données relevées pour UN (ou deux) points de fonctionnement sont applicables pour TOUS LES AUTRES en termes de gain ou d'autre chose. A tort peut-être, mais pour le moment, ça ne fonctionne pas trop mal... Et je ne suis pas le seul à le penser, visiblement, si on accepte de croire que TOUS les liens web qui en parlent ne sont pas tenus par des ignares ou des profanes!
ben oui ! Et, pour le transistor dont on cause, on retrouve la valeur de 20 !
Alors pourquoi utiliser une coutume si c'est marqué dans la spécification ?
