transistor NPN

[invite068285f5]

pourquoi la base doit-elle étre de faible extension pour transistor NPN???
et pour un transistor PNP comment on trace le diagramme énergitique à l'équilibre et en mode normal
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[invitee05a3fcc]

Tu as les lettres J i c u e o b m n et r sur ton clavier ?

[invite068285f5]

oui pourquoi

[invitee05a3fcc]

oui pourquoi

Demande toi ce que tu aurais du en faire !

[A voir en vidéo sur Futura]

[invite068285f5]

j'ai rien compris??

[Antoane]

Bonsoir,

La charte du forum précise explicitement que l'on doit dire bonjour en arrivant, et merci en partant. Ca ne sert à rien, mais met tout le monde de bonne humeur.
C'est ce qu'a essayé de te faire comprendre Daudet, à sa manière.

La base doit être fine pour limiter les recombinaisons en son sein.
Diagramme énergétique = diagramme de bandes ?
https://en.wikipedia.org/wiki/Bipola...y_and_modeling

Bonne soirée.

[invite068285f5]

Bonjour
désolé je m'execuse car un peu de stresse oui

[invite068285f5]

pourquoi la base doit-elle être de faible extension pour transistor NPN??? cette question il ya une réponse pour cette question ???

[gienas]

Bonsoir ghnadou et tout le groupe

pourquoi la base doit-elle être de faible extension pour transistor NPN? ...

Pour pouvoir répondre à ta question, il faudrait déjà la comprendre.

Là, la "faible extension" de la base ne me dit rien. Peux-tu nous donner le contexte de ton expression, ou, encore mieux, un lien vers un document d'où tu la sors.

Peut-être est-ce une mauvaise traduction d'une expression anglaise, encore faudrait-il savoir quelle était la phrase originale.

[Jack]

ghnadou veut peut-être parler du dopage de la base ?

[invite068285f5]

bonjour a tous
en faite c'est un examen dans l'exercice il dis : un transistor bipolaire en silicium NPN transistor esr constitué d'une région d'émetteur à fort dopage N, d'une région de Base de type P et d'un collecteur de type N. ce dispositif présente une jonction base emetteur P/N et une jonction base collecteur PN polarisé respectivement avec Vbe et Vbc
1/tracer le diagramme énergétique à l'équilibre (Vbe=0 et Vbc=0)
2/tracer le diagramme énergétique pour (Vbe>0 et Vbc<0)
3/pourquoi la base doit-elle être de faible extension?.

[Antoane]

Bonjour,

1/ Il faut tracer les 3 diagrammes en bande correspondant à chaque zone de silicium puis les relier en plaçant les niveaux de Fermi à la même hauteur.
2/ Ca commence comme le 1.
3/ La base doit être fine de manière à limiter les recombinaisons entre trous venant de la connexion de base et e- venant de l'émetteur car ces recombinaisons limitent le gain du NPN. https://fr.wikipedia.org/wiki/Transi...fonctionnement


Bon... Tout ça sera expliqué en détail dans le premier cours sur l'effet transistors (vu du côté de la physique) que tu trouveras.
Sur internet ou dans ta BU préférée.