Bonjour,
N'ayant pas réponses à mes questions,j'ai parcouru internet et le forum pour trouver des informations. Je suis tombé sur l'image "Beta Daudet" qui différencie le gain en saturation et le gain en petits signaux des transistors bipolaire, très utile au passage.
Dans mon application, je dois venir commuter une sirène ( charge selfique - 90 mA) avec un microcontrôleur, donc j'utilise mon transistor en régime de saturation, je me suis donc référer l'image en pièce jointe en prenant le gain correspondant.
Il a cependant une dernière chose que je ne parviens pas à comprendre sur ces transistors. Quand on parle de petits signaux dans un datasheet, ils font référence à quoi,je veux dire par exemple avec quelle application?
Car j'ai testé avec deux valeurs de résistances, une en prenant le gain en saturation, ce qui me semble logique et une autre avec le HFE pris en compte et les deux montages fonctionnaient. En admettant que prendre le Hfe soit une erreur comme je le suspecte, quelles sont les inconvénients à terme ?
Pour conclure,comment savoir si il faut choisir la valeur Hfe donc ou la valeur de gain de saturation( dans mon application donc, commuter une sirène - 90 mA).
Je me suis permis de remettre l'image au passage en pièce jointes.
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