Bonjour à tous,
Je teste en ce moment le bs170. Datasheet
Je pilote la gate en 5v , j'ai une charge résistive sur le drain de 68 Ohm alimenté en 15 V (Montage très simple pour tester). La source est relié à la masse. Ca fonctionne , j'observe une chute de 0,9 V entre le Drain et la source ce qui correspond environ à a RDs ON de 4,34 Ohm..Ok on est dans le clous de la datasheet.
Par contre , si j'alimente la gate en 3,3V..Le transistor devient "peu" passant..J'obtiens un VDS de 7,5 ..Ce qui fait un Rds On de 68 ohm..Ok J'en conclu que ce transistor n'est pas fait pour être piloter à partir d'une tenstion de 3,3V sur le gate. Pourtant , dans la datasheet le seuil est indiqué à 2,1V...
Le graphique "On Region Characteristics" confirme ce que j'observe avec un VGS de 3,3 v à savoir un courant faible de VDS (Donc Rds élevé) . Dans ce cas que signifie la Gate Threshold Voltage ? Faut il prendre une marge importante entre la tension de commande et le seuil indiqué ?
Et la question N° 2 , pour piloter un mosfet en 3,3V. Quel seuil doit on choisir...
Je suis faché avec les mosfet....Mais j'aimerais bien me réconcilier...
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