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Faché avec les mosfet.



  1. #1
    activmaker

    Faché avec les mosfet.


    ------

    Bonjour à tous,

    Je teste en ce moment le bs170. Datasheet
    Je pilote la gate en 5v , j'ai une charge résistive sur le drain de 68 Ohm alimenté en 15 V (Montage très simple pour tester). La source est relié à la masse. Ca fonctionne , j'observe une chute de 0,9 V entre le Drain et la source ce qui correspond environ à a RDs ON de 4,34 Ohm..Ok on est dans le clous de la datasheet.
    Par contre , si j'alimente la gate en 3,3V..Le transistor devient "peu" passant..J'obtiens un VDS de 7,5 ..Ce qui fait un Rds On de 68 ohm..Ok J'en conclu que ce transistor n'est pas fait pour être piloter à partir d'une tenstion de 3,3V sur le gate. Pourtant , dans la datasheet le seuil est indiqué à 2,1V...
    Le graphique "On Region Characteristics" confirme ce que j'observe avec un VGS de 3,3 v à savoir un courant faible de VDS (Donc Rds élevé) . Dans ce cas que signifie la Gate Threshold Voltage ? Faut il prendre une marge importante entre la tension de commande et le seuil indiqué ?
    Et la question N° 2 , pour piloter un mosfet en 3,3V. Quel seuil doit on choisir...
    Je suis faché avec les mosfet....Mais j'aimerais bien me réconcilier...

    -----

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  3. #2
    penthode

    Re : Faché avec les mosfet.

    hello ,,
    Threshold veut dire seuil en anglosaxophone...

    c'est la tension pour laquelle ton mos devient conducteur.

    après , il te faut lire les courbes.

    tout comme un bipo , ou le courant de base en régime linéaire est inférieur à celui de saturation.
    Dernière modification par penthode ; 29/08/2019 à 22h12.
    Là où le mensonge prolifère, la tyrannie s'annonce ou se perpétue.

  4. #3
    nornand

    Re : Faché avec les mosfet.

    VGS est la tension de grille appliquée à la porte du transistor MOS. Pour activer le MOSFET, vous devez appliquer Vgs> Vth.
    C'est la tension se seuil de début de conduction ( non pas avec le Rds mini)

    Donc , ne pensez pas qu'en appliquant Vgs = Vth(min)vous pouvez vous attendre le courant de drain nominale maximale de circuler à travers le MOSFET. Vous êtes juste en début de conduction le Rds est élevé .

    A Vgs = Vth, le MOSFET met simplement a conduire et n'est pas en mesure de permettre un courant MAX de drain de circuler à travers.
    voir le datasheet qui donne 1 mA .

    Voilà j'espère ne pas avoir écrit trop de bêtises . les suivants corrigeront mes erreurs .

  5. #4
    activmaker

    Re : Faché avec les mosfet.

    re,

    Merci beaucoup, j'ai compris mon erreur.

  6. #5
    Antoane

    Re : Faché avec les mosfet.

    Bonsoir,

    La définition de la tension de seuil est décrite dans la datasheet. Pour le BS170, par exemple :
    fs18.PNG
    On voit sur la 1ere ligne que Vgs(th) est spécifié pour Vgs = Vds et pour Id = 1 mA. C'est à dire que avec une tension de 2.1 V (typiquement), la résistance équivalente du composant est de :
    Vds /Id = 2.1 kOhm (i.e. si on applique 2.1 V, le courant vaut 1 mA).

    Par ailleurs, on observe une très forte dispersion de ce paramètre Vgs(th) : certains composants auront une tension de seuil de 0.8 V, d'autre de 3 V... Finalement, cette valeur à peut d'importance pour des applications en commutation (sauf éventuellement pour dire qu'on est sûr que le composant est bloqué si Vgs<0.8 V ).

    Ce n'est donc pas la tension de seuil qui permet de choisir un MOSFET pour une application en commutation, mais la tension pour laquelle la Rds,on est spécifiée.
    Sur la figure ci-dessus, par exemple, on voit que la Rds,on est donnée pour Vgs=10 V. Autrement dit : ce composant est prévu pour être piloté en 0/10 V.
    Le 2n7002 (https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ds11303.pdf) quant à lui par exemple, est prévu pour être piloté en 0/5V ou plus.
    Le SiA436 (https://www.vishay.com/docs/63535/sia436dj.pdf) par exemple, est prévu pour être piloté entre 0/1.2 V et 0/4.5 V.

    Attention avec le vocabulaire :
    - lorsqu'un transistor bipolaire conduit "bien", il est dit "saturé" alors que dans le même état, le MOSFET est dit "en focntionnement linéaire".
    - lorsqu'un transistor bipolaire conduit "mal" (i.e. qu'il est assimilable à une source de courant), il est dit "fonctionnement linéaire" alors que dans le même état, le MOSFET est dit "saturé".
    Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.

  7. A voir en vidéo sur Futura
  8. #6
    activmaker

    Re : Faché avec les mosfet.

    Re,

    Excellentes explications , c'est vraiment plus clair maintenant..Voyons maintenant si j'ai compris vos explications
    -Je cherche un mosfet un peu passe partout dans mes montages , a savoir VDS entre 12 et 15v, 1A conso max et pilotable par Mcu soit en 3,3V soit en 5v. J'ai l'impression que celui ci répond à mes critères. Est ce un bon choix ?
    Dans le cas d'une charge inductive (Moteur ou solenoide) , y a t'il un autre critère à surveiller ?. Je pense notamment au temps de coupure, qui je suppose ne doit pas être trop faible (dv/dt) pour limiter la réaction de l'inductance. Le modèle choisi semble assez rapide (Trop ?) pour un charge inductive ?

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  10. #7
    DAT44

    Re : Faché avec les mosfet.

    Bonjour,
    oui, ce transistor convient.
    Pour les charge inductive, il ne faut pas oublié la diode de roue libre en //, afin d'évité la surtension a la coupure (qui pourait détruire le transistor)...

  11. #8
    F15

    Re : Faché avec les mosfet.

    Je vois que tu as une charge de 68 ohm 15V, donc en gros 200mA

    Si tu veux piloter ton MOSFET avec 3V ca va pas marcher: VGS ne peut pas delivrer 0.2A a3V
    VGS.jpg

    Le bs170 est un MOSFET general purpose pas trop fait pour switcher des load comme tu veux le faire.

    Pour ce que tu veux faire choisit un MOSFET avec un Rdson faible voir tres faible
    Mouser.jpg

    regarde la difference avec un MOSFET specialise "Low-side load switch" PMV60ENEA
    PMV60ENEA.jpg
    Images attachées Images attachées
    Dernière modification par F15 ; 01/09/2019 à 09h29.

  12. #9
    activmaker

    Re : Faché avec les mosfet.

    Bonjour,

    Merci F15 pour cette précision...Le PMV60ENEA à effectivement un Rds on faible..Même pour un VGS faible...Oui, le bs170 n'est pas adapté à mes besoins et j'ai bien compris pouquoi..
    Je vais prendre un PMV60ENEA et un BSS816NW pour quelques test et mesures pour mieux comprendre le fonctionnement des mosfets.

  13. #10
    Antoane

    Re : Faché avec les mosfet.

    Bonjour,
    Citation Envoyé par F15 Voir le message
    Je vois que tu as une charge de 68 ohm 15V, donc en gros 200mA

    Si tu veux piloter ton MOSFET avec 3V ca va pas marcher: VGS ne peut pas delivrer 0.2A a3V
    Pièce jointe 394524

    Le bs170 est un MOSFET general purpose pas trop fait pour switcher des load comme tu veux le faire.
    Ces courbes sont, ici, d'une pertinence très limitée : La tension de seuil présente une bien trop grande dispersion pour que l'étude d'un composant typique suffise. Le paramètre à regarder est la tension pour laquelle est définie la Rdson

    Le PMV60ENEA est ainsi prévu pour être commandé en au moins 4.5 V, le BSS816NW dès 1.8 V.
    Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.

  14. #11
    activmaker

    Re : Faché avec les mosfet.

    Bonjour Antoane,

    C'est la raison qui m'avait poussé à m'orienter vers BSS816.. Je m'étais basé sur tes conseils.
    Quoi qu'il en soit, les 2 ref sont commandés, je m'attends à voir fonctionner les 2 ref en 5V, mais pas forcément en 3.3V.

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