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Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D



  1. #31
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D


    ------

    Calcul de R34 : 9,5V/0,006A=1500Ohms. En fait j'ai pris arbitrairement R34 pour avoir moins de 10mA. Comme il n'y a que le CD4013 à alimenter et que la zener sera découplée par un condo, j'estime que c'est largement suffisant.
    Et j'ai aussi voulu que le courant qui y circule ne soit pas trop élevé lorsqu'il y a redressement de 30Vac, qui donnent 46Vdc : 34V/1500=23mA.
    Le CD4013 est bien alimenté en 12V, VDD et VSS sont aux bornes de la zener.
    Très bien, merci beaucoup pour ses explications.

    Il y à quand même quelque chose qui me turlupine...

    En temps qu'électricien, j'ai toujours cru comprendre que le courant en ampère dépendais de la résistance de la charge et de la tension appliquée à celle-ci !!!

    Et j'ai aussi voulu que le courant qui y circule ne soit pas trop élevé lorsqu'il y a redressement de 30Vac, qui donnent 46Vdc : 34V/1500=23mA.
    Ce n'est pas la première fois que je lis se genre de choses...

    Pourquoi doit on limiter le courant qui peut arriver jusque à la charge alors que pour moi si la charge à besoin de 100mA elle consommera 100mA... pas plus ... !?
    Je comprends pas cette nécessité de limité le courant.

    Limité la tension, ça je visualise pas de problème...

    Merci d'éclairer mes lumières.

    -----

  2. #32
    gienas
    Modérateur

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Citation Envoyé par LA ROUD Voir le message
    ... Il y à quand même quelque chose qui me turlupine...

    En temps qu'électricien, j'ai toujours cru comprendre que le courant en ampère dépendais de la résistance de la charge et de la tension appliquée à celle-ci ...
    Ceci est vrai, puisque tu prends la précaution de choisir une charge résistive connectée à une tension. Ce système est bien régi par la loi d'Ohm. Il s'agit d’éléments ayant un comportement linéaire.

    Citation Envoyé par LA ROUD Voir le message
    ... Pourquoi doit on limiter le courant qui peut arriver jusque à la charge alors que pour moi si la charge à besoin de 100mA elle consommera 100mA... pas plus ...
    Très souvent, en électronique, on a affaire à des éléments non linéaires.

    La diode Zener en est un exemple flagrant. Le fonctionnement est utilisé exclusivement un inverse, puisque, dans le sens direct, c'est une diode tout à fait ordinaire.

    En inverse, jusqu'au seuil de la caractéristique Zener, le courant est totalement nul: c'est un circuit ouvert, comme une vraie diode.

    A partir du seuil Zener, il y a un coude franc qui maintient une tension quasiment fixe quel que soit le courant. C'est équivalent, pour les calculs, à une source de tension Uz, en série avec une résistance dynamique de quelques ohms.

    Si l’on ne prend pas la précaution de limiter le courant, ce courant peut prendre des valeurs destructives. Ne pas oublier que ce courant traverse la diode Zener sous une tension Uz, ce qui peut faire très vite des watts qui chauffent. Les destructions se font le plus souvent par les watts qui se transforment en chaleur.

  3. #33
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Bonjour Gienas, merci pour ta réponse.

    Si je comprends une charge résistive donnera un comportement linéaire telle que je l'ai toujours assimilé. Le courant se limite de lui même.

    Il va falloir que je me familliarise avec ce vocabulaire "charge résistive", "composants linéaire" ...

    Pour ce qui est des composants non linéaire c'est autre chose... Là aussi je vais creuser pour comprendre mieux ce que ça signifi, comment ça marche et pourquoi ? ...
    Malgrès votre explication, je suis perdu...
    Je n'ai pas compris le fonctionnement du trouple Zener + Resistance + Condo.

    Une zener dans le sens bloquant ne laisse pas passer de courant tant que la tension entre son anode et sa cathode n'a pas atteind le seil zener.
    La résistance je crois comprendre qu'elle sert dans mon cas à dissiper les 9.5V que j'ai en trop sur mon alim pour le CD4013, et à limiter le courant qui peut traverser zéner !?!
    Quand au condensateur pour le coup , à quoi il sert? "Découpler zener" qu'est ce que ça signifie ?

  4. #34
    antek

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Regarde la courbe courant/tension d'une zener.
    La tension à ses bornes dépent du courant qui la traverse.
    L'électronique c'est comme le violon. Soit on joue juste, soit on joue tzigane . . .

  5. #35
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Regarde la courbe courant/tension d'une zener.
    La tension à ses bornes dépent du courant qui la traverse.
    Laquelle de ses courbes correspond à se que vous me dite ?

    Capture d’écran 2022-02-01 105047.png

    Capture d’écran 2022-02-01 105128.jpg

    Plus le courant qui la traverse est haut plus elle risque de cramer ? ou c'est le CD4013 qui risque de cramer ? Ou les deux ?
    J'ai du mal à piger le truc...

  6. #36
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Si j'en crois et comprends l'explication de cette vidéo youtube,

    Capture d’écran 2022-02-01 110310.png

    pour ma zener BZX84C12LT1G la "Power dissipation" ne doit pas dépasser 0.25mW sinon elle crame.

    Vu que c'est une zener 12V pour connaître le courant max à ne pas dépasser je fais :

    I=P/U
    I=0.25/12
    I=0.0208A
    I=20mA

    Donc si je reprends les calculs de Lutshur :

    Et j'ai aussi voulu que le courant qui y circule ne soit pas trop élevé lorsqu'il y a redressement de 30Vac, qui donnent 46Vdc : 34V/1500=23mA.
    Dans ces conditions, la zener ne tiendra pas ... c'est bien ça ?
    Images attachées Images attachées  

  7. #37
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Calcul de R34 : 9,5V/0,006A=1500Ohms. En fait j'ai pris arbitrairement R34 pour avoir moins de 10mA. Comme il n'y a que le CD4013 à alimenter et que la zener sera découplée par un condo, j'estime que c'est largement suffisant.
    Et j'ai aussi voulu que le courant qui y circule ne soit pas trop élevé lorsqu'il y a redressement de 30Vac, qui donnent 46Vdc : 34V/1500=23mA.
    Le CD4013 est bien alimenté en 12V, VDD et VSS sont aux bornes de la zener.
    Bon, je récapitule ...

    J'ai l'intention d'alimenter mon alim secourue avec un transfo toroïdal de 2*18Vac 6.3A se qui me donnera en parallèle 1*18Vac 12.6A Max.

    Je fais √2*18 = 25.46 Vdc

    DC input current, any one input 10 mA Max pour le CD4013 (Nous décidons donc de lui apporter 0.006A, se qui sera suffifant)

    Je calcul R34:

    25.46V-12V= 13.46V

    13.46V/0.006A= 2243.33 Ohm

    2243.33 Ohm n'étant pas une valeur standard, je prendrais la valeur la plus proche en dessous de 2210 Ohm 1% dans la série E96

    P=U/I alors
    P=13.46V*0.006A
    P=0.08W

    Je peux donc choisir cette réference de résistance RN16T52211F puisqu'elle fait 1/6W elle sera amplement suffisante.
    1W/6 = 0.16.66W

    Pour ma zener BZX84C12LT1G la "Power dissipation" ne doit pas dépasser 0.25mW sinon elle crame.

    Vu que c'est une zener 12V pour connaître le courant max à ne pas dépasser je fais :

    I=P/U
    I=0.25/12
    I=0.0208A
    I=20mA

    De ce fait, pour vérifier si ma résistance limitera suffisament le courant afin de protèger ma zener je fais:

    25.46V/2210Ω = 0,0115mA

    En conclusion je pense que tout est Ok et que le montage va fonctionner de cette manière.

    Maintenant j'aimerais avoir votre avis. Est ce que je me trompe quelque part dans mon raisonnement ? Est-ce Juste ?

  8. #38
    lutshur

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    DC input current, any one input 10 mA Max pour le CD4013
    Je me demandais où tu as lu ça, ce n'est pas dans le datasheet du CD4013BM/BC. Vu dans le CD4013B de TI.
    J'avoue avoir une petite incompréhension. Pour moi, une Input est une entrée, comme indiqué une ligne plus haut dans le tableau "Input voltage, all inputs –0.5 VDD + 0.5 V". Il faut être balèze pour lui faire avaler 10mA.
    Quand au condensateur pour le coup , à quoi il sert? "Découpler zener" qu'est ce que ça signifie ?
    Lors des commutations du CD4013, il y a des appels de courant. A ces moments a zener seule ne suffit pas à garder une tension "propre" à ses bornes. On lui met en parallèle un condensateur qui stocke de l'énergie pour en restituer une partie selon la demande. Ca va lisser la tension d'alim du CD4013.
    Maintenant j'aimerais avoir votre avis. Est ce que je me trompe quelque part dans mon raisonnement ? Est-ce Juste ?
    Tout baigne

  9. #39
    Antoane
    Responsable technique

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Bonjour,
    Citation Envoyé par lutshur Voir le message
    Pour moi, une Input est une entrée, comme indiqué une ligne plus haut dans le tableau "Input voltage, all inputs –0.5 VDD + 0.5 V". Il faut être balèze pour lui faire avaler 10mA.
    Ces 10 mA sont le courant max admissible dans les diodes de clamp.
    Le constructeur indique par ailleurs qu'avec au plus 500 mV à leurs bornes, les diodes de clamp ne laisseront pas passer plus de 10 mA.

    En pratique, le courant consommé par le 40xx sera négligeable devant celui consommé par les autres composants (en particulier la zener)
    Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.

  10. #40
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    J'avoue ne pas comprendre cette ligne

    "Input voltage, all inputs –0.5 VDD + 0.5 V".
    Que faut il comprendre ? A partir de ça peut on calculer la conso ou le besoin de courant ? du CD4013?

    Il faut être balèze pour lui faire avaler 10mA...
    Comment avez vous trouvé 0.006A pour les calculs?

    Moi ya quelque chose qui me turlupine encore...

    Si on ne doit pas lui fournir plus de 10mA au risque de le fumer... les calcul au dessus sont pas bon, puisque on laisse passer
    25.46V/2210Ω = 0,0115mA !!!

    Est-ce que je mélange tout ou est-ce que je viens de soulevé une question intéressante?

    Lors des commutations du CD4013, il y a des appels de courant. A ces moments a zener seule ne suffit pas à garder une tension "propre" à ses bornes. On lui met en parallèle un condensateur qui stocke de l'énergie pour en restituer une partie selon la demande. Ca va lisser la tension d'alim du CD4013.
    Quand au condensateur on parle bien de C25 ?

    Nom : Capture d’écran 2022-02-01 155140.png
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    Un condo céramique fera t'il l'affaire ?

  11. #41
    antek

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Citation Envoyé par LA ROUD Voir le message
    J'avoue ne pas comprendre cette ligne
    "Input voltage, all inputs –0.5 VDD + 0.5 V"
    Que faut il comprendre ? A partir de ça peut on calculer la conso ou le besoin de courant ? du CD4013?

    Si on ne doit pas lui fournir plus de 10mA au risque de le fumer

    Quand au condensateur on parle bien de C25 ?
    Un condo céramique fera t'il l'affaire ?
    Que la tension sur une entrée doit être comprise entre -0,5 V et (Vdd+0,5) V , et cela ne présage en rien de la consommation du circuit.

    Fournir à qui ? au CD ?

    Oui, un céramique de cette capacité convient, ou un chimique de 10 à +++ µF en 25 V ou plus.
    L'électronique c'est comme le violon. Soit on joue juste, soit on joue tzigane . . .

  12. #42
    Black Jack 2

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Citation Envoyé par lutshur Voir le message
    Bonjour,

    Le transistor de puissance est à l'envers.

  13. #43
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Black Jack 2
    Bonjour,

    Le transistor de puissance est à l'envers.
    Tout est dans le bon sens cette fois ci ?

    Nom : Capture d’écran 2022-02-01 174821.png
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  14. #44
    Antoane
    Responsable technique

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Bonsoir,

    R1 n'est pas nécessaire (ou en tous cas au moins 10 à 100 fois trop grande). Mieux vaut la supprimer.
    La constante de temps C11*R5 est très basse... il serait bon de lamultiplier par ~10 ou 100 pour se rapprocher de 100 us, voire 1 ms (voire plus). Par exemple : faire passer C11 à 47 nF et R5 à 22 k.
    Connecter ainsi R5 à la masse est possible, mais relativement peu conventionnel. Il serait plus intuitif de la connecter au VSS du 4013.
    Il ne faut pas laisser en l'air les entrées (même inutilisées) du 4013. Il faut donc relier les broches 8 à 11 à un potentiel fixe, par exemple le Vss.

    Note par ailleurs que s'il n'y a pas de diode entre la batterie et ce montage, celle-ci peut alimenter le 4013 (et -pire- la zener) lorsque le secteur n'est pas présent. Il faudrait alors prévoir un design à plus basse consomation pour éviter de décharger la batterie -- si tant est que ces ~ 6 mA ne sont pas négligeables.

    Si on ne doit pas lui fournir plus de 10mA au risque de le fumer... les calcul au dessus sont pas bon, puisque on laisse passer
    Comme expliqué brievement en#39, cette valeur de courant n'est pas pertinente ici.
    De ce fait, pour vérifier si ma résistance limitera suffisament le courant afin de protèger ma zener je fais:

    25.46V/2210Ω = 0,0115mA
    La tension aux bornes de la résistance ne vaut pas 25.46 V puisque cette tension est partagée entre la résistance et la zener. La tension aux bornes de la résistance vaut donc : 25.46 - 12 = 13.46 V
    Donc le courant y circulant vaut 13.46/2210 ~ 6 mA.....

    Ce aui est normal puisque c'est ainsi que tu as dimensionné la résistance :
    Je calcul R34:

    25.46V-12V= 13.46V

    13.46V/0.006A= 2243.33 Ohm
    Citation Envoyé par LA ROUD Voir le message
    Laquelle de ses courbes correspond à se que vous me dite ?

    Pièce jointe 454099

    Pièce jointe 454100

    Plus le courant qui la traverse est haut plus elle risque de cramer ? ou c'est le CD4013 qui risque de cramer ? Ou les deux ?
    J'ai du mal à piger le truc...
    La deuxième figure est un détail de la première, elle montre la partie "gauche" (pour des courant inverses "non-négligeables", lorsque la tension aux bornes de la diode est proche de sa tension de zener) de la caracteristique de la zener.
    Dernière modification par Antoane ; 01/02/2022 à 18h35.
    Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.

  15. #45
    lutshur

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Antoane
    Connecter ainsi R5 à la masse est possible, mais relativement peu conventionnel. Il serait plus intuitif de la connecter au VSS du 4013.
    Ca m'avait échappé
    La constante de temps C11*R5 est très basse... il serait bon de lamultiplier par ~10 ou 100 pour se rapprocher de 100 us, voire 1 ms (voire plus). Par exemple : faire passer C11 à 47 nF et R5 à 22 k.
    Mais R2/C10 retardent le changement d'état sur l'entrée D.
    Ces 10 mA sont le courant max admissible dans les diodes de clamp.
    Ouf !!!

  16. #46
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Bonjour, et merci à tous pour toute ces infos... Voilà qui me donne davantage de choses à comprendre... Encore un objet de torture..." Les constantes de temps" MDR

    La constante de temps C11*R5 est très basse... il serait bon de lamultiplier par ~10 ou 100 pour se rapprocher de 100 us, voire 1 ms (voire plus). Par exemple : faire passer C11 à 47 nF et R5 à 22 k.
    A quoi ça sert ? Comment dimentionne t'on une cellule RC ? Par rapport a quel critaire ?

    La constante de temps C11*R5 est très basse...
    Ça veut dire que le condo se charge trop vite ? quelle incidence ça peut avoir ?

    Mais R2/C10 retardent le changement d'état sur l'entrée D.
    ????

    Connecter ainsi R5 à la masse est possible, mais relativement peu conventionnel. Il serait plus intuitif de la connecter au VSS du 4013.
    Il ne faut pas laisser en l'air les entrées (même inutilisées) du 4013. Il faut donc relier les broches 8 à 11 à un potentiel fixe, par exemple le Vss.
    Dans un sans ça parait logique... Le VSS est "la masse commune" de se circuit. Pourquoi raccorder R5 sur le GND.
    Pour les entrées du CD4013, les voilà reliées au VSS.

    Note par ailleurs que s'il n'y a pas de diode entre la batterie et ce montage, celle-ci peut alimenter le 4013 (et -pire- la zener) lorsque le secteur n'est pas présent. Il faudrait alors prévoir un design à plus basse consomation pour éviter de décharger la batterie -- si tant est que ces ~ 6 mA ne sont pas négligeables.
    Voici se que la batterie alimente. Le CD4013 est loin...

    Nom : Capture d’écran 2022-02-02 100017.png
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  17. #47
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Voilà les modifs faites. Autre chose à corriger d'après vous ?

    Nom : Capture d’écran 2022-02-02 100223.png
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  18. #48
    Black Jack 2

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Bonjour,

    Cela a déjà été mentionné ... mais n'a pas provoqué de réaction.

    Attention au courant dans le transistor de puissance ...

    Le IRF9640 a une RDS(on) = 0,5 ohm (avec VGS = -10 V) ... mais ceci est pour une température de jonction de 25°C (ce qui n'est en pratique jamais le cas)
    Si on accepte une température de jonction de 125°C, la data sheet indique RDSon = 2 * RDSon à 25°C, soit donc 1 ohm

    Si on a une température ambiante de 30°C à l'endroit où est placé la carte, on a donc droit à une élévation de température de jonction de 95°C au dessus de l'ambiance.

    Avec une résistance thermique J-A du transistor annoncé à 62°C/W, le transistor sans refroidisseur pourra dissiper au max une puissance P = 95/62 = 1,53 W, soit donc passer un courant max I = sqrt(1,53/2) = 0,88 A

    Si le transistor est monté sur un refroidisseur de 3,5°C/W (classique pour ce type de boîtier), alors, compte tenu de Rth(c-s) = 0,5 °C/W (à condition de graisse thermique correctement appliquée) et de la Rth(j-c) = 1°C/W, la R thermique totale entre la jonction et l'ambiance est de 3,5 + 0,5 + 1 = 5 °C/W
    On a alors droit à une puissance max permanente dissipée de 95/5 = 19 W, ce qui correspond à un courant max I = sqrt(19/2) = 3,1 A

    Bien loin évidemment du courant annoncé dans la datasheet ... qui l'est pour une température de jonction à 25°C. (rien à redire, c'est clairement noté dans la datasheet.)

    En résumé :

    Sans refroidisseur sur le transistor, on a droit à environ 0,88 A permanent dans le transistor.

    Avec un refroidisseur de 3,5 °C/W (parfaitement monté) et une température ambiante de 30°C à proximité du transistor (et non ce n'est pas beaucoup en pratique), on a droit à environ 3,1 A dans le transistor.

  19. #49
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Bonjour,

    Cela a déjà été mentionné ... mais n'a pas provoqué de réaction.

    Attention au courant dans le transistor de puissance ...

    Le IRF9640 a une RDS(on) = 0,5 ohm (avec VGS = -10 V) ... mais ceci est pour une température de jonction de 25°C (ce qui n'est en pratique jamais le cas)
    Si on accepte une température de jonction de 125°C, la data sheet indique RDSon = 2 * RDSon à 25°C, soit donc 1 ohm

    Si on a une température ambiante de 30°C à l'endroit où est placé la carte, on a donc droit à une élévation de température de jonction de 95°C au dessus de l'ambiance.

    Avec une résistance thermique J-A du transistor annoncé à 62°C/W, le transistor sans refroidisseur pourra dissiper au max une puissance P = 95/62 = 1,53 W, soit donc passer un courant max I = sqrt(1,53/2) = 0,88 A

    Si le transistor est monté sur un refroidisseur de 3,5°C/W (classique pour ce type de boîtier), alors, compte tenu de Rth(c-s) = 0,5 °C/W (à condition de graisse thermique correctement appliquée) et de la Rth(j-c) = 1°C/W, la R thermique totale entre la jonction et l'ambiance est de 3,5 + 0,5 + 1 = 5 °C/W
    On a alors droit à une puissance max permanente dissipée de 95/5 = 19 W, ce qui correspond à un courant max I = sqrt(19/2) = 3,1 A

    Bien loin évidemment du courant annoncé dans la datasheet ... qui l'est pour une température de jonction à 25°C. (rien à redire, c'est clairement noté dans la datasheet.)

    En résumé :

    Sans refroidisseur sur le transistor, on a droit à environ 0,88 A permanent dans le transistor.

    Avec un refroidisseur de 3,5 °C/W (parfaitement monté) et une température ambiante de 30°C à proximité du transistor (et non ce n'est pas beaucoup en pratique), on a droit à environ 3,1 A dans le transistor.
    Que conseillez vous pour que le mosfet ai la capacité de laisser passer 10 A avec la tension de 25.46Vdc ? Faut il en prendre un autre ? Quelle référence conseillez vous ? Quelle modif ça engendre sur le schéma ?

  20. #50
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Celui-ci pourait il faire le job ?

    https://www.diodes.com/assets/Datash...MP4015SSSQ.pdf

    MOSFET P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A

    Ou alors celui-ci ?

    https://www.mouser.fr/datasheet/2/24..._1-2272532.pdf

    Quelle modif celà engendrerait sur le shéma ?

    Un canal P est il la meilleur solution ? Sinon que faudrait il modifier pour un canal N ?

  21. #51
    Black Jack 2

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Citation Envoyé par LA ROUD Voir le message
    Que conseillez vous pour que le mosfet ai la capacité de laisser passer 10 A avec la tension de 25.46Vdc ? Faut il en prendre un autre ? Quelle référence conseillez vous ? Quelle modif ça engendre sur le schéma ?
    Bonjour,

    Par exemple (entre plein d'autres) :

    https://pdf1.alldatasheet.com/datash.../FQP27P06.html

    https://circuits-diy.com/wp-content/...04/IRF5210.pdf

    Mais tu n'y couperas pas de devoir le monter sur un refroidisseur comme par exemple celui-ci (ou équivalent) :

    https://www.mantec.be/refroidisseurs...329301996.html

    Et d'utiliser de la graisse thermique entre le transistor et le refroidisseur. (Chercher sur le net comment l'appliquer correctement ... la plupart en met beaucoup beaucoup trop)

  22. #52
    antek

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    J'ai trouvé aussi celui-là -> https://docs.rs-online.com/fe6f/0900766b815399b8.pdf
    ou lui -> https://docs.rs-online.com/530a/0900766b8162308b.pdf qui dissipera moins de 5 W
    L'électronique c'est comme le violon. Soit on joue juste, soit on joue tzigane . . .

  23. #53
    Antoane
    Responsable technique

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Bonjour,

    Il suffit de prendre le catalogue d'un revendeur ou d'un fabricant, de selectionner :
    - le type de transistor (PMOSFET)
    - la tension max min (disons entre 40 et 60 V)
    - la Rdson max (disons 5 mOhm *)
    Par exemple : https://www.mouser.de/c/semiconducto...e%20Resistance

    Puis de regarder parmis les composants disponibles lesquels tu arriveras à souder, les classer par prix, et vérifier que la température du composant ne dépassera pas la valeur max admissible -- de manière à se passer de radiateur.
    Un canal P est il la meilleur solution ? Sinon que faudrait il modifier pour un canal N ?
    Les PMOS sont moins performants que les NMOSFET. Cependant, ici, l'utilisation d'un canal N serait difficile car il faut porter le potentiel de la grille au-dessus de la tension de source... ce qui obligerais à ajouter un petit circuit. On pourrait aussi utiliser un NMOSFET câblé sur le fil de masse plutôt que de Vcc.

    (*) : A la louche, un TO220 pourra dissiper 1 W sans radiateur. Pour 10 A, cela revient à une Rdson max de 10 mOhm @Tj_max, soit ~5 mOhm à température ambiante.
    Dernière modification par Antoane ; 02/02/2022 à 13h03.
    Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.

  24. #54
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Merci, je prefère prendre le mos en boitier TO-220 donc celui ci me semble nikel :

    https://pdf1.alldatasheet.com/datash.../FQP27P06.html

    Si je le met directement à la place de l'autre sur mon schéma, est ce que ça fonctionne? Ou faut il apporter des modifs? Lesquelles?

    Aucun problème concernant le dissipateur. J'ai l'intention de mettre tout mes régulateurs et les composants qui en ont besoin sur dissipateur thermique, et toute l'alimentation sera ventilée par 3 ventilo diamètre 60mm pilotés par ampli Op et LM35.

  25. #55
    lutshur

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    LA ROUD
    Mais R2/C10 retardent le changement d'état sur l'entrée D.
    ????
    Tant que la tension sur l'entrée D n'a pas atteint le seuil nécessaire pour être considéré comme avoir changé, les rebonds du poussoir seront inactifs. La constante R2/C10 est trèèèèès longue par rapport à celle de C11/R5.

    J'ai regardé un peu le montage autour du LM317 qui va recharger la batterie.
    Utilité dé de R43 ?
    Si j'ai bien deviné, Dès l'établissement du courant de recharge, le LM317 va débiter plein pot, limité par sa protection interne à 1,5A.
    R45 verra 4V à ses bornes si la jonction émetteur-base de Q14 est grillée, 0V si elle est seulement en court-circuit.
    Dernière modification par lutshur ; 02/02/2022 à 14h51.

  26. #56
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Houlaaa !!! doucement... ça va trop vite pour moi LOL

    et vérifier que la température du composant ne dépassera pas la valeur max admissible -- de manière à se passer de radiateur.
    Quelqu'un pourrait il m'écrire toute la démarche, toute la ou les formules pour calculer la valeur max admissible de manière à se passer de radiateur ?
    Ça m'aidera à choisir le bon mosfet.

    Tant que la tension sur l'entrée D n'a pas atteint le seuil nécessaire pour être considéré comme avoir changé, les rebonds du poussoir seront inactifs. La constante R2/C10 est trèèèèès longue par rapport à celle de C11/R5.
    Est-ce une bonne chose ? Ou pas ? Je ne comprends pas bien.

    J'ai regardé un peu le montage autour du LM317 qui va recharger la batterie.
    Utilité dé de R43 ?
    Si j'ai bien deviné, Dès l'établissement du courant de recharge, le LM317 va débiter plein pot, limité par sa protection interne à 1,5A.
    R45 verra 4V à ses bornes si la jonction émetteur-base de Q14 est grillée, 0V si elle est seulement en court-circuit.
    Pour toute question relative au chargeur, Je ne comprends pas tout non plus comment il fonctionne et pourquoi il à été conçu de cette façon. La seul chose que je sais c'est qu'il fonctionne.
    Voici le lien vers la doc complète de la personne qui l'à conçu.

    https://www.f5kav.fr/wp-content/uplo...2Vautonome.pdf

    Je lui ai demandé de m'aider à ajouer un clignoteur pour savoir quand la batterie charge ou quand elle est en floating. Pareil pour la protection contre les surtension si le LM338T venait à cramer. Pour mon alim je veux plus de puissance que l'alimentation qu'il à prévu de base, c'est pourquoi mon schéma est ressemblant, mais pas identique.

    L'ensemble de mon schéma est à revoir j'en suis persuadé car ce que j'ai prévu avec GND, 0V1 et 0V2, je ne pense pas que ça fonctionnera. Je pense qu'il faut reprendre tout du début en commença par la bascule... Mais bon chaque chose en son temps.

    Je me suis aussi inspiré de cette vidéo youtube qui est très bien faite, pour la partie entre la bascule et le charcgeur ou entre la bascule et le LM338T.

    https://www.youtube.com/watch?v=N47MjXVvKuE


    Je n'ai aucun mérite, ne sachant pas concevoir moi même, je prends des idées et j'essais d'assembler pour arriver à faire se que je souhaite.

  27. #57
    lutshur

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Est-ce une bonne chose ? Ou pas ? Je ne comprends pas bien.
    Dans ton cas, c'est bon. Tu ne vas pas demander à allumer/éteindre alternativement en moins d'une seconde, donc il peut prendre son temps.

  28. #58
    lutshur

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Le montage fonctionne... peut-être. Je persiste à dire qu'il faut protéger la jonction émetteur-base de Q14 en insérant une résistance entre base et le noeud R45/R47/In(LM317).
    Le calcul de cette résistance est simple. En prenant 1,5V pour la LED5 (rouge), et en disant que Q14 n'occasionne aucune chute de tension entre émetteur et collecteur lorsqu'il est saturé.
    R48 voit 15,8V : les 18V - la tension de la LED (1,5V) - la tension Vbe de Q7 (0,7V). Le courant qui la traverse est de 7mA.
    Avec ce faible courant de collecteur Q14 a au moins un gain en courant de 40. Le courant de la base doit donc être 40 fois plus petit que celui du collecteur. Donc 7mA/40=175µA.
    1,5A à travers R45 donnent 4V. La tension sur la nouvelle résistance sera de 4V-Veb de Q14 (0,7V) = 3,3V. Sa valeur sera de 3,3V/175µA=18kOhms. Tu mets 10k, ça ira.

  29. #59
    invite830aff2b

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Nom : Capture d’écran 2022-02-02 232423.png
Affichages : 95
Taille : 43,6 Ko

    Voilà Lutshur j'ai fais la modif. C'est bien ça?

  30. #60
    Black Jack 2

    Re : Commander un MOSFET de puissance avec une bascule D

    Citation Envoyé par LA ROUD Voir le message
    Houlaaa !!! doucement... ça va trop vite pour moi LOL



    Quelqu'un pourrait il m'écrire toute la démarche, toute la ou les formules pour calculer la valeur max admissible de manière à se passer de radiateur ?
    Ça m'aidera à choisir le bon mosfet.
    Bonjour,

    On note la valeur de RDS(on) du transistor à 25°C.
    On regarde la courbe de variation de RDS(on) en fonction de la température ... elle donne en général un coefficient (qui varie avec la température de jonction) par lequel il faut multiplier le RDSon à 25°C pour avoir le RDSon à la température de jonction maximale acceptée.

    On calcule la puissance dissipée par le transistor au courant qu'on veut l'utiliser (I = 10 A ici) par P = RDSon(à Tjmax) * I²

    Avec RTH(j-a) = 63 °C/W pour un boîtier TO220, on calcule la différence de température entre le boitier et la jonction par : delta theta(c-j) = 63 * P

    Et on déduit la température ambiante max admissible par : Tjmax - 63P.
    Attention que c'est la température ambiante à proximité du transistor (donc éventuellement avec la carte dans un boîtier, dans une armoire, en été ...)


    ***
    En boîtier TO220, un des plus "costauds" en P channel est le (SUP90P06-09L) sur ce lien :

    https://pdf1.alldatasheet.com/datash...90P06-09L.html

    A Tj = 125°C, il a une RDSon = 0,015 ohm (avec VGS = -10 V)
    A Tj = 175°C, il a une RDSon = 0,019 ohm (avec VGS = -10 V)

    Rth(j-a) = 62 °C/W

    Si on accepte Tj = 175°C, avec 10 A, la puissance dissipée est P = 0,019 * 10² = 1,9 W
    Le boitier est à 175 - 0,6 * 1,9 = 174 °C
    Sans refroidisseur :
    Le delta température entre la jonction et l'ambiance est 1,9 * 62 = 118 °C.
    On peut donc admettre une température ambiante max de 175-118 = 57°C

    Mais gare aux brûlures si on touche et gare de ne pas surchauffer les composants avoisinant et ...

    Si on se limite à Tj = 125°C (plus raisonnable), alors avec 10 A, la puissance dissipée est P = 0,015 * 10² = 1,5 W
    Le delta température entre la jonction et l'ambiance est 1,5 * 62 = 93 °C.
    On peut donc admettre une température ambiante max (proche du transistor) de 125-93 = 32°C ... ce qui n'est pas beaucoup en pratique.
    ----------
    Sans avoir beaucoup cherché, je n'ai pas trouvé d'alternative à ce transistor.
    Et pour moi, en se cantonnant au TO220, mettre est refroidisseur est une bonne chose (avec le courant demandé de 10 A)
    La grosse majorité des transistors (TO220), avec le courant demandé, sont "trop courts" pour se passer de refroidisseur et le SUP90P06-09L (ou ses équivalents ... si ils existent) sont " limites".

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