Transistor NPN

[Antoane]

Bonjour,

La Rdson est une characteristique intrinsèque du composant, elle ne se calcule pas, elle a une certaine valeur donnée dans la datasheet du composant.
Le courant circulant dans la grille d'un MOSFET est nul (sauf pendant les transitoires).
Le Vgsth est très souvent mal compris : pour une application en commutation (ie. le MOSFET peut seulement être passant ou bloqué), cette valeur signifie seulement que : quand Vgs < Vgsth, alors le composant est bloqué. En revanche, on ne peut pas dire que lorsque Vgs>Vgsth alors le composant est passant.
Il existe une autre tension, spécifiée dans la datasheet, au-delà de laquelle le MOSFET est passant et se comporte comme une résistance relativement constante, de valeur Rdson.

Attention :
quand on parle de transistors bipolaires (NPN et PNP) :
- "saturé" signifie que le composant est proche d'un court circuit, i.e. qu'il est üassant, ie. comme un interrupteur fermé
- "linéaire" signifie que le composant a une tension non-négligeable à ses bornes, et qu'un courant non-négligeable le traverse. C'est un état qu'on utilise pour faire par exemple des amplificateurs linéaires, mais qu'on évite e électronique de puissance.
quand on parle de MOSFETS, c'est l'inverse :
- "linéaire" signifie que le composant est assimilable à sa Rdson, i.e. proche d'un court circuit, i.e. qu'il est passant, ie. comme un interrupteur fermé
- "saturé" signifie que le composant a une tension non-négligeable à ses bornes, et qu'un courant non-négligeable le traverse. C'est un état qu'on utilise pour faire par exemple des amplificateurs linéaires, mais qu'on évite e électronique de puissance.
Il y a souvent confusion dans les termes, il faut faire attention.

Dans tous les cas, bloqué signifie que le courant est nul et la tension potentiellement élevée.
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[makeer340]

Bonjour,
D'accord, on trouve le RDSON grâce a une datasheet, je posais cette question étant donné que dans un exo avec mosfet on me demandait de calculer l'intensité I en régime établi avec seulement comme valeur la tension VSGHT = 1V VE = 5V et VSG = 5V sachant que le mosfet est à CANAL P, mon premier reflexe était de faire la loi d'ohm avec cette relation qui indique que à l'état saturé le mosfet est représenté comme une résistance mais je suis sur la mauvaise piste je pense.

[Antoane]

Bonjour,

D'accord, on trouve le RDSON grâce a une datasheet, je posais cette question étant donné que dans un exo avec mosfet on me demandait de calculer l'intensité I en régime établi avec seulement comme valeur la tension VSGHT = 1V VE = 5V et VSG = 5V sachant que le mosfet est à CANAL P, mon premier reflexe était de faire la loi d'ohm avec cette relation qui indique que à l'état saturé le mosfet est représenté comme une résistance mais je suis sur la mauvaise piste je pense.

Toujours difficile de réfléchir sur un exercice avec un énoncé partiel... mais ici, on pourrait penser que la réponse attenude par le prof est :
Vsg >> Vsgth, donc le transistor est passant, donc il se comporte comme un court-circuit idéal, donc toute la tension d'alimentation se retrouve aux bornes de la charge, donc le courant est facile à calculer connaissant cette dernière.

[makeer340]

Excusez moi je n'ai pas pensé à mettre l'énoncé mais le voici, comment calculer le courant d'un court circuit idéal ?

[Antoane]

Le courant Ie en régime établi est le courant circulant dans la grille du MOSFET en régime établi... C'est à connaitre.

[makeer340]

Il y'a donc pas de valeur a proprement parler ?

[Antoane]

Le courant de grille d'un MOSFET en régime établi est nul.