Bonjour,
j'ai fait un petit montage sur EvryCircuit avec un transitor NPN forward beta 10 A/A (si quelqu'un sait ce que c'est) avec le courant dans le sens émetteur collecteur (+ sur l'émetteur et - sur le collecteur) et .. ça marche le courant circule sans problème... Alors qu'on est d'accord que ça devrait etre dans le sens de la flèche ? Dans le sens collecteur émetteur non ? C'est le logiciel ou c'est vrai que ça peut fonctionner dans les deux sens ?
Merci
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Désolé quelqu'un avait posé la question j'avais pas vu...
Sinon quelqu'un saurait si le 2N2222 est un "forward beta 10 A/A" ?
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bonjour,
un lien sur ton test ?
Attention au sens du courant :
sens conventionnel du + au - .... employé sur Evrycircuit
sens electronique du - au +
pas de pot, on s'est trompé de sens au depart des bases de l'electricité...
Non j'ai pas de lien désolé.
Oui et cette histoire de sens du courant c'est une des plus chiante erreur de l'histoire de la physique
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Bonjour,
"Foward beta 10 A/A" signifie "gain de 10", ou : Ic/Ib = 10.
Un NPN est concu pour que du courant entrant dans la base (et ressortant par l'émetteur) permette la circulation d'un courant significativement plus important du collecteur vers l'émetteur (ie. dans le sens de la flèche).
Cependant, en pratique, du courant entrant dans la base (et ressortant par le collecteur) permet la circulation d'un courant de l'émetteur vers le collecteur (ie. dans le sens opposé de la flèche). Le gain sera alors cependant beaucoup plus faible (potentiellement < 1) et la tenue en tension ets très fortement réduite (~ 5 V max entre émeteur et base).
Le même est valide pour un PNP.
Ca reste une utilisation très atypique du composant, il est donc probable que ce soit mal pris en compte dans beaucoup de modèles de simuation... attention donc à nepas sur-interpréter les résultats.
Ce n'est a priori pas valide pour les autre types de transistors (IGBT, etc.)
Dernière modification par Antoane ; 15/12/2023 à 12h25.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Merci, et du coup le 2N2222 il a quoi comme gain ?
(Il y a tellement de chiffre dans la doc :
https://www.mouser.fr/datasheet/2/38...94-1206365.pdf
que j'y comprends rien)
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Si on suppose, ce qui est souvent le cas intéressant en application, que le courant de collecteur est fixé à une certaine valeur, par exemple Ic = 150 mA.
En bas de page 4, la ligne "hFE" définie le gain en petits signaux, lorsque le NPN est dans sa zone linéaire. Il est indiqué que pour Ic = 150 mA et Vce= 10V, le gain hFE= Ic/Ib est compris entre 100 et 300. Cela signifie quesi tu appliques 10V entre C et E, il faudra un courant compris entre Ic/300 = 0.5 mA et Ic/100 = 1.5 mA pour laisser passer Ic=150 mA. Autrement dit :
- si tu forces Ib = 1.5 mA et Vce = 10 V alors Ic > 150 mA
- si tu forces Ib = 1.5 mA et Ic = 150 mA, alors Vce < 10 V
Par ailleurs, mais ce n'est généralement pas très intéressant :
- si tu forces Ib = 0.5 mA et Vce = 10 V alors Ic < 150 mA
- si tu forces Ib = 0.5 mA et Ic = 150 mA, alors Vce > 10 V
Note que cette ligne suppose Vce ~ 10V, ce qui n'est pas intéressant lorsqu'on veut utiliser le transistor pour une application en commutation : dans ce cas on veut Vce aussi faible que possible, en pratique de l'ordre de qq centaines de mV.
Si tu veux travailler en commutation, il faut regarder deux lignes au dessus : VCE(sat) . Cette ligne indique par exemple que si tu imposes Ic = 150mA et Ib = 15 mA (soit un ratio de Ic/Ib = 10), alors la tension votage drop accross the device is VCE(sat) < 300 mV.
Ainsi, on voit que le ratio Ic/Ib dépend très fortement de la chute de tension Vce. En pratique, si on peut se permettre de perdre un peu de tension dans le transitor, il peut être souhaitable d'utiliser un courant de base plus faible que celui donner pour entrer en saturation profond (ie. 10% de Ic dans ce cas). En effet, le gain est relativement constant pour Vce supérieur à environ 0.7 à 1V, et chute ensuite très rapidement.
La simulation ci-dessous illustre ce phénomène, en montrant Vce en fonction de Ib, pour Ic = 100mA (la source de tension et la diode limitent Vce à 10 V, lorsque Ib est trop faible. Ils sont inactifs pour Ib > 300 uA) :
On voit que pour Ib > 400 uA (ie. Ic/Ib < 250), Vce ne diminue plus notablement, alors qe la datasheet du BC547c spécifie un gain en saturation de ~ 20 (https://www.mouser.de/datasheet/2/30..._D-2310156.pdf). Cest valeurs ne sont néanmoins que des valeurs typiques.
Note que tu donnes la datasheet du 2N2222AHR, qui n'est pas le 2N2222A, ni le 2N2222.
Dernière modification par Antoane ; 15/12/2023 à 13h06.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Waa super merci ! Je vais étudier tout ça
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Finalement c'est un peu limité EveryCircuit
C'est quoi le logiciel de simulation que tu as utilisé dans ta réponse ?
Sinon il y aurait quoi d'un peu plus avancé que EveryCircuit, payant ou pas ?
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Bonjour,Envoyé par Antoane
A titre indicatif,
Distinction entreet
Le paramètre
Ci dessous, quelques infos disponibles sur le net (je n'ai pas changé la langue pour ne pas risquer de trahir les auteurs)
https://www.ovaga.com/blog/transisto...transistor-hfe
While hFE refers to the DC current gain, hfe refers to the AC current gain, typically at a specified frequency.
It's essentially the same as hFE, but measured under conditions of changing currents and voltages, as opposed to steady (DC) conditions.
figures issues de :
http://www.est-usmba.ac.ma/benbrahim...s/amplbipo.pdf
et
https://sitelec.org/cours/abati/tranbi.htm
En complément à ma réponse précédente ...
Dans une datasheet bien faite (ce n'est pas toujours le cas), on trouvera des informations sur
Par exemple :
On peut aussi trouver des courbes (de nouveau dans les datasheets bien faites) qui donnent des indications complémentaires sur les 2 paramètres (autres conditions que celles reprises dans le tableau)
Merci pour les précisions
J'ai trouvé le logiciel de simulation, ça à l'air d'être LTspice,
c'est clairement plus "pro" mais alors ça vient avec la complexité d'utilisation aussi !
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