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mismatch dans un transistor CMOS



  1. #1
    Cléa Blanchard

    Question mismatch dans un transistor CMOS


    ------

    Bonjour,

    Je suis étudiante en traduction et je travaille en ce moment sur un sujet d'électronique: les rétines artificielles. Ce sont des circuits à base de transistors CMOS, et parmi les problèmes que pose leur réalisation, mon texte anglais parle de "mismatch". Si j'ai bien compris, il s'agit d'une sorte de bruit spatial présent sur l'ensemble du circuit et dû à la variation des caractéristiques des transistors. Est-ce que quelqu'un pourrait me confirmer mon interprétation, et éventuellement m'expliquer plus précisément en quoi cela consiste, d'où provient ce bruit et quelles en sont les cons"quences dans le circuit?
    Eventuellement, si quelqu'un connait le terme français, ça m'intéresserait aussi.
    Merci d'avance

    Cléa

    -----

  2. #2
    Jack
    Modérateur

    Re : mismatch dans un transistor CMOS

    Bonjour,

    Peut-être qu'avec le texte en Anglais, ce serait plus facile à comprendre. Question de contexte.

    Ca permettrait aussi de voir ce qu'est un transistor CMOS. A mon avis le terme original n'est pas exact. Un transistor MOS, d'accord, mais pas CMOS.

    CMOS correspond à l'association de 2 transistors MOS Complémentaires (d'où le C de CMOS).

    A+

  3. #3
    invite03481543

    Re : mismatch dans un transistor CMOS

    Salut,

    peut-être pour dire que c'est une techno inadaptée à la réalisation de rétine artificielle.
    Comme dis Jack, il nous faudrait un extrait plus large.

  4. #4
    jiherve

    Re : mismatch dans un transistor CMOS

    Bonsoir
    il doit s'agir des difference de gains ou de sensibilité qui existent entre les differrents pixels du capteur, cela se compense normalement!
    JR

  5. A voir en vidéo sur Futura
  6. #5
    Jack
    Modérateur

    Re : mismatch dans un transistor CMOS

    J'aimerais bien lire cet article, mais je suis de l'avis de jlherve.

    A+

  7. #6
    Cléa Blanchard

    Re : mismatch dans un transistor CMOS

    Merci à tous pour votre aide, et désolé pour ce long délai sans internet qui fait que je n’ai pas pu répondre. Pour ce qui est du transistor MOS, et non CMOS, vous avez raison.
    Je donne un extrait d’un texte sur le sujet, pour situer le contexte :
    Mismatch has been the worst limiting factor in designing analog VLSI systems, including
    vision chips. Mismatch can be regarded as a spatial noise spread over the surface of a
    vision chip. The main effects of mismatch on system performance are: dynamic range
    reduction due to increased spatial noise level, precision limitation, area increase, and power dissipation increase. When designing circuits all these parameters should be traded against each other. In the absence of mismatch minimum size transistors, with minimum area and minimum capacitances could be used. As a result power dissipation could also be reduced as the loads in the circuit are decreased.
    Mismatch in CMOS circuits stems from three main sources. The first one is the physical
    variation of device dimensions. For example the variation of the gate length and width
    in a 2 µm process can be up to several 0.1µm. The only way to reduce the effect of this
    source of mismatch is to use large devices such that the effect of variation which often
    occurs at the edges of the device can be neglected.
    The other source of mismatch is the metallurgical variation of device parameters, which mainly includes the variation of doping densities in the semiconductor. This type of mismatch can also be reduced by using large size transistors.
    The third source of mismatch is from some electronic parameters of the device. For
    example, the trapped charges in the gate oxide, or the surface states in a MOS transistor can change the threshold voltage of the device.
    From these source the third one is more prevalent in MOS transistors, and it is concluded that the devices which are affected by the surface properties of the semiconductor will have more mismatch than those which mainly depend on the properties of the semiconductor away from the surface. This is in fact the main reason why BJTs and junction diodes have less mismatch than MOS devices.
    J'espère que c'est plus parlant. En fait je me demande surtout s'il s'agit d'un terme général pour désigner le bruit, ou d'un bruit particulier (comme il existe le bruit spatial fixe, ou le bruit KTC)...

    Encore merci

  8. #7
    jiherve

    Re : mismatch dans un transistor CMOS

    Bonjour
    Non je ne pense pas que cela soit un terme général, c'est effectivement un bruit spatial qui est une consequence de la variabilité des caractéristiques des transistors.
    C'est en fait assez proche de ce que l'on nomme bruit de calcul qui correspond soit à une mauvaise gestion de la précision et/ou des arrondis ou bien a des chemins (data path) dissymetriques.
    Ce phénomène est très courant sur les capteur d'imagerie, c'est ce qui créé les taches circulaires visible sur une photo d'APN prise en basse condition de luminosité.
    JR

  9. #8
    monnoliv

    Re : mismatch dans un transistor CMOS

    Dans ton cas je traduirais mismatch par "dispersion des caractéristiques" (dispersion dans le sens "variation" d'une pièce à l'autre).
    A+
    Ne soldez pas grand mère, elle brosse encore.

  10. #9
    Cléa Blanchard

    Re : mismatch dans un transistor CMOS

    Merci à tous pour votre aide !

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