Bonjour,
Alors voila tout est dans le titre : j'ai la courbe d'une thermistance CTN(résistance en fonction de la température) ; ainsi que son équation (exponentielle décroissante).
A partir de là je cherche l'énergie de gap du semiconducteur qui compose la thermistance (je n'ai pas trouvé ailleurs sur internet).
Merci de votre aide, si vous pouvez m'éclairer !
Bonjour.
Dans ce lien:http://www.thermometrics.com/assets/images/ntcnotes.pdf vous trouverez une description des dispositifs thermistors NTC.
Manque de chance il ne sont pas faits avec des semi-conducteurs usuels mais avec des oxydes métalliques et ce ne sont pas des matériaux cristallins mais un produit polycristallin ou amorphe. Je ne sais pas si l'on peut parler de gap dans ce cas.
Au revoir.
BonjourEnvoyé par telliano
Tu traces ln R en fonction de 1/k.T
où k est la constante de boltzmann
T température absolue
Normalement tu obtiens une droite dont la pente correspond au gap du semiconducteur.
.
Bonjour,
Pas de problèmes, on peut parler de gap.
Je vais faire ca
Merci beaucoup
ReBonjour,
Avec cette méthode j'ai obtenu des résultats (vérifiés et revérifiés ) qui pour certains me semblent étrange :
-Pour une première thermistance je trouve 0,05 eV ce qui me semble-t-il est
très faible (proche d'un conducteur ? )
-Pour une seconde je trouve 0,66 eV , ce qui parait cohérent
-Enfin pour une dernière je trouve quelque chose de très élevé : 874 eV
Pourriez vous me dire , pour les familiers de ce domaine , si ces valeurs sont alarmantes, complètement fausses ou bien envisageables ?
Merci de votre aide
salut !
Les résultats que tu présentes ne sont pas correcte. Pour un semiconducteur le gap varie entre 0,5-7 eV (valeur à prendre avec des pincettes!)
Quelle formule as tu utilisé pour calculer le gap ?
Bonjour.
Quand on fait une thermistance avec un semiconducteur, il faut que le gap soit petit de sorte que la concentration de porteurs intrinsèques soit suffisante à la température de travail. Le silicium ou le germanium ne font pas des bonnes thermistances parce que leur gap est trop élevé.
D'autres semi-conducteurs comme le tellure ont des gaps très petits et leur comportement ne se manifesta qu'à très basse température. D'autres, au contraire, comme le béryllium, ne se comportent comme des semi-conducteurs qu'à des températures très élevées.
Mais, comme je disais dans mon message précèdent, les thermistances ne son pas faites avec des semiconducteurs "courants". Il son faites avec de oxydes métalliques polycristallins. Les bandes, dans ce type de "chose" sont très malmenées et on trouve plein de défauts qui créent des niveaux plus ou moins discrets dans le gap (comme celui des donneurs et accepteurs dans les semiconducteurs extrinsèques).
Je pense que le modèle de semiconducteur intrinsèque à bandes bien sages que vous êtes en train d'utiliser n'est pas applicable.
Finalement vous avez eu de la chance. Si au lieu de mesurer des CTN vous aviez mesuré des CTP, vous auriez trouvé un gap négatif.
Au revoir.
;
Bonjour,
tu n'as pas précisé si tu obtenais bien une droite dans tout le domaine de variation de tempérarure.
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Sinon les gap de 0.05 eV et 0.66 eV sont crédibles. Par contre la valeur de 874 eV est absurde, il doit y avoir une erreur d'unité quelquepart.
Bonjour.
La relation entre la température et la résistance d'une thermistance est donnée par l'équation Steinhart-Hart.
Voir wikipedia:
http://en.wikipedia.org/wiki/Steinhart-Hart_equation
Au revoir.
ca avance en quoi le problème. comment déduire l'énergie du gap avec l'équation de Steinhart-Hart ????
Bonjour.
Ça ne permet pas d'obtenir le gap, mais c'est peut-être une indication que le modèle "semiconduteur intrinsèque" est inadapté. Ce qui expliquerait les valeurs surprenantes obtenues par Telliano.
D'ailleurs, je voudrais demander à Telliano: Quelle est la raison pour laquelle vous voulez déterminer le gap?
Au revoir.
