Re.
Non, ce que je dis n'est pas en contradiction avec ce que dit Mariposa.
Désolé EspritTordu, mais je crois que votre niveau en physique est un peu trop bas pour essayer d'inventer des dispositifs "astucieux".
On essaye de vous expliquer simplement et brièvement où sont vos erreurs, mais on ne peut pas remplacer en quelques phrases les années de cours de physique qui vous manquent.
En tout cas, je renonce. Si d'autres sont plus courageux que moi, tant mieux pour vous.
A+
Dans un tube électronique les électrons sont soumis à une tension de l'ordre de 200 ou 300V avec une distance entre cathode et anode qui est de l'ordre du cm, ce qui fait un champs de ~30000 V/m. Un vrai accélérateur de particules !Envoyé par mariposa
...la très grande différence qu'il y a entre le mouvement des électrons dans un tube électronique et le mouvement des électrons dans un matériau (métal ou semiconducteur). La comparaison est d'ailleurs tres instructive.
Dans un conducteur comme le cuivre, le champ auquel sont soumis les électrons est égal à la chute de tension due au fait que le cuivre est résistant mais pour des courants raisonnables cette chute de tension ne dépasse guère quelques 0,1V/m. Les électrons dans le cuivre sont donc soumis à un champ plusieurs centaines de milliers de fois plus faibles et en plus (et peut-être surtout), c'est une véritable course d'obstacle pour ces pauvres électrons dans le cuivre, ils se heurtent constamment à plein de trucs alors que dans le tube à vide, il n'y a pas d'obstacle pour freiner leur accélération d'où l'énorme différence de vitesse. Mais dans un tube à vide, il y a peu d'électrons alors que dans le cuivre il y a surabondance ; ça compense largement la lenteur des électrons.
Dans les semiconducteurs, c'est intermédiare et la mobilité des porteurs (électrons ou trous) dépend beaucoup du matériau, de la pureté, ... mais plus ces porteurs vont vites, plus le transistor peut être rapide. Quand on ne peut plus jouer sur la vitesse, il ne reste plus qu'à diminuer la taille du transistor pour augmenter sa vitesse, cette réduction de taille s'accompagne de pleins d'autres avantages : capacités parasites plus petites, échauffement moindre, densité de composants plus élevée,...
Bonjour,
L'essentiel y est mais il y a quelques petites erreurs. dans les 2 cas on prendra, ne serait-ce que pour faire des comparaisons, la longueur 1 cm et le champ 100 V ce qui fait un champ E = 100V/cm.
Donc les 2 cas l'électron va ressentir la même force d'accélération:
F = e.E
Tube a vide
On a :
m.dv/dt = q.E
Et l'on a un mouvement uniformément accéléré que l'on obtiend par intégration de l'équation précedente.
Semiconducteur.
L'électron est accéléré de la même façon, mais au bout d'un temps tau moyen il fait une colllision et perd tout le bénéfice de l'accélération.
Dans ce cas on a:
dv = (e.tau/m).E
qui represente l'accroissement de vitesse d'un électron (quelquesoit sa vitesse initiale)
la densité de courant en général c'est:
j = n.e.v
d'où j = n.e.µ.E
avec µ = e.tau/m est ce que l'on appele la mobilité des porteurs.
Quels sont ces deux cas ? Tube à vide et... ? Dans le cuivre il n'y a certainement pas des champs de 100V/cm. Quant aux semiconducteurs je les mentionnais juste pour dire qu'il y a d'autres cas.
Les 2 cas sont le tube a vide et le semiconducteur pas trop dopé.
J'ai évité de citer le métal car avec 100V/cm il doit fondre rapidement. L'interet etait de montrer que pour un même champ il y a 2 "mécanisnes" très différents. Néanmoins dans les principes le métal et le semiconducteur.
Merci .
je pense que la polarisation et dus de spin
