Bonjour,
Il est bien connu que l'énergie cinétique d'un electron soumis à une ddp de 1V est de 1eV i.e 1,6.10-19 J.
A partir de cette définition, on est alors à même connaissant une énergie et la charge de déterminer la DDP appliqué à une charge.
Le problème qui m'occupe est le suivant: je sais que l'énergie de Gap d'un semiconducteur (le dioxide de titane) est de 3,2 eV (donc large bande interdite). Dans la littérature, je trouve que ceci correspond à une bande de conduction placé vers -0,8V sur un axe de potentiel, par rapport à l'électrode au calomel saturé (ECS).
Comment puis-je, à partir de valeur énergétique en eV, déduire les potentiels correspondant ? Quelle est la relation de correspondance ?
A terme, cela permet d'effectuer des diagrammes gradués en potentiel, typiquement pour comparer les bandes du SC à un couple redox.
J'éspère avoir été clair, n'hésitez pas le cas échéant à me demander des précisions.
Merci d'avance pour vos réponses,
Cordialement.
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