Bonjour,
N'ayant pas de manuel traitant du sujet sous la main, et n'ayant pas trouver de piste satisfaisante sur le net, je peine à calculer le temps nécessaire pour augmenter l'épaisseur d'une couche d'oxyde de 0.4 micro mètre ( initialement épaisse de 0.3 micro mètre sur une plaquette de silicium ) par procédé sec à 1200 degré celsus.
Merci d'avance.
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