Offset et échelle logarithmique

[Lufface]

Bonjour,

Tout d'abord je tiens à vous dire que je ne sais absolument pas si je suis dans la bonne section mais comme mon travail concerne la Physique, j'ai posté ici.
Je viens à vous car je rencontre actuellement un problème que je n'arrive pas à résoudre mais qui je pense est très simple et donc ça m'énerve beaucoup !
Je vous l'expose :
J'ai tracé un graphique sur excel, sur ce graphique apparait 2 courbes. Les points de chaque courbes possède les mêmes abscisses mais pas les même ordonnées. L'axe des ordonnées est représenté en échelle logarithmique.
Mon problème est le suivant, j'observe une différence à peu près constante en Y (mais qui ne l'ai pas vu que je suis en échelle logarithmique) entre les 2 courbes comme le montre la figure en pièce jointe. Cet "Offset" n'étant pas normal, j'aimerais pouvoir retranché quelque chose à la courbe bleue pour pouvoir la superposer à la rouge.

En espérant que j'ai été clair et que vous arriverez à m'aider.

Merci d'avance !
-----

[LPFR]

Bonjour.
C’est le bon forum. Même si ce n’est pas de la physique, ça rentre dans le domaine de connaissances des physiciens.

Les deux courbes sont distantes d’à peu près une constante en logarithmique. Ce qui correspond à un facteur en échelle linéaire.
Il faut trouver la valeur qui convient le mieux. (Au « pif » je dirais que le facteur est de 3,5 environ).
Au revoir.

[Lufface]

Bonjour,
J'ai réussi à régler mon problème, c'est exactement ce que vous me dîtes, merci pour votre aide.
Au revoir.

[Lufface]

Bonjour,
Je reviens vers vous car en analysant ces données, je me suis posé une question. En fait ce profil est un profil de concentration de dopant d'un wafer de silicium ayant subi plusieurs étapes de processus d'implantation, de recuit et d'épitaxie. Au dessus de 20µm (axe des X étant la profondeur en µm), c'est le substrat donc ayant une concentration de dopants (axe Y en atomes/cm-3) constante (le même sur les 2 courbes).
Le problème est le suivant, à 15µm se trouve une épitaxie donc de concentration en dopants constante sur la petite profondeur où elle est réalisée. Cette épitaxie à la même concentration en dopants sur la courbe bleu et la courbe rouge. Or lorsque que j'essaye de faire se superposer les 2 courbes en rajoutant une constante logarithmique à la première, je n'arrive pas à les superposer de telle sorte que la concentration des 2 substrats et celle des 2 épi soit superposées en même temps, or logiquement la concentration est exactement la même dans le substrat ou dans l'épi des 2 courbes.
J'aimerais donc pouvoir adapter ma constante de telle sorte qu'elle varie pour ramener le substrat, l'épi et la 2nde épi (à 5µm) sur le même niveau de concentration.
En espérant que vous pourrez m'aider.
Si vous avez des questions, n'hésitez pas.

Merci d'avance !

[A voir en vidéo sur Futura]

[LPFR]

Bonjour.
Maintenant que vous nous expliquez la signification des courbes, on va pouvoir parler physique.
Vous dites qu’il s’agit du même wafer. Donc, le dopage en profondeur doit être le même.

Mais il faut alors comprendre pourquoi la courbe rouge pressente un dopage en profondeur non constant.
Par quel processus est mesuré le dopage ? Cela fait un long moment que je me suis éloigné des semi-conducteurs, et mes connaissances sur les techniques sont sûrement périmées. J’imagine que l’on décape la surface (bombardement ionique ?) et on mesure la concentration de dopants avec un spectromètre de masses.
Alors, d’où vient la différence et d’où viennent ces oscillations ? Imprécision de la méthode ? Variation du dopage en profondeur ?

Comprenez que multiplier les mesures par une constante est bricoler les données. Il faut avoir le droit de le faire et pour cela il faut pouvoir justifier que le rapport entre les mesures est constant et est du à, par exemple, une dérive dans l’étalonnage des instruments. Mais même cela n’explique pas les oscillations.
Et si la constante n’est pas constante, alors nous avons un problème.

Essayez de nous expliquer plus en détail la manip pour voir si on peut vous aider.
Au revoir.