Bonjour à tous, je me permet de faire ce post afin d'avoir des indications sur le choix des réglages en MEB afin d'avoir une résolution optimal pour les différents modes d'acquisition.

Cela fait quelques jours que je suis une formation en microscopie électronique, n'ayant pas beaucoup pratiqué la physique auparavant je me retrouve un peu perdu, voici donc ce que je pense avoir compris sur l'influence des réglages en fonction des différents modes d'acquisition :

En mode d'acquisition électrons secondaires : Les électrons secondaires ont une faible énergie, ils seront donc représentatifs de la surface de mon échantillon.
-Une augmentation du voltage d'accélaration entrainera une augmentation de la profondeur de pénétration et par conséquent une diminution du contraste de surface.
-Une diminution de la distance de travail entrainera une dimunution du diamètre de mon faisceau d'électrons, et par conséquent une augmentation de la résolution (car mon volume d'intération des électrons sera plus faible), mais une augmentation des bruits (car mon courant de sonde sera trop faible).

En mode d'acquisition électrons rétro-diffusés : Les électrons rétro-diffusés ont une plus grande énergie, ils contiennent des informations sur une région plus profonde, mais sont trés sensibles à l'évoluton du numéro atomique Z.
-Une augmentation du voltage d'accélération entrainera les mêmes effets que pour les électrons secondaires.
-Ils ne sont pas sensibles à la modification de la distance de travail, car le volume d'intéraction est trés important, la résolution ne sera donc pas influée par le diamétre du faisceau d'électrons.

En mode d'acquisition rayons X : la c'est le flou total.

Si vous pouviez me donner vos avis, et surtout vos corrections, précisions, afin que je me familiarise plus facilement avec cette technique.

Bien cordialement, Victor