Bonjour,
N'ayant que très peu de connaissance en électronique et en thermique, j'aurai voulu savoir comment dimensionner un dissipateur thermique pour un transistor MOS-FET P durci en boitier TO-254AA (ref. IRHM9260) . (voir image)
Dans mon exemple, le dissipateur fait parti d'un cadre en aluminium. Le transistor est fixé dessus. Un circuit imprimé est ensuite fixé sur le cadre. Le transistor est connecté au circuit imprimé. Vu que le transistor émet un température assez élevé en fonctionnement ( environ centaine de degré Celsius) j'aurai voulu savoir comment l'épaisseur du dissipateur (2,5mm) est déterminée ?
Les dimensions max du transistor sont 20,32x13,94x6,6mm.
D'après le datasheet du transistor je suppose que les informations qui me sont utiles sont la puissance maximum de dissipation (250W); impédance thermique jonction- air ambiante 48°C/W. Si je me trouve dans le cas où l'équipement se trouve dans l'espace (vide), est ce que cette impédance est -elle applicable?
Merci de votre aide.
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