Bonjour à tous !
Pourriez vous m'expliquer pourquoi en RMN du Silicium, les pics des atomes de silicium monofonctionnels (M, reliés à 1 atome d'oxygène et 3 groupements R) sont plus déblindés que les pics correspondant aux siliciums quaternaires (reliés à 4 atomes d'oxygène) ??
Merci d'avance pour l'aide
Je n'ai jamais fait de RMN du 29Si, mais la raison est la même qu'en RMN du 13C ou du 1H : Le déplacement chimique est lié aux effets électroniques des substituants proches des noyaux observés. Les atomes d'oxygène sont plus électronégatifs que les atomes de silicium : 3.4 contre 1.9 sur l'échelle de Pauling. Donc ils ont un effet inductif attracteur, quatre fois plus important s'ils sont quatre au lieu d'un. La densité de charge électronique autour des atomes de silicium liés à 4 oxygènes est donc bien plus diminuée que celle autour des atomes de silicium liés à 1 seul oxygène. Autrement dit, les siliciums quaternaires sont plus déblindés que les primaires.
Ok j'ai compris merci pour la réponse Matrok
Non désolée je n'ai pas compris, parce que justement l'atome quaternaire (delta= -109ppm) est plus blindé que l'atome relié à un seul oxygène(delta= -2.25ppm) ! par contre on se situe en rmn du solide ici
Bizarre, bizarre... Ce que j'ai écrit me semble juste, mais pourquoi donc les noyaux déblindés de 29Si apparaîtraient à des déplacements chimiques plus négatifs alors que c'est l'inverse avec 13C et 1H dont j'ai plus l'habitude ? Une idée de piste (mais je n'ai pas du tout creusé ni replongé dans la théorie ni revérifié les calculs) : Wikipedia donne une valeur négative pour le moment magnétique de 29Si alors qu'elle est positive pour 13C et 1H... Se pourrait-il que ce changement de signe explique quelque chose ?
