Bonjour,
J'ai bientôt un examen et il y a quelque chose que je ne comprends pas dans le corrigé d'un exercice. Voici le schéma de base (cellule de mémoire statique) :
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On cherche à écrire un 1 logique dans la cellule, qui est en train de mémoriser un 0 logique (en rouge=1, en bleu=0, les transistors en gras sont ceux qui sont actifs) :
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La question est de savoir si cette opération est possible en sachant que les NMOS ont des dimensions W/L = 1/0.3 (en micromètres) et les PMOS ont W/L = 2/0.3. La première étape est donc de dire:
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Ma question est: comment peut-on savoir que M5 est en saturation et M3 en conduction ? Je n'ai pas l'impression que les niveaux de tensions sont vraiment différents pour les 2 transistors....?
Ma question vaut aussi pour la suite qui dit:
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Ici les 2 sont en conduction, alors que j'ai l'impression que c'est exactement la même situation que pour M5 et M3(sauf qu'ici M2 est un PMOS)
Si jamais, on utilise ces paramètres technologiques-là :
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Voilà... en espérant que quelqu'un a eu le courage de me lire jusqu'au bout
Merci d'avance pour vos explications.
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