Bonjour,
J'ai bientôt un examen et il y a quelque chose que je ne comprends pas dans le corrigé d'un exercice. Voici le schéma de base (cellule de mémoire statique) :
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On cherche à écrire un 1 logique dans la cellule, qui est en train de mémoriser un 0 logique (en rouge=1, en bleu=0, les transistors en gras sont ceux qui sont actifs) :
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La question est de savoir si cette opération est possible en sachant que les NMOS ont des dimensions W/L = 1/0.3 (en micromètres) et les PMOS ont W/L = 2/0.3. La première étape est donc de dire:
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Ma question est: comment peut-on savoir que M5 est en saturation et M3 en conduction ? Je n'ai pas l'impression que les niveaux de tensions sont vraiment différents pour les 2 transistors....?
Ma question vaut aussi pour la suite qui dit:
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Ici les 2 sont en conduction, alors que j'ai l'impression que c'est exactement la même situation que pour M5 et M3 (sauf qu'ici M2 est un PMOS)
Si jamais, on utilise ces paramètres technologiques-là :
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Voilà... en espérant que quelqu'un a eu le courage de me lire jusqu'au bout
Merci d'avance pour vos explications.
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